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SPICE器件模型SUM110N08-07L
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ） ， 175℃ MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于
模型，同时避免收敛的栅极电荷特性
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数值
进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据
并且不旨在作为对一个确切的物理解释
装置。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 70308
09-Jun-04
www.vishay.com
1
SPICE器件模型SUM110N08-07L
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向电压
a
V
SD
I
F
= 110 A，V
GS
= 0 V
2.1
865
0.0056
0.0089
0.011
0.0076
0.93
0.0075
1
V
0.0055
V
A
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
上升时间
c
c
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 110 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.47
I
D
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
4700
678
330
82
20
20
19
12
18
16
31
4420
700
310
81
20
20
15
20
40
15
55
ns
nC
pF
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源漏反向恢复时间
笔记
a.
脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
b.
通过设计保证，不受生产测试。
c.
独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 70308
09-Jun-04
SPICE器件模型SUM110N08-07L
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 70308
09-Jun-04
www.vishay.com
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SPICE器件模型SUM110N08-07L
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ） ， 175℃ MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于
模型，同时避免收敛的栅极电荷特性
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数值
进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据
并且不旨在作为对一个确切的物理解释
装置。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 70308
09-Jun-04
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1
SPICE器件模型SUM110N08-07L
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向电压
a
V
SD
I
F
= 110 A，V
GS
= 0 V
2.1
865
0.0056
0.0089
0.011
0.0076
0.93
0.0075
1
V
0.0055
V
A
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
上升时间
c
c
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
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t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
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I
F
= 110 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.47
I
D
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
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DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
4700
678
330
82
20
20
19
12
18
16
31
4420
700
310
81
20
20
15
20
40
15
55
ns
nC
pF
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源漏反向恢复时间
笔记
a.
脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
b.
通过设计保证，不受生产测试。
c.
独立的工作温度。
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文档编号： 70308
09-Jun-04
SPICE器件模型SUM110N08-07L
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 70308
09-Jun-04
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