SUM110N04-03
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （D -S ） 200_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
r
DS （ ON）
(W)
0.0028 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
110
a
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
200_C结温
D
新包装低热阻
应用
D
汽车
- ABS
- 12 -V EPS
- 电机驱动器
D
TO-263
G
G
S
S
顶视图
订购信息： SUM110N04-03-
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
"20
110
a
110
a
440
70
211
437.5
c
3.75
- 55 200
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71745
S- 31061 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
印刷电路板安装
d
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.4
单位
° C / W
1
SUM110N04-03
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 200_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 200_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0023
0.0028
0.0045
0.0056
S
W
40
V
2.5
4
100
1
50
10
nA
mA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.27
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
8250
1380
850
165
45
65
25
170
55
110
40
255
85
165
ns
250
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 A， di / dt的= 100 A / MS
,
m
I
F
= 85 A，V
GS
= 0 V
1.1
60
3.0
0.09
110
240
1.5
90
5
0.22
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71745
S- 31061 -REV 。 C， 26日， 03
SUM110N04-03
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10到7 V
200
I
D
- 漏电流（ A）
6V
I
D
- 漏电流（ A）
200
250
传输特性
150
150
100
100
T
C
= 125_C
50
25_C
- 55_C
0
50
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
300
T
C
= - 55_C
g
fs
- 跨导（S ）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
250
25_C
0.005
0.006
导通电阻与漏电流
200
0.004
150
125_C
0.003
V
GS
= 10 V
100
0.002
50
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
12000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
8000
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 85 A
12
6000
8
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
0
8
16
24
32
40
4
0
0
50
100
150
200
250
300
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71745
S- 31061 -REV 。 C， 26日， 03
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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3
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.1
1.8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
- 50 - 25
1
0
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
56
漏源击穿对比
结温
100
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
10
V
（ BR ） DSS
(V)
52
I
D
= 10毫安
48
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
1
44
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
40
- 50 - 25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 71745
S- 31061 -REV 。 C， 26日， 03
SUM110N04-03
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
120
1000
10
ms
100
I
D
- 漏电流（ A）
80
I
D
- 漏电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
安全工作区
100
60
40
1
20
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
文档编号： 71745
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Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （D -S ） 200_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
r
DS （ ON）
(W)
0.0028 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
110
a
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
200_C结温
D
新包装低热阻
应用
D
汽车
- ABS
- 12 -V EPS
- 电机驱动器
D
TO-263
G
G
S
S
顶视图
订购信息： SUM110N04-03-
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
"20
110
a
110
a
440
70
211
437.5
c
3.75
- 55 200
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71745
S- 31061 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
印刷电路板安装
d
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.4
单位
° C / W
1
SUM110N04-03
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 200_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 200_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0023
0.0028
0.0045
0.0056
S
W
40
V
2.5
4
100
1
50
10
nA
mA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.27
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
8250
1380
850
165
45
65
25
170
55
110
40
255
85
165
ns
250
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 A， di / dt的= 100 A / MS
,
m
I
F
= 85 A，V
GS
= 0 V
1.1
60
3.0
0.09
110
240
1.5
90
5
0.22
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71745
S- 31061 -REV 。 C， 26日， 03
SUM110N04-03
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10到7 V
200
I
D
- 漏电流（ A）
6V
I
D
- 漏电流（ A）
200
250
传输特性
150
150
100
100
T
C
= 125_C
50
25_C
- 55_C
0
50
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
300
T
C
= - 55_C
g
fs
- 跨导（S ）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
250
25_C
0.005
0.006
导通电阻与漏电流
200
0.004
150
125_C
0.003
V
GS
= 10 V
100
0.002
50
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
12000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
8000
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 85 A
12
6000
8
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
0
8
16
24
32
40
4
0
0
50
100
150
200
250
300
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71745
S- 31061 -REV 。 C， 26日， 03
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.1
1.8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
- 50 - 25
1
0
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
56
漏源击穿对比
结温
100
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
10
V
（ BR ） DSS
(V)
52
I
D
= 10毫安
48
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
1
44
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
40
- 50 - 25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
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Vishay Siliconix公司
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
120
1000
10
ms
100
I
D
- 漏电流（ A）
80
I
D
- 漏电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
安全工作区
100
60
40
1
20
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
文档编号： 71745
S- 31061 -REV 。 C， 26日， 03
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