SUM110N08-07P
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
75
R
DS （ ON）
(Ω)
0.007在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
110
d
Q
g
（典型值）。
69
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
应用
同步整流
RoHS指令
柔顺
TO-263
D
G
G
S
S
订货信息：
SUM110N08-07P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
顶部
意见
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
75
± 20
110
d
103
180
50
125
208.3
b
3.75
- 55 150
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
c
结至外壳（漏）
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。包装有限。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.6
单位
° C / W
文档编号： 68637
S- 81049 -REV 。 A， 12 08年5月
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1
SUM110N08-07P
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
c
符号
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
测试条件
V
DS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
DS
≥
10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
分钟。
75
2.5
典型值。
马克斯。
单位
4.5
± 250
1
50
250
V
nA
A
A
70
0.0057
0.0092
43
4250
0.007
0.0112
Ω
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 30 V ， F = 1兆赫
580
230
69
105
pF
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.6
Ω
I
D
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
23
21
1.2
17
5
22
6
2.4
30
10
40
15
nC
Ω
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
b
110
180
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A， di / dt的= 100 A / μs的
0.83
65
2.5
85
1.5
100
5
150
A
V
ns
A
nC
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 68637
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
180
V
GS
= 10至9
V
150
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
=
8 V
180
150
I
D
- 漏电流（ A）
120
120
90
V
GS
= 7
V
60
90
60
T
C
= 125 °C
30
V
GS
= 6
V
0
0
1
2
3
4
5
30
T
C
= 25 °C
T
C
= - 55 °C
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
1.5
100
传输特性
T
C
= - 55 °C
g
fs
- 跨导（S ）
1.2
I
D
- 漏电流（ A）
80
0.9
60
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0.6
T
C
= 25 °C
0.3
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0.0
0
2
4
6
8
10
40
20
0
0
14
28
42
56
70
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
0.008
0.05
跨
I
D
= 20 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.007
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
0.03
0.006
V
GS
= 10
V
0.02
T
J
= 150 °C
0.01
T
J
= 25 °C
0.005
0.004
0
20
40
60
80
100
120
0.00
5
6
7
8
9
10
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
导通电阻与漏电流
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导通电阻与栅极至源极电压
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
6000
10
I
D
= 50 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
4500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
8
V
DS
= 30
V
V
DS
= 60
V
6
V
DS
= 15
V
3000
4
1500
C
OSS
C
RSS
0
15
30
45
60
75
2
0
0
0
20
40
60
80
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
电容
2.0
I
D
= 20 A
1.7
R
DS （ ON）
- 导通电阻
V
GS
= 10
V
（归一化）
1.4
I
S
- 源电流（ A）
10
100
栅极电荷
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
1
1.1
0.1
T
J
= - 55 °C
0.8
0.01
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
0.7
92
源极 - 漏极二极管正向电压
0.2
V
BR （ DSS ）
（归一化）
88
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
方差
(V)
- 0.3
I
D
= 1毫安
- 0.8
I
D
= 250
A
- 1.3
84
80
- 1.8
- 2.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
76
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 结温（ ° C）
阈值电压
导通电阻与结温
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
1000
有限
by
R
DS （ ON）
*
100
I
D
- 漏电流（ A）
10
s
100
s
1毫秒
10
10毫秒
100毫秒，直流
1
I
DAV
(A)
150 °C
10
25 °C
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
AV
(s)
0.1
1.0
0.01
0.1
1
10
100
单脉冲雪崩电流能力与时间
150
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结至外壳
120
I
D
- 漏电流（ A）
90
包装有限公司
60
30
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
结到外壳的热阻，并且是在解决更加有用
上功耗限制的情况下额外的散热使用。
它被用来确定电流额定值，当低于该等级下降
包装限制。
电流降额* ，结至外壳
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?68637 。
文档编号： 68637
S- 81049 -REV 。 A， 12 08年5月
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