新产品
SUD50P04-13L
Vishay Siliconix公司
P通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 40
r
DS （ ON）
(Ω)
0.013在V
GS
= - 10 V
0.022在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 60
a
- 48
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
RoHS指令
柔顺
S
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUD50P04-13L -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
雪崩电流
雪崩能量，
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
b
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 40
± 20
- 60
c
- 43
- 100
- 60
c
- 40
80
93.7
b
3
a
- 55 175
单位
V
mJ
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
t
≤
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
40
1.3
最大
18
50
1.8
单位
° C / W
最大结至外壳（漏）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。看到SOA曲线电压降额。
B 。计算基于最大允许结温。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 73009
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
www.vishay.com
1
新产品
SUD50P04-13L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
a
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
=
- 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 30 A
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 30 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 20 A
民
- 40
- 1.0
典型值
最大
单位
- 3.0
± 100
-1
- 50
V
nA
A
A
- 50
0.0105
0.017
15
0.013
0.020
0.022
漏源导通电阻
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
Ω
S
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 30 A
3120
V
DS
= - 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
F = 1 MHz的
V
DS
= - 20 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A
440
320
4.3
63
13
16
15
V
DD
= - 20 V ，R
L
= 0.4
Ω
I
D
- 50 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 2.5
Ω
18
60
47
25
30
90
70
- 100
I
F
= - 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= - 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
- 1.0
36
- 1.5
55
V
ns
ns
95
nC
Ω
pF
漏源体二极管特性
脉冲电流
正向电压
a
源漏反向恢复时间
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 73009
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
新产品
SUD50P04-13L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
V
GS
= 10直通5
V
80
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
80
100
60
4
V
40
60
40
T
C
= 125 °C
20
25 °C
- 55 °C
0
0.0
20
2
V
0
0
2
4
6
8
10
3
V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
80
T
C
= - 55 °C
70
g
fs
- 跨导（S ）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
60
50
25 °C
40
125 °C
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
0.00
0
20
0.05
传输特性
0.03
V
GS
= 4.5
V
0.02
V
GS
= 10
V
0.01
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
- 漏电流（ A）
跨
5000
4500
4000
- 电容（pF ）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
8
16
24
32
40
C
RSS
0
0
8
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
10
导通电阻与漏电流
V
DS
= 20
V
I
D
= 50 A
6
4
2
16
24
32
40
48
56
64
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
文档编号： 73009
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
栅极电荷
www.vishay.com
3
新产品
SUD50P04-13L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.8
V
GS
= 10
V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
10
100
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
200
有限
by
r
DS （ ON）
100
10
s
100
s
I
D
- 漏电流（ A）
热额定值
75
60
I
D
- 漏电流（ A）
45
不限按包
30
10
1毫秒
10毫秒
1
T
C
= 25 °C
单脉冲
100毫秒
DC
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度（ ° C）
最大雪崩漏电流
与外壳温度
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
安全工作区
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
100
1K
方
WAVE
脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
www.vishay.com
4
文档编号： 73009
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
SUD50P04-13L
Vishay Siliconix公司
热额定值
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方
WAVE
脉冲持续时间（秒）
1
10
1 00
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技可靠性数据
术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性
数据见
http://www.vishay.com/ppg?73009
文档编号： 73009
S- 71660 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
