SUM110N03-03
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
a
D
D
D
D
D
0.0025 @ V
GS
= 10 V
110
a
TrenchFETr功率MOSFET
175_C结温
低热阻封装
高阈值电压
应用
D
汽车12 -V Boardnet
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
S
S
订购信息： SUM110N03-03
N沟道MOSFET
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
d
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
110
a
110
a
350
70
245
242
c
3.75
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
d
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.62
单位
° C / W
文档编号： 72260
S- 31257 -REV 。 A， 16军03
www.vishay.com
1
SUM110N03-03
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
15
120
0.002
0.0025
0.0037
0.0044
S
W
30
V
2.5
4.5
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
b
栅极 - 源电荷
b
栅极 - 漏极电荷
b
导通延迟时间
b
上升时间
b
打开-O FF延迟时间
b
下降时间
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.18
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
12500
1650
970
170
57
30
20
125
70
25
35
190
105
40
ns
250
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
0.9
70
3
0.1
110
350
1.5
140
4.5
0.31
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。独立的工作温度。
。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72260
S- 31257 -REV 。 A， 16军03
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新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
a
D
D
D
D
D
0.0025 @ V
GS
= 10 V
110
a
TrenchFETr功率MOSFET
175_C结温
低热阻封装
高阈值电压
应用
D
汽车12 -V Boardnet
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
S
S
订购信息： SUM110N03-03
N沟道MOSFET
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
d
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
110
a
110
a
350
70
245
242
c
3.75
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
d
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.62
单位
° C / W
文档编号： 72260
S- 31257 -REV 。 A， 16军03
www.vishay.com
1
SUM110N03-03
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
15
120
0.002
0.0025
0.0037
0.0044
S
W
30
V
2.5
4.5
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
b
栅极 - 源电荷
b
栅极 - 漏极电荷
b
导通延迟时间
b
上升时间
b
打开-O FF延迟时间
b
下降时间
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.18
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
12500
1650
970
170
57
30
20
125
70
25
35
190
105
40
ns
250
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
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0.9
70
3
0.1
110
350
1.5
140
4.5
0.31
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。独立的工作温度。
。通过设计保证，不受生产测试。
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S- 31257 -REV 。 A， 16军03
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Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
a
D
D
D
D
D
0.0025 @ V
GS
= 10 V
110
a
TrenchFETr功率MOSFET
175_C结温
低热阻封装
高阈值电压
应用
D
汽车12 -V Boardnet
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
S
S
订购信息： SUM110N03-03
N沟道MOSFET
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
d
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
110
a
110
a
350
70
245
242
c
3.75
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
d
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.62
单位
° C / W
文档编号： 72260
S- 31257 -REV 。 A， 16军03
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1
SUM110N03-03
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
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J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
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J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
15
120
0.002
0.0025
0.0037
0.0044
S
W
30
V
2.5
4.5
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
b
栅极 - 源电荷
b
栅极 - 漏极电荷
b
导通延迟时间
b
上升时间
b
打开-O FF延迟时间
b
下降时间
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
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W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
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= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
12500
1650
970
170
57
30
20
125
70
25
35
190
105
40
ns
250
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
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V
SD
t
rr
I
RM
Q
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I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
m
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
0.9
70
3
0.1
110
350
1.5
140
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0.31
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。独立的工作温度。
。通过设计保证，不受生产测试。
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