SUM36N20-54P
Vishay Siliconix公司
N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
200
R
DS （ ON）
(Ω)
0.053在V
GS
= 15 V
0.054在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
36
36
Q
g
（典型值）。
57
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
100 % R
g
和UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
电源
照明系统
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUM36N20-54P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率
耗散
a
a
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
200
± 25
36
22.6
80
20
20
166
b
3.12
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
°C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
结至外壳（漏）
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.75
单位
° C / W
文档编号： 74295
S- 80794 -REV 。 B， 14 -APR- 08
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1
SUM36N20-54P
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 25 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100 °C
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
DS
≥
10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 15 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 100 °C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 150 °C
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
下降时间
c
c
c
符号
测试条件
分钟。
200
2.5
典型值。
马克斯。
单位
4.5
± 100
± 300
1
25
250
V
nA
A
A
40
0.044
0.0435
0.054
0.053
0.098
0.130
25
3100
Ω
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 100 V, V
GS
= 15 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 100 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 100 V ，R
L
= 2
Ω
I
D
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
300
135
85
57
14
20
1.2
16
170
27
9
1.8
25
260
42
18
127
85
pF
nC
Ω
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 40 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
0.86
116
9
0.53
84
32
36
80
1.5
175
14
0.8
A
V
ns
A
C
nS
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
V
GS
= 15, 12, 10,
8 V
80
I
D
- 漏电流（ A）
6
V
60
I
D
- 漏电流（ A）
64
80
48
T
C
= 125 °C
32
40
20
5
V
0
0
3
6
9
12
15
16
25 °C
- 55 °C
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
120
T
C
= - 55 °C
0.060
25 °C
80
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.065
传输特性
100
g
fs
- 跨导（S ）
0.055
V
GS
= 10
V
0.050
V
GS
= 15
V
0.045
60
125 °C
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
0.040
0
16
32
48
64
80
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
0.18
I
D
= 20 A
0.15
R
DS
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
3360
4200
导通电阻与漏电流
C
国际空间站
0.12
2520
0.09
T
J
= 125 °C
1680
0.06
T
J
= 25 °C
0.03
0
3
6
9
12
15
840
C
RSS
C
OSS
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与栅极至源极电压
电容
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
15
V
DS
= 50
V,
100
V
I
D
= 50A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
2.9
I
D
= 20 A
2.4
V
GS
= 10
V
1.9
V
GS
= 15
V
1.4
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
12
9
6
3
0.9
0
0
16
32
48
64
80
96
0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
100000
0.7
导通电阻与结温
10000
I
S
- 源电流（ A）
V
GS （ TH）
V
ariance （
V
)
T
J
=150 °C
1000
T
J
= 25 °C
0.100
0.2
I
D
= 5毫安
- 0.3
- 0.8
I
D
= 250
A
- 1.3
0.010
- 1.8
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
- 2.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
T
J
- 温度（℃ ）
源极 - 漏极二极管正向电压
250
I
D
= 10毫安
240
V
（ BR ） VDSS （归一化）
150 °C
I
DAV
A
100
阈值电压
230
25 °C
10
220
210
200
190
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.00001
0.0001
0.001
t
av
- (s)
0.01
0.1
T
J
- 结温（ ° C）
漏源击穿对比
结温
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单脉冲雪崩
电流能力与时间
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热额定值
40
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
32
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
100
s
I
D
- 漏电流（ A）
10
24
1毫秒
1
T
C
= 25 °C
单脉冲
16
10毫秒
100毫秒
DC
8
0
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.1
T
C
- 外壳温度（ ° C）
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
＆ GT ;
最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
1000
最大漏极个当前与外壳温度
1
占空比= 0.5
N
ormalized Effecti
v
ê瞬态
热阻抗
安全工作区
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
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S- 80794 -REV 。 B， 14 -APR- 08
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