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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第659页 > SUM110P06-08L-E3
SUM110P06-08L
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道60 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
特点
I
D
(A)
d
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新包装低热阻
D
100% R
g
经过测试
r
DS （ ON）
(W)
0.008 @ V
GS
=
10
V
0.0105 @ V
GS
=
4.5
V
110
110
应用
D
汽车这样的作为
高边开关
电机驱动
12 -V Boardnet
S
TO-263
G
G
S
顶视图
D
订购信息： SUM110P06-08L
SUM110P06-08L -E3 （铅（Pb ） - 免费）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
d
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
b
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
"20
110
75
200
65
211
272
c
3.75
b
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境PCB安装
b
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
。通过封装的限制。
文档编号： 73045
S- 41506 -REV 。 A， 09 - 8 - 04
www.vishay.com
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.55
单位
° C / W
1
SUM110P06-08L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
30
A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
10
V，I
D
=
30
A，T
J
= 125_C
V
GS
=
10
V，I
D
=
30
A，T
J
= 175_C
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
20
A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
=
15
V，I
D
=
50
A
20
0.0085
120
0.0065
0.008
0.0129
0.016
0.0105
S
W
60
1
3
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=
30
V ，R
L
= 0.27
W
30
I
D
]
110
A，V
根
=
10
V ，R
g
= 2.5
W
F = 1.0 MHz的
1.5
V
DS
=
30
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
110
A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
=
25
V，F = 1兆赫
9200
975
760
160
40
36
3
20
190
140
300
4.5
30
285
210
450
ns
W
240
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
=
50
A， di / dt的= 100 A / MS
,
m
I
F
=
50
A，V
GS
= 0 V
1.0
60
3
0.09
110
200
1.5
90
4.5
0.2
A
V
ns
A
mC
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 73045
S- 41506 -REV 。 A， 09 - 8 - 04
SUM110P06-08L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10直通5 V
160
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
160
200
Vishay Siliconix公司
传输特性
120
4V
80
120
80
40
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
40
T
C
= 125_C
25_C
55_C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
=
55_C
g
fs
跨导（S ）
160
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
25_C
125_C
120
0.016
0.020
导通电阻与漏电流
0.012
V
GS
= 4.5 V
0.008
V
GS
= 10 V
80
40
0.004
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
D
漏电流（ A）
15000
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
20
V
DS
= 30 V
I
D
= 110 A
电容
栅极电荷
12000
C
电容（pF）
C
国际空间站
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
16
9000
12
6000
8
3000
C
RSS
0
10
C
OSS
4
0
0
20
30
40
50
60
0
40
80
120
160
200
240
280
320
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 73045
S- 41506 -REV 。 A， 09 - 8 - 04
www.vishay.com
3
SUM110P06-08L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.0
导通电阻与结温
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.7
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.1
0.8
0.5
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1000
雪崩电流与时间
漏源击穿对比
结温
76
I
D
= 250
mA
72
100
V
（ BR ） DSS
(V)
I
DAV
(a)
68
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
64
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
60
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
in
（秒）
56
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 73045
S- 41506 -REV 。 A， 09 - 8 - 04
SUM110P06-08L
新产品
热额定值
Vishay Siliconix公司
最大漏极电流与外壳温度
200
1000
安全工作区
限于由R
DS （ ON）
150
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
100
10
ms
100
ms
100
有限
按封装
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒，直流
T
C
= 25_C
单脉冲
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
外壳温度（ ° C）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
文档编号： 73045
S- 41506 -REV 。 A， 09 - 8 - 04
www.vishay.com
5
SUM110P06-08L
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道60 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
特点
I
D
(A)
d
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新包装低热阻
D
100% R
g
经过测试
r
DS （ ON）
(W)
0.008 @ V
GS
=
10
V
0.0105 @ V
GS
=
4.5
V
110
110
应用
D
汽车这样的作为
高边开关
电机驱动
12 -V Boardnet
S
TO-263
G
G
S
顶视图
D
订购信息： SUM110P06-08L
SUM110P06-08L -E3 （铅（Pb ） - 免费）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
d
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
b
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
"20
110
75
200
65
211
272
c
3.75
b
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境PCB安装
b
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
。通过封装的限制。
文档编号： 73045
S- 41506 -REV 。 A， 09 - 8 - 04
www.vishay.com
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.55
单位
° C / W
1
SUM110P06-08L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
30
A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
10
V，I
D
=
30
A，T
J
= 125_C
V
GS
=
10
V，I
D
=
30
A，T
J
= 175_C
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
20
A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
=
15
V，I
D
=
50
A
20
0.0085
120
0.0065
0.008
0.0129
0.016
0.0105
S
W
60
1
3
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=
30
V ，R
L
= 0.27
W
30
I
D
]
110
A，V
根
=
10
V ，R
g
= 2.5
W
F = 1.0 MHz的
1.5
V
DS
=
30
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
110
A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
=
25
V，F = 1兆赫
9200
975
760
160
40
36
3
20
190
140
300
4.5
30
285
210
450
ns
W
240
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
=
50
A， di / dt的= 100 A / MS
,
m
I
F
=
50
A，V
GS
= 0 V
1.0
60
3
0.09
110
200
1.5
90
4.5
0.2
A
V
ns
A
mC
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 73045
S- 41506 -REV 。 A， 09 - 8 - 04
SUM110P06-08L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10直通5 V
160
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
160
200
Vishay Siliconix公司
传输特性
120
4V
80
120
80
40
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
40
T
C
= 125_C
25_C
55_C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
=
55_C
g
fs
跨导（S ）
160
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
25_C
125_C
120
0.016
0.020
导通电阻与漏电流
0.012
V
GS
= 4.5 V
0.008
V
GS
= 10 V
80
40
0.004
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
D
漏电流（ A）
15000
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
20
V
DS
= 30 V
I
D
= 110 A
电容
栅极电荷
12000
C
电容（pF）
C
国际空间站
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
16
9000
12
6000
8
3000
C
RSS
0
10
C
OSS
4
0
0
20
30
40
50
60
0
40
80
120
160
200
240
280
320
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 73045
S- 41506 -REV 。 A， 09 - 8 - 04
www.vishay.com
3
SUM110P06-08L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.0
导通电阻与结温
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.7
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.1
0.8
0.5
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1000
雪崩电流与时间
漏源击穿对比
结温
76
I
D
= 250
mA
72
100
V
（ BR ） DSS
(V)
I
DAV
(a)
68
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
64
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
60
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
in
（秒）
56
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
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4
文档编号： 73045
S- 41506 -REV 。 A， 09 - 8 - 04
SUM110P06-08L
新产品
热额定值
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最大漏极电流与外壳温度
200
1000
安全工作区
限于由R
DS （ ON）
150
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
100
10
ms
100
ms
100
有限
按封装
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒，直流
T
C
= 25_C
单脉冲
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
外壳温度（ ° C）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
文档编号： 73045
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