SPICE器件模型SUM110N04-05H
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至10 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 73146
S- 60676Rev 。 B， 01月， 06
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1
SUM110N04-05H
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0053在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
110
Q
g
（典型值）。
95
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
高阈值电压高温
RoHS指令
柔顺
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUM110N04-05H -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
a
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
I
D
I
DM
I
AR
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
20
110
70
300
50
125
150
b
3.75
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
°C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1
单位
° C / W
文档编号： 73131
S- 80274 -REV 。 B， 11 -FEB -08
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SUM110N04-05H
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
b
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
测试条件
V
DS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175 °C
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
分钟。
40
3.4
典型值。
马克斯。
单位
3.8
5.0
± 100
1
50
250
V
nA
A
A
120
0.0044
0.0053
0.008
0.0106
20
50
Ω
S
6700
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
600
320
95
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 20 V ，R
L
= 0.4
Ω
I
D
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
Ω
37
21
1.7
20
95
50
12
30
145
75
20
100
300
I
F
= 30 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 30 A ， di / dt的= 100 A / μs的
0.90
40
1.50
60
ns
Ω
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
A
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 73131
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
250
V
GS
= 10通
8 V
200
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
7
V
150
200
250
150
100
6
V
50
5
V
0
0
2
4
6
8
10
100
T
C
= 125 °C
50
25 °C
- 55 °C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
- 漏 - 所以，
u
RCE
V
oltage （
V
)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
160
T
C
= - 55 °C
140
g
fs
- 跨导（S ）
120
125 °C
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
0.000
0
25 °C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.008
0.010
传输特性
0.006
V
GS
= 10
V
0.004
0.002
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
8400
C
国际空间站
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
16
6300
- 电容（pF ）
20
导通电阻与漏电流
V
DS
= 20
V
I
D
= 50 A
12
4200
8
2100
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
4
0
0
40
80
120
160
200
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
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栅极电荷
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.0
V
GS
= 10
V
I
D
= 30 A
1.7
I
S
- 源电流（ A）
r
DS （ ON）
- 导通电阻
100
（归一化）
1.4
T
J
= 150 °C
10
1.1
T
J
= 25 °C
0.8
0.5
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
54
100
I
AV
（ A）在t
J
= 25 °C
10
V
（ BR ） DSS
(V)
51
I
D
= 1毫安
I
DAV
(A)
48
1
I
AV
（ A）在t
J
= 150 °C
45
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
in
(s)
0.1
1
42
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
雪崩电流与时间
漏源击穿对比
结温
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SUM110N04-05H
Vishay Siliconix公司
热额定值
125
1000
10
s
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
100
100
s
有限
by
r
DS （ ON）
*
1毫秒
10毫秒， 100毫秒，直流
10
75
1
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
50
25
0.01
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0.1
*
V
GS
1
10
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
最低
V
GS
at
哪
r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73131 。
文档编号： 73131
S- 80274 -REV 。 B， 11 -FEB -08
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