SPICE器件模型SUM110N06-3m4L
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于
模型，同时避免收敛的栅极电荷特性
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数值
进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据
并且不旨在作为对一个确切的物理解释
装置。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 73060
02-Jul-04
www.vishay.com
1
SPICE器件模型SUM110N06-3m4L
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于
模型，同时避免收敛的栅极电荷特性
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数值
进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据
并且不旨在作为对一个确切的物理解释
装置。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 73060
02-Jul-04
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SUM110N06-3m4L
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0034在V
GS
= 10 V
0.0041在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
110
a
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
RoHS指令
柔顺
D
TO-263
G
G
S
S
顶视图
订货信息：
SUM110N06-3m4L -E3 （铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流，单脉冲
雪崩能量，单脉冲
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
110
a
110
a
440
75
280
375
b
3.75
- 55 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
注意事项：
一。包装有限。
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
典型
40
0.4
单位
° C / W
文档编号： 73036
S- 80272 -REV 。 B， 11 -FEB -08
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SUM110N06-3m4L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
导通状态漏极
当前
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175 °C
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
上升
时间
c
时间
c
c
c
符号
测试条件
分钟。
60
1
典型值。
马克斯。
单位
3
± 100
1
50
10
V
nA
A
mA
A
120
0.0028
0.0033
0.0034
0.0041
0.0055
0.007
30
12900
Ω
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1060
700
200
300
pF
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.4
Ω
I
D
110 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
Ω
0.65
50
33
1.3
22
130
110
280
2
35
200
165
420
110
440
1.0
55
3.6
0.1
1.5
82
5.4
0.22
nC
Ω
导通延迟时间
c
关断延时
下降时间
c
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
b
I
S
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电荷
反向恢复电荷
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 110 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 110 A，V
GS
= 0 V
A
V
ns
A
C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 73036
S- 80272 -REV 。 B， 11 -FEB -08
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
250
V
GS
= 10直通5
V
4
V
200
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
200
250
150
150
100
100
T
C
= 125 °C
50
25 °C
- 55 °C
50
3
V
2
V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏 - 所以，
u
RCE
V
oltage （
V
)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
480
T
C
= - 55 °C
400
g
fs
- 跨导（S ）
25 °C
320
125 °C
240
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.005
0.006
传输特性
0.004
V
GS
= 4.5
V
0.003
V
GS
= 10
V
0.002
160
80
0.001
0
0
20
40
60
80
100
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
18000
20
导通电阻与漏电流
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
15000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
16
V
GS
= 30
V
I
D
= 110 A
12000
12
9000
8
6000
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
3000
4
0
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
栅极电荷
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Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.3
V
GS
= 10
V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
100
2.0
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.7
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 25 °C
1.4
1.1
0.8
0.5
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
1000
74
72
100
I
DAV
(A)
I
AV
（ A）在t
A
= 25 °C
V
（ BR ） DSS
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
I
D
= 10毫安
70
68
66
64
62
10
1
I
AV
（ A）在t
A
= 150 °C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
t
in
(s)
0.01
0.1
1
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
雪崩电流与时间
漏源击穿对比
结温
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S- 80272 -REV 。 B， 11 -FEB -08
SUM110N06-3m4L
Vishay Siliconix公司
热额定值
300
1000
10
s
250
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
200
100
s
10
有限
by
r
DS （ ON） *
150
100
包装有限公司
50
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
T
C
= 25 °C
单脉冲
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度（ ° C）
*
V
GS
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
最低
V
GS
at
哪
r
DS （ ON）
为特定网络版
最大漏极电流
与外壳温度
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
安全工作区
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73036 。
文档编号： 73036
S- 80272 -REV 。 B， 11 -FEB -08
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