SUM110N06-06
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
r
DS （ ON）
(W)
0.006
I
D
(A)
110
a
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
应用
D
汽车应用，如：
- ABS
- 每股收益
- 电机驱动器
D
产业
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM110N06-06
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
d
P
D
T
J
, T
英镑
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
符号
V
GS
极限
"20
110
a
78
300
70
245
230
c
3.75
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
www.vishay.com
印刷电路板安装
d
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.65
单位
° C / W
_
1
SUM110N06-06
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 48 V
,
V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0048
0.006
0.0105
0.013
S
W
60
V
2.0
3.0
4.0
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.47
W
I
D
^
75 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V
,
V
GS
= 10 V，I
D
= 75 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
6000
720
370
90
30
25
20
90
40
10
30
140
60
20
ns
135
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 75 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
1.0
75
3
0.113
110
A
300
1.5
125
5
0.313
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试：脉冲宽度
v
300
毫秒，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
SUM110N06-06
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
6V
200
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10到7 V
I
D
- 漏电流（ A）
200
250
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
150
100
5V
50
3, 4 V
0
0
2
4
6
8
10
100
T
C
= 125_C
50
25_C
-55
_C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
150
T
C
= -55_C
120
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.008
0.010
导通电阻与漏电流
90
125_C
0.006
V
GS
= 10 V
60
0.004
30
0.002
0
0
15
30
45
60
75
90
0.000
0
20
40
60
80
100
120
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
8000
7000
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6000
5000
4000
3000
2000
C
OSS
1000
0
C
RSS
0
10
20
30
40
50
60
C
国际空间站
16
20
栅极电荷
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
- 电容（pF ）
12
8
4
0
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
www.vishay.com
3
SUM110N06-06
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
80
漏源击穿对比
结温
76
100
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
10
V
（ BR ） DSS
(V)
72
I
D
= 10毫安
68
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
64
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
SUM110N06-06
新产品
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
120
1000
10
ms
100
I
D
- 漏电流（ A）
80
I
D
- 漏电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
1毫秒
10毫秒
DC ， 100毫秒
1
20
T
C
= 25_C
单脉冲
100
ms
Vishay Siliconix公司
安全工作区，结至外壳
100
60
40
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
www.vishay.com
5
SUM110N06-06
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
r
DS （ ON）
(W)
0.006
I
D
(A)
110
a
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
应用
D
汽车应用，如：
- ABS
- 每股收益
- 电机驱动器
D
产业
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM110N06-06
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
d
P
D
T
J
, T
英镑
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
符号
V
GS
极限
"20
110
a
78
300
70
245
230
c
3.75
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
www.vishay.com
印刷电路板安装
d
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.65
单位
° C / W
_
1
SUM110N06-06
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 48 V
,
V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0048
0.006
0.0105
0.013
S
W
60
V
2.0
3.0
4.0
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.47
W
I
D
^
75 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V
,
V
GS
= 10 V，I
D
= 75 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
6000
720
370
90
30
25
20
90
40
10
30
140
60
20
ns
135
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 75 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
1.0
75
3
0.113
110
A
300
1.5
125
5
0.313
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试：脉冲宽度
v
300
毫秒，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
SUM110N06-06
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
6V
200
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10到7 V
I
D
- 漏电流（ A）
200
250
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
150
100
5V
50
3, 4 V
0
0
2
4
6
8
10
100
T
C
= 125_C
50
25_C
-55
_C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
150
T
C
= -55_C
120
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.008
0.010
导通电阻与漏电流
90
125_C
0.006
V
GS
= 10 V
60
0.004
30
0.002
0
0
15
30
45
60
75
90
0.000
0
20
40
60
80
100
120
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
8000
7000
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6000
5000
4000
3000
2000
C
OSS
1000
0
C
RSS
0
10
20
30
40
50
60
C
国际空间站
16
20
栅极电荷
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
- 电容（pF ）
12
8
4
0
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
www.vishay.com
3
SUM110N06-06
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
80
漏源击穿对比
结温
76
100
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
10
V
（ BR ） DSS
(V)
72
I
D
= 10毫安
68
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
64
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
SUM110N06-06
新产品
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
120
1000
10
ms
100
I
D
- 漏电流（ A）
80
I
D
- 漏电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
1毫秒
10毫秒
DC ， 100毫秒
1
20
T
C
= 25_C
单脉冲
100
ms
Vishay Siliconix公司
安全工作区，结至外壳
100
60
40
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72082
S- 22246 -REV 。 A， 25 -NOV- 02
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
