新产品
SUM110N04-2m1P
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
40
R
DS （ ON）
(Ω)
0.0021在V
GS
= 10 V
0.0024在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
A，C
110
110
Q
g
（典型值）。
240 NC
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
同步整流
电源
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUM110N04-2m1P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
雪崩电流脉冲
单脉冲雪崩能量
连续源极 - 漏极二极管电流
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
40
± 20
110
A，C
110
c
29
b
23
b
250
80
320
110
A，C
2.6
b
312
a
200
3.13
b
2.0
b
- 55 150
°C
W
V
A
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
b
最大结到外壳
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
32
0.33
最大
40
0.4
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。基于最大结温计算。套餐限制电流为110 A.
文档编号： 69983
S- 80680 -REV 。 A， 31 -MAR- 08
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1
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SUM110N04-2m1P
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 20 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 20 A
0.8
50
70
30
20
T
C
= 25 °C
110
200
1.2
75
105
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 20 V ，R
L
= 1.0
Ω
I
D
20 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= 20 V ，R
L
= 1.0
Ω
I
D
20 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
18800
1550
850
240
40
22
0.85
20
11
77
10
102
62
180
60
1.3
30
17
115
15
155
95
270
90
ns
Ω
360
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
120
0.0017
0.002
180
0.0021
0.0024
1.2
40
41
-8
2.5
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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SUM110N04-2m1P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
250
V
GS
= 10直通5
V
200
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
4
5
150
V
GS
= 4
V
100
V
GS
= 3
V
50
3
T
C
= 125 °C
2
T
C
= 25 °C
1
T
C
= - 55 °C
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
400
T
C
= - 55 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
320
g
fs
- 跨导（S ）
0.0032
0.0040
传输特性
240
T
C
= 25 °C
160
T
C
= 125 °C
0.0024
V
GS
= 4.5
V
0.0016
V
GS
= 10
V
80
0.0008
0
0
15
30
45
60
75
90
0.0000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
24000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
10
导通电阻与漏电流
I
D
= 20 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
V
DS
= 20
V
6
V
DS
= 10
V
4
V
DS
= 30
V
16000
8000
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
2
0
0
0
50
100
150
200
250
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
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栅极电荷
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SUM110N04-2m1P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.0
I
D
= 30 A
1.7
R
DS （ ON）
- 导通电阻
I
S
- 源电流（ A）
V
GS
= 10
V
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5
V
1.1
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
100
0.1
0.8
0.01
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
0.010
0.6
正向二极管电压与温度的关系
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.008
0.2
0.006
V
GS （ TH）
方差
(V)
- 0.2
I
D
= 5毫安
0.004
T
J
= 150 °C
- 0.6
0.002
T
J
= 25 °C
0.000
0
2
4
6
8
10
- 1.0
- 50
- 25
0
25
50
I
D
= 250
A
75
100
125
150
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与栅极至源极电压
1000
有限
by
R
DS （ ON）
*
100
I
D
- 漏电流（ A）
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒，直流
阈值电压
10
1
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 69983
S- 80680 -REV 。 A， 31 -MAR- 08
新产品
SUM110N04-2m1P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
350
400
350
280
300
I
D
- 漏电流（ A）
210
功率（W）的
100
125
150
250
200
150
100
70
50
0
0
25
50
75
0
0
25
50
75
100
125
150
140
包装有限公司
T
J
- 结到外壳（ ° C）
T
J
- 结到外壳（ ° C）
电流降额*
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?69983 。
文档编号： 69983
S- 80680 -REV 。 A， 31 -MAR- 08
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