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SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
75
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
110
0.010 @ V
GS
= 10 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻封装
应用
D
汽车
- Boardnet 42 - VEP和ABS
- 电机驱动器
D
HIGH CURRENT
D
DC / DC转换器
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM110N08-10
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
_
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
75
"20
110
63
a
350
75
280
200
b
3.7
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.75
单位
° C / W
_
文档编号： 71838
S- 21863 -REV 。 B， 21 - OCT- 02
www.vishay.com
1
SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0055
0.010
0.0185
0.0245
S
W
75
V
2.5
4.0
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 35 V ，R
L
= 0.4
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 35 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5250
700
310
90
24
27
20
100
45
75
30
150
70
115
ns
165
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 110 A，V
GS
= 0 V
1.0
75
3.5
0.13
110
350
1.5
120
7
0.30
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71838
S- 21863 -REV 。 B， 21 - OCT- 02
SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10通6 V
200
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
160
200
传输特性
150
120
100
5V
50
80
T
C
= 125_C
40
25_C
-55
_C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
= -55_C
25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
160
g
fs
- 跨导（S ）
0.008
0.010
导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
0.006
120
125_C
80
0.004
40
0.002
0
0
15
30
45
60
75
90
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
8000
7000
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
15
30
45
60
75
C
国际空间站
16
20
栅极电荷
V
DS
= 35 V
I
D
= 85 A
- 电容（pF ）
12
8
C
RSS
C
OSS
4
0
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71838
S- 21863 -REV 。 B， 21 - OCT- 02
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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3
SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
100
漏源击穿对比
结温
94
100
V
（ BR ） DSS
(V)
I
DAV
(a)
88
I
D
= 250
mA
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
82
1
76
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 71838
S- 21863 -REV 。 B， 21 - OCT- 02
SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
120
1000
安全工作区
100
100
I
D
- 漏电流（ A）
80
I
D
- 漏电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
100, 10
ms
1毫秒
60
10
10毫秒
100毫秒
dc
40
1
20
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71838
S- 21863 -REV 。 B， 21 - OCT- 02
www.vishay.com
5
SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
75
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
110
0.010 @ V
GS
= 10 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻封装
应用
D
汽车
Boardnet 42 - VEP和ABS
电机驱动
D
HIGH CURRENT
D
DC / DC转换器
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订购信息： SUM110N08-10
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
75
"20
110
63
a
350
75
280
200
b
3.7
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.75
单位
° C / W
文档编号： 71838
S- 32413 -REV 。 C， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
1
SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0055
0.010
0.0185
0.0245
S
W
75
2.5
4.0
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 35 V ，R
L
= 0.4
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 35 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5250
700
310
90
24
27
20
100
45
75
30
150
70
115
ns
165
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 110 A，V
GS
= 0 V
1.0
75
3.5
0.13
110
350
1.5
120
7
0.30
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71838
S- 32413 -REV 。 C， 24 - NOV- 03
SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10通6 V
200
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
160
200
传输特性
150
120
100
5V
80
T
C
= 125_C
40
25_C
55_C
50
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
=
55_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
160
g
fs
跨导（S ）
25_C
0.008
0.010
导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
120
125_C
0.006
80
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0
0
15
30
45
60
75
90
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
8000
7000
电容
20
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DS
= 35 V
I
D
= 85 A
栅极电荷
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
电容（pF）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
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C
RSS
C
国际空间站
16
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C
OSS
4
0
45
60
75
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
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文档编号： 71838
S- 32413 -REV 。 C， 24 - NOV- 03
3
SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
1.5
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1000
雪崩电流与时间
100
漏源击穿对比
结温
100
V
（ BR ） DSS
(V)
I
DAV
(a)
94
I
D
= 250
mA
88
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
82
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
in
（秒）
70
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
76
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 71838
S- 32413 -REV 。 C， 24 - NOV- 03
SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
120
100
100
I
D
漏电流（ A）
80
60
40
20
0
0
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125
150
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T
C
环境温度（ ℃）
0.1
0.1
1
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100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
I
D
漏电流（ A）
100
ms
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
1000
安全工作区
有限
由R
DS （ ON）
10
ms
1
T
C
= 25_C
单脉冲
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71838
S- 32413 -REV 。 C， 24 - NOV- 03
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SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
75
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
110
0.010 @ V
GS
= 10 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻封装
应用
D
汽车
Boardnet 42 - VEP和ABS
电机驱动
D
HIGH CURRENT
D
DC / DC转换器
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订购信息： SUM110N08-10
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
75
"20
110
63
a
350
75
280
200
b
3.7
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.75
单位
° C / W
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S- 32413 -REV 。 C， 24 - NOV- 03
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SUM110N08-10
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0055
0.010
0.0185
0.0245
S
W
75
2.5
4.0
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 35 V ，R
L
= 0.4
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 35 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5250
700
310
90
24
27
20
100
45
75
30
150
70
115
ns
165
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 110 A，V
GS
= 0 V
1.0
75
3.5
0.13
110
350
1.5
120
7
0.30
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10通6 V
200
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
160
200
传输特性
150
120
100
5V
80
T
C
= 125_C
40
25_C
55_C
50
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
=
55_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
160
g
fs
跨导（S ）
25_C
0.008
0.010
导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
120
125_C
0.006
80
0.004
40
0.002
0
0
15
30
45
60
75
90
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
8000
7000
电容
20
V
DS
= 35 V
I
D
= 85 A
栅极电荷
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
电容（pF）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
15
30
C
RSS
C
国际空间站
16
12
8
C
OSS
4
0
45
60
75
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
1.5
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1000
雪崩电流与时间
100
漏源击穿对比
结温
100
V
（ BR ） DSS
(V)
I
DAV
(a)
94
I
D
= 250
mA
88
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
82
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
in
（秒）
70
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
76
T
J
结温（ ° C）
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热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
120
100
100
I
D
漏电流（ A）
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
环境温度（ ℃）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
I
D
漏电流（ A）
100
ms
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
1000
安全工作区
有限
由R
DS （ ON）
10
ms
1
T
C
= 25_C
单脉冲
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
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联系人：李先生，夏小姐
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