SPICE器件模型SUM27N20-78
Vishay Siliconix公司
N沟道200 - V（D -S）， 175 ℃下的MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至10 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 72285
S- 60541Rev 。 B， 10 -APR- 06
www.vishay.com
1
SPICE器件模型SUM27N20-78
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175°C
V
GS
= 6 V，I
D
= 20 A
正向电压
a
V
SD
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
2.8
74
0.067
0.126
0.162
0.069
0.89
0.068
1
V
0.064
V
A
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
上升时间
c
c
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V ，R
L
= 5
I
D
20 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
V
DS
= 100 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2117
233
91
40.5
11
14
32
21
39
16
89
2150
215
90
40
11
14
15
35
40
30
115
ns
nC
pF
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源漏反向恢复时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72285
S- 60541Rev 。 B， 10 -APR- 06
SPICE器件模型SUM27N20-78
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 72285
S- 60541Rev 。 B， 10 -APR- 06
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3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
SUM27N20-78
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道200 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
200
r
DS （ ON）
(W)
0.078 @ V
GS
= 10 V
0.083 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
27
26
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET，
175_C结温
新的低热阻封装
PWM优化的快速切换
应用
D
隔离式DC / DC转换器
- 原边开关
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM27N20-78
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
_
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
200
"20
27
15.5
60
18
16.2
150
b
3.75
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
www.vishay.com
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.0
单位
° C / W
_
1
SUM27N20-78
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
通态电阻的漏 - 源
正向跨导
a
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 6 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
15
0.068
60
0.064
0.078
0.160
0.205
0.083
W
S
W
200
V
2
4
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 100 V ，R
L
= 5
W
I
D
^
20 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 100 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2150
215
90
40
11
14
2
15
35
40
30
25
55
60
45
ns
W
60
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
1.0
115
7.5
0.43
27
60
1.5
170
12
1.02
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
SUM27N20-78
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
60
V
GS
= 10到7 V
50
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
6V
50
60
Vishay Siliconix公司
传输特性
40
40
30
30
20
5V
20
T
C
= 125_C
25_C
-55
_C
10
3 V, 4 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
80
T
C
= -55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
导通电阻与漏电流
g
fs
- 跨导（S ）
60
25_C
0.12
125_C
40
0.08
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
20
0.04
0
0
10
20
30
40
50
60
0.00
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
3000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2500
C
国际空间站
- 电容（pF ）
2000
16
V
DS
= 100 V
I
D
= 20 A
12
1500
8
1000
C
RSS
C
OSS
0
0
40
80
120
160
200
500
4
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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3
SUM27N20-78
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
3.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
260
漏源击穿对比
结温
100
V
（ BR ） DSS
(V)
I
DAV
(a)
240
I
D
= 1.0毫安
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
10
220
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
200
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
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4
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
SUM27N20-78
新产品
热额定值
Vishay Siliconix公司
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
30
100
安全工作区
10
ms
25
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
限于由R
DS （ ON）
20
10
100
ms
15
1毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
10毫秒
100毫秒，直流
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
1000
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72108
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新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道200 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
200
r
DS （ ON）
(W)
0.078 @ V
GS
= 10 V
0.083 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
27
26
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET，
175_C结温
新的低热阻封装
PWM优化的快速切换
应用
D
隔离式DC / DC转换器
- 原边开关
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM27N20-78
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
_
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
200
"20
27
15.5
60
18
16.2
150
b
3.75
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
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印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.0
单位
° C / W
_
1
SUM27N20-78
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
通态电阻的漏 - 源
正向跨导
a
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 6 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
15
0.068
60
0.064
0.078
0.160
0.205
0.083
W
S
W
200
V
2
4
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 100 V ，R
L
= 5
W
I
D
^
20 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 100 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2150
215
90
40
11
14
2
15
35
40
30
25
55
60
45
ns
W
60
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
1.0
115
7.5
0.43
27
60
1.5
170
12
1.02
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
SUM27N20-78
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
60
V
GS
= 10到7 V
50
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
6V
50
60
Vishay Siliconix公司
传输特性
40
40
30
30
20
5V
20
T
C
= 125_C
25_C
-55
_C
10
3 V, 4 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
80
T
C
= -55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
导通电阻与漏电流
g
fs
- 跨导（S ）
60
25_C
0.12
125_C
40
0.08
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
20
0.04
0
0
10
20
30
40
50
60
0.00
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
3000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2500
C
国际空间站
- 电容（pF ）
2000
16
V
DS
= 100 V
I
D
= 20 A
12
1500
8
1000
C
RSS
C
OSS
0
0
40
80
120
160
200
500
4
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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3
SUM27N20-78
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
3.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
260
漏源击穿对比
结温
100
V
（ BR ） DSS
(V)
I
DAV
(a)
240
I
D
= 1.0毫安
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
10
220
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
200
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
SUM27N20-78
新产品
热额定值
Vishay Siliconix公司
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
30
100
安全工作区
10
ms
25
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
限于由R
DS （ ON）
20
10
100
ms
15
1毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
10毫秒
100毫秒，直流
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
1000
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
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SUM27N20-78
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道200 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
200
r
DS （ ON）
(W)
0.078 @ V
GS
= 10 V
0.083 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
27
26
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET，
175_C结温
新的低热阻封装
PWM优化的快速切换
应用
D
隔离式DC / DC转换器
- 原边开关
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM27N20-78
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
_
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
200
"20
27
15.5
60
18
16.2
150
b
3.75
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
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S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
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印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.0
单位
° C / W
_
1
SUM27N20-78
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
通态电阻的漏 - 源
正向跨导
a
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 6 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
15
0.068
60
0.064
0.078
0.160
0.205
0.083
W
S
W
200
V
2
4
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 100 V ，R
L
= 5
W
I
D
^
20 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 100 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2150
215
90
40
11
14
2
15
35
40
30
25
55
60
45
ns
W
60
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
1.0
115
7.5
0.43
27
60
1.5
170
12
1.02
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
SUM27N20-78
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
60
V
GS
= 10到7 V
50
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
6V
50
60
Vishay Siliconix公司
传输特性
40
40
30
30
20
5V
20
T
C
= 125_C
25_C
-55
_C
10
3 V, 4 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
80
T
C
= -55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
导通电阻与漏电流
g
fs
- 跨导（S ）
60
25_C
0.12
125_C
40
0.08
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
20
0.04
0
0
10
20
30
40
50
60
0.00
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
3000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2500
C
国际空间站
- 电容（pF ）
2000
16
V
DS
= 100 V
I
D
= 20 A
12
1500
8
1000
C
RSS
C
OSS
0
0
40
80
120
160
200
500
4
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72108
S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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SUM27N20-78
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
3.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
260
漏源击穿对比
结温
100
V
（ BR ） DSS
(V)
I
DAV
(a)
240
I
D
= 1.0毫安
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
10
220
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
200
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
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SUM27N20-78
新产品
热额定值
Vishay Siliconix公司
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
30
100
安全工作区
10
ms
25
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
限于由R
DS （ ON）
20
10
100
ms
15
1毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
10毫秒
100毫秒，直流
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
1000
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
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S- 03005 -REV 。 A， 27 -JAN- 03
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