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SUM55N03-16P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.016 @ V
GS
= 10 V
0.024 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
55
45
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
175_C结温
PWM优化
100% R
g
经过测试
应用
D
高端酷睿DC / DC
的DeskTop
服务器
D
DDR DC / DC转换器
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
S
S
订购信息： SUM55N03-16P - E3 （无铅）
N沟道MOSFET
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
d
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
55
39
50
25
31.25
93
b
3.75
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 72632
S- 40465 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.6
单位
° C / W
1
SUM55N03-16P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
10
0.019
50
0.0128
0.016
0.025
0.031
0.024
S
W
30
1
3
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
b
栅极 - 源电荷
b
栅极 - 漏极电荷
b
栅极电阻
导通延迟时间
b
上升时间
b
打开-O FF延迟时间
b
下降时间
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
2.7
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1150
215
70
17
5
2.5
5.5
7
20
25
12
8.25
15
30
40
20
ns
W
26
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
I
F
= 40 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
1.0
25
1.2
0.15
55
50
1.5
70
2.5
0.09
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。独立的工作温度。
。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72632
S- 40465 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUM55N03-16P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
I
D
漏电流（ A）
40
4V
30
20
10
3V
0
0
2
4
6
8
10
Vishay Siliconix公司
输出特性
60
V
GS
= 10直通5 V
50
I
D
漏电流（ A）
40
30
20
10
0
0
1
传输特性
T
C
= 125_C
25_C
55_C
2
3
4
5
6
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
60
T
C
=
55_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
50
g
fs
跨导（S ）
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
25_C
125_C
0.0400
0.0500
导通电阻与漏电流
0.0300
V
GS
= 4.5 V
0.0200
V
GS
= 10 V
0.0100
0.0000
0
10
20
30
40
50
60
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
1500
电容
C
国际空间站
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
栅极电荷
1200
C
电容（pF）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
900
6
600
C
OSS
C
RSS
4
300
2
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72632
S- 40465 -REV 。 A， 15 -MAR -04
0
0
3
6
9
12
15
18
Q
g
总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
3
SUM55N03-16P
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.1
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
I
S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
1.8
1.5
10
T
J
= 150_C
1.2
T
J
= 25_C
0.9
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
40
漏源击穿对比
结温
38
V
（ BR ） DSS
(V)
I
D
= 250
mA
36
34
32
30
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 72632
S- 40465 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUM55N03-16P
新产品
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
60
50
I
D
漏电流（ A）
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
环境温度（ ℃）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
I
D
漏电流（ A）
100
Vishay Siliconix公司
安全工作区
10
ms
100
ms
有限
由R
DS （ ON）
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
1
T
C
= 25_C
单脉冲
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 72632
S- 40465 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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5
SUM55N03-16P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.016 @ V
GS
= 10 V
0.024 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
55
45
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
175_C结温
PWM优化
100% R
g
经过测试
应用
D
高端酷睿DC / DC
的DeskTop
服务器
D
DDR DC / DC转换器
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
S
S
订购信息： SUM55N03-16P - E3 （无铅）
N沟道MOSFET
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
d
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
55
39
50
25
31.25
93
b
3.75
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 72632
S- 40465 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.6
单位
° C / W
1
SUM55N03-16P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
10
0.019
50
0.0128
0.016
0.025
0.031
0.024
S
W
30
1
3
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
b
栅极 - 源电荷
b
栅极 - 漏极电荷
b
栅极电阻
导通延迟时间
b
上升时间
b
打开-O FF延迟时间
b
下降时间
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
2.7
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1150
215
70
17
5
2.5
5.5
7
20
25
12
8.25
15
30
40
20
ns
W
26
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
I
F
= 40 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
1.0
25
1.2
0.15
55
50
1.5
70
2.5
0.09
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。独立的工作温度。
。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72632
S- 40465 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUM55N03-16P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
I
D
漏电流（ A）
40
4V
30
20
10
3V
0
0
2
4
6
8
10
Vishay Siliconix公司
输出特性
60
V
GS
= 10直通5 V
50
I
D
漏电流（ A）
40
30
20
10
0
0
1
传输特性
T
C
= 125_C
25_C
55_C
2
3
4
5
6
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
60
T
C
=
55_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
50
g
fs
跨导（S ）
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
25_C
125_C
0.0400
0.0500
导通电阻与漏电流
0.0300
V
GS
= 4.5 V
0.0200
V
GS
= 10 V
0.0100
0.0000
0
10
20
30
40
50
60
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
1500
电容
C
国际空间站
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
栅极电荷
1200
C
电容（pF）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
900
6
600
C
OSS
C
RSS
4
300
2
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72632
S- 40465 -REV 。 A， 15 -MAR -04
0
0
3
6
9
12
15
18
Q
g
总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
3
SUM55N03-16P
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.1
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
I
S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
1.8
1.5
10
T
J
= 150_C
1.2
T
J
= 25_C
0.9
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
40
漏源击穿对比
结温
38
V
（ BR ） DSS
(V)
I
D
= 250
mA
36
34
32
30
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 72632
S- 40465 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUM55N03-16P
新产品
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
60
50
I
D
漏电流（ A）
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
环境温度（ ℃）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
I
D
漏电流（ A）
100
Vishay Siliconix公司
安全工作区
10
ms
100
ms
有限
由R
DS （ ON）
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
1
T
C
= 25_C
单脉冲
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
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