【SPICE器件模型SUM110N03-04PVishay Siliconix公司N通道30 -V （】,IC型号SUM110N03-04P,SUM110N03-04P PDF资料,SUM110N03-04P经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPICE器件模型SUM110N03-04P

Vishay Siliconix公司

N通道30 -V （ D- S） 175℃ MOSFET

特征

N沟道垂直DMOS

宏模型（子电路模型）

3级MOS

同时申请线性和开关应用

在精确的

至125°C温度范围

模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复

特征

描述

所附的SPICE模型描述了典型的电

的n沟道垂直DMOS特性。子电路

模型中提取并优化过

至125℃

脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该

饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合

阈值电压。

一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于

模型，同时避免收敛的栅极电荷特性

交换的C困难

模型。所有的模型参数值

进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据

并且不旨在作为对一个确切的物理解释

装置。

子电路模型示意图

本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的

相同数量的保证规范限制的数据表。

文档编号： 72423

09-Jun-04

www.vishay.com

SPICE器件模型SUM110N03-04P

Vishay Siliconix公司

规格（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

通态漏电流

GS （ TH）

D（上）

符号

测试条件

模拟

数据

1.8

1375

0.0033

0.0049

0.0058

0.0052

0.92

测

数据

单位

= V

, I

= 250

= 5 V, V

= 10 V

= 10 V，I

= 20 A

0.0033

漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10 V，I

= 20 A，T

= 125°C

= 10 V，I

= 20 A，T

= 175°C

= 4.5 V，I

= 20 A

0.0052

1.2

正向跨导

正向电压

= 15 V，I

= 20 A

= 100 A，V

= 0 V

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

国际空间站

OSS

RSS

5194

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

780

292

= 15 V, V

= 4.5 V，I

= 50 A

= 15 V ，R

= 0.30

50 A，V

根

= 10 V ，R

= 2.5

5100

860

430

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

。独立的工作温度。

www.vishay.com

文档编号： 72423

09-Jun-04

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与实测数据模型的比较（T

= 25 ° C除非另有说明）

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日前，Vishay

放弃

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日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人

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或在任何其他公开内容有关的任何产品。

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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修

其中，适用于这些产品。

没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本

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本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非

另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用

应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏

从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件

产品专为此类应用。

产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。

文档编号： 91000

修订： 18 -JUL- 08

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模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复

特征

描述

所附的SPICE模型描述了典型的电

的n沟道垂直DMOS特性。子电路

模型中提取并优化过

至125℃

脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该

饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合

阈值电压。

一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于

模型，同时避免收敛的栅极电荷特性

交换的C困难

模型。所有的模型参数值

进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据

并且不旨在作为对一个确切的物理解释

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参数

STATIC

栅极阈值电压

通态漏电流

GS （ TH）

D（上）

符号

测试条件

模拟

数据

1.8

1375

0.0033

0.0049

0.0058

0.0052

0.92

测

数据

单位

= V

, I

= 250

= 5 V, V

= 10 V

= 10 V，I

= 20 A

0.0033

漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10 V，I

= 20 A，T

= 125°C

= 10 V，I

= 20 A，T

= 175°C

= 4.5 V，I

= 20 A

0.0052

1.2

正向跨导

正向电压

= 15 V，I

= 20 A

= 100 A，V

= 0 V

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

国际空间站

OSS

RSS

5194

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

780

292

= 15 V, V

= 4.5 V，I

= 50 A

= 15 V ，R

= 0.30

50 A，V

根

= 10 V ，R

= 2.5

5100

860

430

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

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