SUD50P10-43
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道100 - V（D -S） 175
_C
MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–100
特点
D
TrenchFETr功率MOSFET
I
D
(A)
a
Q
g
（典型值）
105 NC
–38
r
DS （ ON）
(W)
0.043在V
GS
= –10 V
RoHS指令
柔顺
TO-252
S
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订购信息： SUD50P10-43 - E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25
_C
连续漏电流（T
J
= 175
_C)
T
C
= 70
_C
T
A
= 25
_C
T
A
= 70
_C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
源漏
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25
_C
最大功率耗散
T
C
= 70
_C
T
A
= 25
_C
T
A
= 70
_C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
T
C
= 25
_C
T
A
= 25
_C
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
–100
"20
–38
a
–31.8
a
–9.4
B，C
–7.8
B，C
–50
–50
a
–6.9
B，C
–40
80
136
95
8.3
B，C
5.8
B，C
-50至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结至外壳（漏）
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面装在1 “×1”的FR4基板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大值为40
° C / W 。
文档编号： 73445
S- 60311 -REV 。 B， 27 -FEB -06
www.vishay.com
t
p
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
0.85
最大
18
1.1
单位
° C / W
1
SUD50P10-43
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
V
DS
DV
DS
/T
J
DV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
mA
I
D
= –250
mA
250
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55
_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –9.4 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –9.4 A
–35
0.036
30
0.043
–2
–100
–105
7
–3
–4
"100
–1
–10
毫伏/°C的
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -50 V ，R
L
= 6.4
W
50
I
D
^
-7.8 A，V
根
= -10 V ，R
g
= 1
W
F = 1 MHz的
V
DS
= –50 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –9.4 A
V
DS
= –50 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
5230
230
165
105
21
29
4.1
30
115
80
60
50
175
120
90
ns
W
160
nC
pF
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= -7.8 A， di / dt的= 100 A / MS ，T
J
= 25
_C
7.8
C
I
S
= –7.8 A
–0.8
60
180
48
12
ns
T
C
= 25
_C
–50
–50
–1.2
90
270
A
V
ns
nC
www.vishay.com
2
文档编号： 73445
S- 60311 -REV 。 B， 27 -FEB -06
SUD50P10-43
新产品
典型特征（ 25
_C
除非另有说明）
输出特性
35
30
I
D
- 漏极电流（ A）
25
20
15
10
4V
5
0
0.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
5
4
V
GS
= 10通6 V
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
16
20
Vishay Siliconix公司
传输特性
12
8
T
A
= 125
_C
25
_C
–55
_C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.038
导通电阻与漏电流
7000
V
GS
= 10 V
6000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ W）
C
国际空间站
- 电容（pF ）
0.037
5000
4000
3000
2000
C
OSS
1000
0.035
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
20
40
60
80
100
C
RSS
0.036
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 9.4 A
8
V
DS
= 50 V
6
V
DS
= 80 V
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
2.3
导通电阻与结温
I
D
= 9.4 A
2.0
1.7
V
GS
= 10 V, 6 V
1.4
1.1
2
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
0.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 73445
S- 60311 -REV 。 B， 27 -FEB -06
T
J
=结温（ ° C）
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3
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Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25
_C
除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
r
DS （ ON）
- 漏极 - 源极导通电阻（ W）
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
0.07
T
A
= 125
_C
0.06
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
_C
10
0.05
T
A
= 25
_C
0.04
T
J
= 25
_C
0.03
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.02
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
3.4
35
30
I
D
= 250
mA
2.8
功率（W）的
V
GS （ TH）
(V)
20
15
10
1.9
5
0
0.01
25
单脉冲功率，结到环境
3.1
2.5
2.2
1.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
时间（秒）
10
100
1000
T
J
- 温度（ _C ）
安全工作区，结到环境
100
*仅限为r
DS （ ON）
10
I
D
- 漏极电流（ A）
100
ms
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
10 s
dc
T
A
= 25
_C
单脉冲
0.01
0.001
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
文档编号： 73445
S- 60311 -REV 。 B， 27 -FEB -06
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4
SUD50P10-43
新产品
典型特征（ 25
_C
除非另有说明）
电流降额*
50
140
120
40
100
I
D
- 漏极电流（ A）
30
动力
80
60
40
10
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
Vishay Siliconix公司
功率降额
20
T
C
- 外壳温度（ ℃）
T
C
- 外壳温度（ ℃）
单脉冲雪崩能力
100
I
C
- 峰值雪崩电流（ A）
10
T
A
+
1
0.000001
L
@
I
A
BV
*
V
DD
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
A
- 时间在雪崩（秒）
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175
_C,
使用结到外壳的热阻，并在沉降的上功耗限制，是更有用
情况下，额外的散热装置被使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
文档编号： 73445
S- 60311 -REV 。 B， 27 -FEB -06
www.vishay.com
5
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