SUM45N25-58
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道250 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
250
r
DS （ ON）
(W)
0.058 @ V
GS
= 10 V
0.062 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
45
43
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
175_C结温
D
新的低热阻封装
应用
D
初级侧开关
D
等离子显示面板自持功能
D
TO-263
G
G
S
S
顶视图
订购信息： SUM45N25-58-
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
250
"30
45
25
70
35
61
375
b
3.75
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
c
结至外壳（漏）
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
www.vishay.com
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.4
单位
° C / W
1
SUM45N25-58
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"30
V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 6 V，I
D
= 15 A,
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
0.049
70
70
0.047
0.058
0.121
0.163
0.062
S
W
250
V
2
4
"250
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 100 V ，R
L
= 2.78
W
I
D
^
45 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
F = 1 MHz的
V
DS
= 125 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 45 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5000
300
170
95
28
34
1.6
22
220
40
145
35
330
60
220
ns
W
140
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 45 A， di / dt的= 100 A / MS
,
m
I
F
= 45 A，V
GS
= 0 V
1.0
150
12
0.9
45
70
1.5
225
18
2
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
SUM45N25-58
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
100
V
GS
= 10到7 V
80
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
6V
80
100
Vishay Siliconix公司
传输特性
60
60
40
40
T
C
= 125_C
20
25_C
- 55_C
0
20
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
150
T
C
= - 55_C
25_C
90
125_C
60
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
120
g
fs
- 跨导（S ）
0.08
0.10
导通电阻与漏电流
0.06
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
0.04
30
0.02
0
0
10
20
30
40
50
60
0.00
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
7000
6000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
40
80
120
160
200
C
RSS
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 125 V
I
D
= 45 A
12
8
4
C
OSS
0
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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3
SUM45N25-58
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.6
1.2
0.8
0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
100
300
290
漏源击穿对比
结温
I
D
= 1.0毫安
10
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
V
（ BR ） DSS
(V)
280
270
260
1
250
240
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
230
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
SUM45N25-58
新产品
热额定值
Vishay Siliconix公司
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
50
100
安全工作区，外壳温度
10
ms
有限
由R
DS （ ON）
I
D
- 漏电流（ A）
10
40
I
D
- 漏电流（ A）
100
ms
30
1毫秒
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
dc
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
1000
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
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5
新产品
SUM45N25-58
Vishay Siliconix公司
N沟道250 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
250
r
DS （ ON）
(Ω)
0.058在V
GS
= 10 V
0.062在V
GS
= 6 V
I
D
(A)
45
43
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
新的低热阻封装
RoHS指令
柔顺
应用
初级侧开关
等离子显示面板自持功能
D
TO-263
G
G
S
顶视图
订货信息：
SUM45N25-58 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
典型的雪崩电压
d
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
最大功率耗散
a
符号
V
DS
V
DS （雪崩）
典型值
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
I
D
I
DM
I
AR
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
250
300
± 30
45
25
90
35
61
375
b
3.75
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
°C
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
结至外壳（漏）
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。通过设计保证
文档编号： 72314
S- 70311 -REV 。 C， 12 -FEB -07
www.vishay.com
1
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.4
单位
° C / W
新产品
SUM45N25-58
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175 °C
V
GS
= 6 V，I
D
= 15 A
正向跨导
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
c
a
符号
测试条件
民
250
2
典型值
最大
单位
4
± 250
1
50
250
V
nA
A
A
70
0.047
0.058
0.121
0.163
0.049
70
5000
0.062
Ω
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
300
170
95
140
pF
V
DS
= 125 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 45 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 100 V ，R
L
= 2.78
Ω
I
D
45 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
Ω
28
34
1.6
22
220
40
145
35
330
60
220
45
70
nC
Ω
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 °C)
b
A
V
ns
A
C
I
F
= 45 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 45 A， di / dt的= 100 A / μs的
1.0
150
12
0.9
1.5
225
18
2
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 72314
S- 70311 -REV 。 C， 12 -FEB -07
新产品
SUM45N25-58
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
V
GS
= 10到7 V
80
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
6V
80
100
60
60
40
40
T
C
= 125 °C
20
25 °C
20
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
- 55 °C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
150
T
C
= - 55 °C
25 °C
90
125 °C
60
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
120
g
fs
- 跨导（S ）
0.08
0.10
传输特性
0.06
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
0.04
30
0.02
0
0
10
20
30
40
50
60
0.00
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
7000
6000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
40
80
120
160
200
C
RSS
20
导通电阻与漏电流
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 125 V
I
D
= 45 A
12
8
4
C
OSS
0
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
文档编号： 72314
S- 70311 -REV 。 C， 12 -FEB -07
栅极电荷
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3
新产品
SUM45N25-58
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
S
- 源电流（ A）
100
2.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
2.0
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 25 °C
1.6
1.2
0.8
0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
100
300
290
I
D
= 1.0毫安
280
270
260
250
240
I
AV
（ A）在t
A
= 150 °C
10
I
DAV
(a)
I
AV
（ A）在t
A
= 25 °C
1
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
（ BR ） DSS
(V)
230
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
雪崩电流与时间
漏源击穿
- 结温
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4
文档编号： 72314
S- 70311 -REV 。 C， 12 -FEB -07
新产品
SUM45N25-58
Vishay Siliconix公司
热额定值
50
100
10 s
有限
由R
DS （ ON）
I
D
- 漏电流（ A）
10
40
I
D
- 漏电流（ A）
100 s
30
1毫秒
10毫秒
1
T
C
= 25 °C
单脉冲
100毫秒
dc
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
1000
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
安全工作区，外壳温度
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技可靠性数据
术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性
数据见
http://www.vishay.com/ppg?72314 。
文档编号： 72314
S- 70311 -REV 。 C， 12 -FEB -07
www.vishay.com
5
SUM45N25-58
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道250 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
250
r
DS （ ON）
(W)
0.058 @ V
GS
= 10 V
0.062 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
45
43
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
175_C结温
D
新的低热阻封装
应用
D
初级侧开关
D
等离子显示面板自持功能
D
TO-263
G
G
S
S
顶视图
订购信息： SUM45N25-58-
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
250
"30
45
25
70
35
61
375
b
3.75
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
c
结至外壳（漏）
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
www.vishay.com
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.4
单位
° C / W
1
SUM45N25-58
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"30
V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 6 V，I
D
= 15 A,
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
0.049
70
70
0.047
0.058
0.121
0.163
0.062
S
W
250
V
2
4
"250
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 100 V ，R
L
= 2.78
W
I
D
^
45 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
F = 1 MHz的
V
DS
= 125 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 45 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5000
300
170
95
28
34
1.6
22
220
40
145
35
330
60
220
ns
W
140
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 45 A， di / dt的= 100 A / MS
,
m
I
F
= 45 A，V
GS
= 0 V
1.0
150
12
0.9
45
70
1.5
225
18
2
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
SUM45N25-58
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
100
V
GS
= 10到7 V
80
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
6V
80
100
Vishay Siliconix公司
传输特性
60
60
40
40
T
C
= 125_C
20
25_C
- 55_C
0
20
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
150
T
C
= - 55_C
25_C
90
125_C
60
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
120
g
fs
- 跨导（S ）
0.08
0.10
导通电阻与漏电流
0.06
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
0.04
30
0.02
0
0
10
20
30
40
50
60
0.00
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
7000
6000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
40
80
120
160
200
C
RSS
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 125 V
I
D
= 45 A
12
8
4
C
OSS
0
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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3
SUM45N25-58
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.6
1.2
0.8
0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
100
300
290
漏源击穿对比
结温
I
D
= 1.0毫安
10
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
V
（ BR ） DSS
(V)
280
270
260
1
250
240
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
230
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
SUM45N25-58
新产品
热额定值
Vishay Siliconix公司
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
50
100
安全工作区，外壳温度
10
ms
有限
由R
DS （ ON）
I
D
- 漏电流（ A）
10
40
I
D
- 漏电流（ A）
100
ms
30
1毫秒
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
dc
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
1000
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
文档编号： 72314
S- 31515 -REV 。 A， 7月14日 - 03
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