新产品
SUD50P10-43L
Vishay Siliconix公司
P沟道100 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 100
r
DS （ ON）
(Ω)
0.043在V
GS
= - 10 V
0.048在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 37
- 35
a
特点
Q
g
（典型值）
54 NC
TrenchFET
功率MOSFET
RoHS指令
柔顺
TO-252
S
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUD50P10-43L-E3
（铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
b
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
极限
- 100
± 20
- 37.1
a
- 31
a
- 9.2
B，C
- 7.7
B，C
- 40
- 50
a
- 6.9
B，C
- 35
61
136
95
8.3
B，C
5.8
B，C
- 55 175
单位
V
I
D
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
A
mJ
P
D
W
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
结到环境
a
结至外壳（漏）
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大为40 ° C / W 。
文档编号： 73444
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
t
≤
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
40
0.85
最大
18
50
1.1
单位
° C / W
www.vishay.com
1
新产品
SUD50P10-43L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 7.7 ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 7.7 A
- 0.8
60
150
46
14
T
C
= 25 °C
- 50
- 40
- 1.2
90
225
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 50 V ，R
L
= 6.5
Ω
I
D
- 7.7 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= - 50 V ，R
L
= 6.5
Ω
I
D
- 7.7 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= - 50 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 9.2 A
V
DS
= - 50 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 9.2 A
V
DS
= - 50 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
4600
230
175
106
54
14
26
4
15
20
110
100
42
160
100
100
25
30
165
150
65
240
150
150
ns
ns
Ω
160
81
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 9.2 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 7.7 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 9.2 A
- 40
0.036
0.040
38
0.043
0.048
-1
- 100
- 109
5.9
-3
± 100
-1
- 10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 73444
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
新产品
SUD50P10-43L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
40
35
I
D
- 漏电流（ A）
30
25
20
15
10
5
2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3V
4
25 °C
- 55 °C
3.0
3.5
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10直通4 V
16
20
12
8
T
A
= 125 °C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.044
7000
6000
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.042
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.040
5000
4000
3000
2000
C
OSS
1000
0.034
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
10
传输特性
C
国际空间站
0.038
V
GS
= 10 V
0.036
C
RSS
20
30
40
50
60
70
80
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 9.2 A
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
V
DS
= 50 V
6
V
DS
= 80 V
4
2.3
I
D
= 9.2 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2.0
1.7
V
GS
= 10 V, 4.5 V
1.4
1.1
2
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
文档编号： 73444
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
导通电阻与结温
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3
新产品
SUD50P10-43L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
40
r
DS （ ON）
- 漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.08
0.07
T
A
= 125 °C
0.06
I
S
-
来源
电流（A ）
T
J
= 150 °C
10
0.05
0.04
T
A
= 25 °C
T
J
= 25 °C
0.03
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
0.02
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
2.4
2.2
2.0
V
GS （ TH）
(V)
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
- 50
10
5
0
0.01
I
D
= 250 A
功率（W）的
35
30
25
20
15
导通电阻与栅极至源极电压
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
时间（秒）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
*仅限为r
DS （ ON）
10
单脉冲功率，结到环境
100 s
1毫秒
I
D
- 漏电流（ A）
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
10 s
dc
0.01
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.001
0.1
*V
GS
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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4
文档编号： 73444
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
新产品
SUD50P10-43L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
140
120
40
100
I
D
- 漏电流（ A）
30
动力
80
60
40
10
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
20
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
100
单脉冲功率，结到环境
I
C
- 峰值雪崩电流（ A）
10
T
A
1
0.000001
L
BV
I
A
V
DD
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
A
- 时间在雪崩（秒）
单脉冲雪崩能力
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 73444
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
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5
SUD50P10-43L
P沟道
100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 100
R
DS （ ON）
(Ω)
0.043在V
GS
= - 10 V
0.048在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 37
- 35
a
特点
Q
g
（典型值）。
54 NC
TrenchFET
功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
RoHS指令
柔顺
TO-252
S
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUD50P10-43L -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
b
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
极限
- 100
± 20
- 37.1
a
- 31
a
- 9.2
B，C
- 7.7
B，C
- 40
- 50
a
- 6.9
B，C
- 35
61
136
95
8.3
B，C
5.8
B，C
- 55 175
单位
V
I
D
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
A
mJ
P
D
W
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
结到环境
a
结至外壳（漏）
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大为40 ° C / W 。
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
40
0.85
最大
18
50
1.1
单位
° C / W
1/9
www.freescale.net.cn
SUD50P10-43L
P沟道
100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 7.7 ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 7.7 A
- 0.8
60
150
46
14
T
C
= 25 °C
- 50
- 40
- 1.2
90
225
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 50 V ，R
L
= 6.5
Ω
I
D
- 7.7 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= - 50 V ，R
L
= 6.5
Ω
I
D
- 7.7 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= - 50 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 9.2 A
V
DS
= - 50 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 9.2 A
V
DS
= - 50 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
4600
230
175
106
54
14
26
4
15
20
110
100
42
160
100
100
25
30
165
150
65
240
150
150
ns
ns
Ω
160
81
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 9.2 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 7.7 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 9.2 A
- 40
0.036
0.040
38
0.043
0.048
-1
- 100
- 109
5.9
-3
± 100
-1
- 10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2/9
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SUD50P10-43L
P沟道
100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
140
120
40
I
D
- 漏电流（ A）
100
30
动力
80
60
40
10
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
20
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
100
单脉冲功率，结到环境
I
C
- 峰值雪崩电流（ A）
10
T
A
1
0.000001
L
I
A
BV -
V
DD
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
A
- 时间在雪崩（多个）
单脉冲雪崩能力
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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