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SUD50P06-15L
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道60 - V（D -S）， 175_C的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 60
特点
I
D
(A)
- 50
d
- 50
r
DS （ ON）
(W)
0.015 @ V
GS
= - 10 V
0.020 @ V
GS
= - 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
应用
D
Automtoive 12 -V Boardnet
S
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
D
订购信息： SUD50P06-15L
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 60
"20
- 50
d
- 39
- 80
- 50
125
136
c
3
B，C
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
结到环境
b
J
TI T A双向吨
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
。包装有限。
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
www.vishay.com
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
15
40
0.82
最大
18
50
1.1
单位
° C / W
C / W
1
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 17 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 125_C
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 175_C
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 14 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 17 A
61
- 50
0.012
0.015
0.025
0.030
0.020
S
W
-
60
-1
-3
"100
-1
- 50
- 150
A
m
mA
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 30 V ，R
L
= 0.6
W
I
D
]
- 50 A，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 30 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= - 25 V ， F = 1兆赫
4950
480
405
110
19
28
15
70
175
175
23
105
260
260
ns
165
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= - 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= - 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.0
45
- 50
A
- 80
1.6
70
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
SUD50P06-15L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
80
70
60
I D - 漏电流（ A）
50
3V
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
I D - 漏电流（ A）
V
GS
= 10直通4 V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
T
C
= 125_C
25_C
- 55_C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Vishay Siliconix公司
传输特性
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
100
T
C
= - 55_C
80
克FS - 跨导（S ）
25_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
125_C
0.020
0.025
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
0.015
V
GS
= 10 V
0.010
60
40
20
0.005
0
0
10
20
30
40
50
60
0.000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
8000
7000
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
C
RSS
10
20
30
40
50
60
C
OSS
10
栅极电荷
V
DS
= 30 V
I
D
= 50 A
- 电容（pF ）
C
国际空间站
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
www.vishay.com
3
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
1.8
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 17 A
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
60
100.00
r
DS （ ON）
有限
50
P（吨） = 0.0001
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
40
I
D（上）
有限
10.00
安全工作区
I
DM
有限
30
20
P（吨） = 0.001
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1.0
10.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
100.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ° C）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
1.00
0.1
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
www.vishay.com
4
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
SUD50P06-15L
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道60 - V（D -S）， 175_C的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 60
特点
I
D
(A)
- 50
d
- 50
r
DS （ ON）
(W)
0.015 @ V
GS
= - 10 V
0.020 @ V
GS
= - 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
应用
D
Automtoive 12 -V Boardnet
S
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
D
订购信息： SUD50P06-15L
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 60
"20
- 50
d
- 39
- 80
- 50
125
136
c
3
B，C
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
结到环境
b
J
TI T A双向吨
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
。包装有限。
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
www.vishay.com
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
15
40
0.82
最大
18
50
1.1
单位
° C / W
C / W
1
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 17 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 125_C
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 175_C
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 14 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 17 A
61
- 50
0.012
0.015
0.025
0.030
0.020
S
W
-
60
-1
-3
"100
-1
- 50
- 150
A
m
mA
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 30 V ，R
L
= 0.6
W
I
D
]
- 50 A，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 30 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= - 25 V ， F = 1兆赫
4950
480
405
110
19
28
15
70
175
175
23
105
260
260
ns
165
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= - 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= - 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.0
45
- 50
A
- 80
1.6
70
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
SUD50P06-15L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
80
70
60
I D - 漏电流（ A）
50
3V
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
I D - 漏电流（ A）
V
GS
= 10直通4 V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
T
C
= 125_C
25_C
- 55_C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Vishay Siliconix公司
传输特性
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
100
T
C
= - 55_C
80
克FS - 跨导（S ）
25_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
125_C
0.020
0.025
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
0.015
V
GS
= 10 V
0.010
60
40
20
0.005
0
0
10
20
30
40
50
60
0.000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
8000
7000
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
C
RSS
10
20
30
40
50
60
C
OSS
10
栅极电荷
V
DS
= 30 V
I
D
= 50 A
- 电容（pF ）
C
国际空间站
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
www.vishay.com
3
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
1.8
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 17 A
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
60
100.00
r
DS （ ON）
有限
50
P（吨） = 0.0001
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
40
I
D（上）
有限
10.00
安全工作区
I
DM
有限
30
20
P（吨） = 0.001
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1.0
10.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
100.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ° C）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
1.00
0.1
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
www.vishay.com
4
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
SUD50P06-15L
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道60 - V（D -S）， 175_C的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 60
特点
I
D
(A)
- 50
d
- 50
r
DS （ ON）
(W)
0.015 @ V
GS
= - 10 V
0.020 @ V
GS
= - 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
应用
D
Automtoive 12 -V Boardnet
S
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
D
订购信息： SUD50P06-15L
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 60
"20
- 50
d
- 39
- 80
- 50
125
136
c
3
B，C
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
结到环境
b
J
TI T A双向吨
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
。包装有限。
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
www.vishay.com
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
15
40
0.82
最大
18
50
1.1
单位
° C / W
C / W
1
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 17 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 125_C
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 175_C
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 14 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 17 A
61
- 50
0.012
0.015
0.025
0.030
0.020
S
W
-
60
-1
-3
"100
-1
- 50
- 150
A
m
mA
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 30 V ，R
L
= 0.6
W
I
D
]
- 50 A，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 30 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= - 25 V ， F = 1兆赫
4950
480
405
110
19
28
15
70
175
175
23
105
260
260
ns
165
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= - 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= - 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.0
45
- 50
A
- 80
1.6
70
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
SUD50P06-15L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
80
70
60
I D - 漏电流（ A）
50
3V
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
I D - 漏电流（ A）
V
GS
= 10直通4 V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
T
C
= 125_C
25_C
- 55_C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Vishay Siliconix公司
传输特性
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
100
T
C
= - 55_C
80
克FS - 跨导（S ）
25_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
125_C
0.020
0.025
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
0.015
V
GS
= 10 V
0.010
60
40
20
0.005
0
0
10
20
30
40
50
60
0.000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
8000
7000
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
C
RSS
10
20
30
40
50
60
C
OSS
10
栅极电荷
V
DS
= 30 V
I
D
= 50 A
- 电容（pF ）
C
国际空间站
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
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3
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
1.8
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 17 A
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
60
100.00
r
DS （ ON）
有限
50
P（吨） = 0.0001
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
40
I
D（上）
有限
10.00
安全工作区
I
DM
有限
30
20
P（吨） = 0.001
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1.0
10.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
100.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ° C）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
1.00
0.1
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
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4
文档编号： 72250
S- 31673 -REV 。 B 11 - 8 - 03
SUD50P06-15L
P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 60
R
DS （ ON）
()
0.015在V
GS
= - 10 V
0.020在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 50
d
- 50
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
符合RoHS指令2002/95 / EC
RoHS指令
柔顺
S
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUD50P06-15L -E3 （铅 - 铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
功耗
工作结存储温度范围
a
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
I
D
I
DM
I
AR
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 60
± 20
- 50
d
- 39
- 80
- 50
125
136
c
3
B，C
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
°C
热电阻额定值
参数
结到环境
b
结到外壳
注意事项：
一。占空比
1 %.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
。包装有限。
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
40
0.82
最大
18
50
1.1
° C / W
单位
1/5
www.freescale.net.cn
SUD50P06-15L
P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
= -5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 17 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 175 °C
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 14 A
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
c
符号
测试条件
分钟。
- 60
-1
典型值。
马克斯。
单位
-3
± 100
-1
- 50
- 150
V
nA
A
A
- 50
0.012
0.015
0.025
0.030
0.020
61
4950
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 17 A
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= - 25 V ， F = 1兆赫
480
405
110
165
pF
V
DS
= - 30 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A
19
28
15
23
105
260
260
- 50
- 80
nC
导通延迟时间
c
V
DD
= - 30 V ，R
L
= 0.6
I
D
- 50 A，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
70
175
175
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 °C)
b
A
V
ns
I
F
= - 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= - 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
1.0
45
1.6
70
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2/5
www.freescale.net.cn
SUD50P06-15L
P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
80
70
60
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
3V
V
GS
= 10 V直通4 V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
T
C
= 125 ° C
25 ° C
- 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
100
T
C
= - 55 °C
80
克FS - 跨导（S ）
25 °C
125 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.020
0.025
传输特性
V
GS
= 4.5 V
0.015
V
GS
= 10 V
0.010
60
40
20
0.005
0
0
10
20
30
40
50
60
0.000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
8000
7000
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
6000
- 电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
C
OSS
C
国际空间站
10
导通电阻与漏电流
V
DS
= 30 V
I
D
= 50 A
6
4
2
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
栅极电荷
3/5
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SUD50P06-15L
P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
2.0
1.8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.6
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
T
J
- 结温（ ° C）
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 17 A
I
S
- 源电流（ A）
100
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 25 °C
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
100
限于由R
DS （ ON） *
热额定值
60
I
DM
有限
50
P（吨） = 0.0001
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
40
I
D（上）
有限
10
30
20
P（吨） = 0.001
T
C
= 25 °C
单脉冲
P（吨）= 0.01
BVDSS有限公司
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
100
10
1
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ° C）
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
安全工作区
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
4/5
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SUD50P06-15L
P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
放弃
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继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内，六吉文否认（ i）任何及所有
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引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，可见干草赔偿
材料分类政策
自由泳Intertechnology，Inc.是在此CERTI的外商投资企业，其所有产品均ID entified为符合RoHS标准符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（ EEE ） - 重铸，除非指定为不符合otherwis即
请注意，有些自由泳文件可能仍然参照RoHS指令2002 /95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
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