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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第730页 > SUM70N03-09CP-E3
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V（D -S）， 175_C的MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0095 @ V
GS
= 20 V
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
70
58
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
优化的高或低侧
新的低热阻封装
100% R
g
经过测试
应用
D
DC / DC转换器
D
同步整流器
D
TO-263
的漏极连接到选项卡
G
G
S
S
顶视图
订购信息： SUM70N03-09CP
SUM70N03-09CP -E3 （无铅）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
70
40
单位
V
100
35
61
b
93
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
3.75
55
175
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
www.vishay.com
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.6
单位
° C / W
1
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
20
0.0115
100
0.0076
0.0095
0.015
0.014
S
W
30
1.0
3.0
"100
1
250
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
0.5
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2200
410
180
1.5
31
7.5
5.0
9
80
22
8
15
120
35
12
ns
2.1
45
nC
W
p
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
35
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
120
V
GS
= 10通6 V
5V
90
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
90
120
传输特性
60
4V
60
T
C
= 125_C
30
25_C
0
55_C
3
4
5
6
30
3V
0
0
2
4
6
2V
8
10
0
1
2
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
2
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
100
0.05
导通电阻与漏电流
克FS
跨导（S ）
T
C
=
55_C
25_C
125_C
60
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
80
0.04
0.03
40
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
0.00
0
20
40
60
80
100
I
D
漏电流（ A）
3000
2500
C
电容（pF）
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
C
RSS
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
电容
C
国际空间站
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
8
6
4
2
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
总栅极电荷（ NC）
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0.8
0.4
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
www.vishay.com
3
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
90
75
100
I D
漏电流（ A）
60
45
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
环境温度（ ℃）
I D
漏电流（ A）
1000
安全工作区
有限
由R
DS （ ON）
10, 100
ms
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
T
A
= 25_C
单脉冲
100 s
dc
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
www.vishay.com
4
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V（D -S）， 175_C的MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0095 @ V
GS
= 20 V
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
70
58
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
优化的高或低侧
新的低热阻封装
100% R
g
经过测试
应用
D
DC / DC转换器
D
同步整流器
D
TO-263
的漏极连接到选项卡
G
G
S
S
顶视图
订购信息： SUM70N03-09CP
SUM70N03-09CP -E3 （无铅）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
70
40
单位
V
100
35
61
b
93
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
3.75
55
175
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
www.vishay.com
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.6
单位
° C / W
1
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
20
0.0115
100
0.0076
0.0095
0.015
0.014
S
W
30
1.0
3.0
"100
1
250
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
0.5
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2200
410
180
1.5
31
7.5
5.0
9
80
22
8
15
120
35
12
ns
2.1
45
nC
W
p
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
35
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
120
V
GS
= 10通6 V
5V
90
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
90
120
传输特性
60
4V
60
T
C
= 125_C
30
25_C
0
55_C
3
4
5
6
30
3V
0
0
2
4
6
2V
8
10
0
1
2
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
2
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
100
0.05
导通电阻与漏电流
克FS
跨导（S ）
T
C
=
55_C
25_C
125_C
60
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
80
0.04
0.03
40
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
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0.01
0
0
10
20
30
40
50
0.00
0
20
40
60
80
100
I
D
漏电流（ A）
3000
2500
C
电容（pF）
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
C
RSS
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
电容
C
国际空间站
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
8
6
4
2
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
总栅极电荷（ NC）
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0.8
0.4
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
www.vishay.com
3
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
90
75
100
I D
漏电流（ A）
60
45
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
环境温度（ ℃）
I D
漏电流（ A）
1000
安全工作区
有限
由R
DS （ ON）
10, 100
ms
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
T
A
= 25_C
单脉冲
100 s
dc
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
www.vishay.com
4
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V（D -S）， 175_C的MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0095 @ V
GS
= 20 V
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
70
58
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
优化的高或低侧
新的低热阻封装
100% R
g
经过测试
应用
D
DC / DC转换器
D
同步整流器
D
TO-263
的漏极连接到选项卡
G
G
S
S
顶视图
订购信息： SUM70N03-09CP
SUM70N03-09CP -E3 （无铅）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
70
40
单位
V
100
35
61
b
93
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
3.75
55
175
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
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印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.6
单位
° C / W
1
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
20
0.0115
100
0.0076
0.0095
0.015
0.014
S
W
30
1.0
3.0
"100
1
250
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
0.5
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2200
410
180
1.5
31
7.5
5.0
9
80
22
8
15
120
35
12
ns
2.1
45
nC
W
p
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
35
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
120
V
GS
= 10通6 V
5V
90
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
90
120
传输特性
60
4V
60
T
C
= 125_C
30
25_C
0
55_C
3
4
5
6
30
3V
0
0
2
4
6
2V
8
10
0
1
2
V
DS
漏极至源极电压（ V）
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V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71943
S- 32523 -REV 。 D， 08日-12月03
2
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
100
0.05
导通电阻与漏电流
克FS
跨导（S ）
T
C
=
55_C
25_C
125_C
60
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
80
0.04
0.03
40
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
0.00
0
20
40
60
80
100
I
D
漏电流（ A）
3000
2500
C
电容（pF）
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
C
RSS
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
电容
C
国际空间站
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
8
6
4
2
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
总栅极电荷（ NC）
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0.8
0.4
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
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SUM70N03-09CP
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热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
90
75
100
I D
漏电流（ A）
60
45
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
环境温度（ ℃）
I D
漏电流（ A）
1000
安全工作区
有限
由R
DS （ ON）
10, 100
ms
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
T
A
= 25_C
单脉冲
100 s
dc
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
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