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SUM18N25-165
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道250 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
250
r
DS （ ON）
(W)
0.165 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
18
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
新的低热阻封装
应用
D
汽车如：
柴油机燃油喷射
高边开关
电机驱动
D
TO-263
G
G
S
S
顶视图
订购信息： SUM18N25-165 - E3 （无铅）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
250
"20
18
10.4
20
5
1.25
150
b
3.75
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 72849
S- 40467 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.0
单位
° C / W
1
SUM18N25-165
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
w
15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A，T
J
= 175_C
V
DS
= 15 V，I
D
= 18 A
36
20
0.130
0.165
0.347
0.462
S
W
250
2.5
4
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 125 V ，R
L
= 7.0
W
I
D
^
18 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 125 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 18 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1950
160
70
30
10
10
1.6
15
130
30
100
25
195
45
150
ns
W
45
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 18 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 18 A，V
GS
= 0 V
1.0
115
10
0.58
18
20
1.5
175
15
1.3
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72849
S- 40467 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUM18N25-165
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10通6 V
5V
I D
漏电流（ A）
20
Vishay Siliconix公司
传输特性
16
I D
漏电流（ A）
16
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
0
4
4V
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
60
T
C
=
55_C
50
克FS
跨导（S ）
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
25_C
125_C
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.32
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
0
导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
4
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
2800
I
D
漏电流（ A）
20
V
DS
= 125 V
I
D
= 17 A
电容
栅极电荷
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
电容（pF）
2100
16
C
国际空间站
12
1400
8
700
C
RSS
C
OSS
0
0
40
80
120
160
200
V
DS
漏极至源极电压（ V）
4
0
0
8
16
24
32
40
48
56
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72849
S- 40467 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
SUM18N25-165
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.8
2.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
50
V
GS
= 10 V
I
D
= 18 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
100
雪崩电流与时间
325
漏源击穿对比
结温
10
I
DAV
(a)
310
I
D
= 10毫安
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
1
V
（ BR ） DSS
(V)
295
280
0.1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
in
（秒）
265
250
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 72849
S- 40467 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUM18N25-165
新产品
热额定值
最大漏极电流与外壳温度
安全工作区
Vishay Siliconix公司
20
100
16
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
10
限于由R
DS （ ON）
10
ms
100
ms
12
8
1
T
C
= 25_C
单脉冲
1毫秒
10毫秒
100毫秒，直流
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
外壳温度（ ° C）
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
文档编号： 72849
S- 40467 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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5
SUM18N25-165
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道250 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
250
r
DS （ ON）
(W)
0.165 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
18
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
新的低热阻封装
应用
D
汽车如：
柴油机燃油喷射
高边开关
电机驱动
D
TO-263
G
G
S
S
顶视图
订购信息： SUM18N25-165 - E3 （无铅）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
250
"20
18
10.4
20
5
1.25
150
b
3.75
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 72849
S- 40467 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.0
单位
° C / W
1
SUM18N25-165
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
w
15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A，T
J
= 175_C
V
DS
= 15 V，I
D
= 18 A
36
20
0.130
0.165
0.347
0.462
S
W
250
2.5
4
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 125 V ，R
L
= 7.0
W
I
D
^
18 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 125 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 18 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1950
160
70
30
10
10
1.6
15
130
30
100
25
195
45
150
ns
W
45
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 18 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 18 A，V
GS
= 0 V
1.0
115
10
0.58
18
20
1.5
175
15
1.3
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72849
S- 40467 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUM18N25-165
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10通6 V
5V
I D
漏电流（ A）
20
Vishay Siliconix公司
传输特性
16
I D
漏电流（ A）
16
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
0
4
4V
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
60
T
C
=
55_C
50
克FS
跨导（S ）
40
30
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0
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16
20
25_C
125_C
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.32
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
0
导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
4
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
2800
I
D
漏电流（ A）
20
V
DS
= 125 V
I
D
= 17 A
电容
栅极电荷
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
电容（pF）
2100
16
C
国际空间站
12
1400
8
700
C
RSS
C
OSS
0
0
40
80
120
160
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V
DS
漏极至源极电压（ V）
4
0
0
8
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32
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48
56
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72849
S- 40467 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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3
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Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.8
2.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
50
V
GS
= 10 V
I
D
= 18 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
100
雪崩电流与时间
325
漏源击穿对比
结温
10
I
DAV
(a)
310
I
D
= 10毫安
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
1
V
（ BR ） DSS
(V)
295
280
0.1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
in
（秒）
265
250
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 72849
S- 40467 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUM18N25-165
新产品
热额定值
最大漏极电流与外壳温度
安全工作区
Vishay Siliconix公司
20
100
16
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
10
限于由R
DS （ ON）
10
ms
100
ms
12
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1
T
C
= 25_C
单脉冲
1毫秒
10毫秒
100毫秒，直流
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
外壳温度（ ° C）
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
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