SUD50P04-09L
Vishay Siliconix公司
P沟道40 V（D -S）， 175 ℃下的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 40
R
DS （ ON）
(Ω)
0.0094在V
GS
= - 10 V
0.0145在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
d
- 50
- 50
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
符合RoHS指令2002/95 / EC
S
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUD50P04-09L -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 40
± 20
- 50
d
- 50
d
- 100
- 50
125
136
c
单位
V
A
mJ
W
°C
3
B，C
- 55 175
热电阻额定值
参数
结到环境
b
结到外壳
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
。包装有限。
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
40
0.82
最大
18
50
1.1
° C / W
单位
文档编号： 72243
S10-0546 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
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1
SUD50P04-09L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 32 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
= - 32 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= - 32 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 24 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A，T
J
= 175 °C
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 18 A
正向跨导
动态
b
a
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
- 40
-1
-3
± 100
-1
- 50
- 150
- 50
0.0075
0.0094
0.014
0.017
0.0115
73
0.0145
V
nA
A
A
Ω
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 24 A
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
下降时间
c
c
4800
V
GS
= 0 V, V
DS
= - 25 V ， F = 1兆赫
700
550
102
V
DS
= - 20 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 50 A
18.5
27
10
V
DD
= - 20 V ，R
L
= 0.4
Ω
I
D
- 50 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 6
Ω
b
pF
150
nC
15
90
220
220
ns
60
145
140
源漏二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
- 50
- 100
I
F
= - 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= - 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
- 1.0
55
- 1.5
85
A
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 72243
S10-0546 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
V
GS
= 10 V直通5 V
80
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
4V
80
100
60
60
40
40
T
C
= 125 °C
20
- 55 °C
20
3V
0
0
1
2
3
4
2V
5
25 °C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
120
T
C
= - 55 °C
100
g
fs
- 跨导（S ）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
25 °C
125 °C
80
0.016
0.020
传输特性
0.012
V
GS
= 4.5 V
60
0.008
V
GS
= 10 V
40
20
0.004
0
0
20
40
60
80
100
0.000
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
8000
7000
6000
- 电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
C
OSS
C
国际空间站
10
导通电阻与漏电流
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 20 V
I
D
= 50 A
6
4
2
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
栅极电荷
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文档编号： 72243
S10-0546 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 50 A
I
S
- 源电流（ A）
100
1.6
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
（归一化）
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
10
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.0
T
J
- 结温（ ° C）
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.5
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
热额定值
60
50
限于由R
DS （ ON）
*
I
D
- 漏电流（ A）
40
I
DM
有限
I
D
- 漏电流（ A）
100
P（吨） = 0.0001
30
20
I
D（上）
有限
10
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
1
10
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
100
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ° C）
1
0.1
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?72243.
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文档编号： 72243
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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