SUD50N03-11
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.011 @ V
GS
= 10 V
0.017 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
50
43
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N03-11
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
b
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
50
37
单位
V
A
100
50
62.5
c
7.5
b
-55至175
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
b
结到外壳
结到铅
笔记
一。包装有限。
B 。表面装在1 “×1 ” FR4板，T
v
10秒。
。看到SOA曲线电压降额。
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
R
thJL
典型
17
50
2
4
最大
20
60
2.4
4.8
单位
° C / W
° C / W
1
SUD50N03-11
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= 5 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
10
0.014
50
0.009
0.011
0.018
0.017
S
W
30
V
0.8
"100
1
50
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0 3
W
V,
0.3
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 50 A
V
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
1130
400
175
12
4
4.5
8
10
18
6
12
15
ns
30
9
20
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
连续电流
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
30
50
A
80
1.5
50
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
SUD50N03-11
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10通8 V
7V
160
I D - 漏电流（ A）
6V
5V
I D - 漏电流（ A）
80
25_C
60
125_C
T
C
= –55_C
100
Vishay Siliconix公司
传输特性
120
80
4V
40
40
3V
2V
20
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
60
T
C
= –55_C
50
克FS - 跨导（S ）
25_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
125_C
40
0.03
0.04
导通电阻与漏电流
30
0.02
V
GS
= 4.5 V
20
V
GS
= 10 V
0.01
10
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
2000
10
栅极电荷
1600
- 电容（pF ）
C
国际空间站
1200
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
6
800
C
OSS
400
C
RSS
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
SUD50N03-11
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
I S - 源电流（ A）
T
J
= 150_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 25_C
10
0.8
0.4
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
雪崩的最大漏电流与
外壳温度
60
500
有限
由R
DS （ ON）
50
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10
ms
100
ms
10
10毫秒
100毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
1s
dc
安全工作区
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ℃）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
1
10
30
4
SUD50N03-11
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.011 @ V
GS
= 10 V
0.017 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
50
43
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N03-11
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
b
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
50
37
单位
V
A
100
50
62.5
c
7.5
b
-55至175
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
b
结到外壳
结到铅
笔记
一。包装有限。
B 。表面装在1 “×1 ” FR4板，T
v
10秒。
。看到SOA曲线电压降额。
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
R
thJL
典型
17
50
2
4
最大
20
60
2.4
4.8
单位
° C / W
° C / W
1
SUD50N03-11
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= 5 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
10
0.014
50
0.009
0.011
0.018
0.017
S
W
30
V
0.8
"100
1
50
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0 3
W
V,
0.3
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 50 A
V
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
1130
400
175
12
4
4.5
8
10
18
6
12
15
ns
30
9
20
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
连续电流
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
30
50
A
80
1.5
50
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
SUD50N03-11
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10通8 V
7V
160
I D - 漏电流（ A）
6V
5V
I D - 漏电流（ A）
80
25_C
60
125_C
T
C
= –55_C
100
Vishay Siliconix公司
传输特性
120
80
4V
40
40
3V
2V
20
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
60
T
C
= –55_C
50
克FS - 跨导（S ）
25_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
125_C
40
0.03
0.04
导通电阻与漏电流
30
0.02
V
GS
= 4.5 V
20
V
GS
= 10 V
0.01
10
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
2000
10
栅极电荷
1600
- 电容（pF ）
C
国际空间站
1200
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
6
800
C
OSS
400
C
RSS
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
SUD50N03-11
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
I S - 源电流（ A）
T
J
= 150_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 25_C
10
0.8
0.4
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
雪崩的最大漏电流与
外壳温度
60
500
有限
由R
DS （ ON）
50
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10
ms
100
ms
10
10毫秒
100毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
1s
dc
安全工作区
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ℃）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
1
10
30
4
SUD50N03-11
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.011 @ V
GS
= 10 V
0.017 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
50
43
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N03-11
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
b
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
50
37
单位
V
A
100
50
62.5
c
7.5
b
-55至175
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
b
结到外壳
结到铅
笔记
一。包装有限。
B 。表面装在1 “×1 ” FR4板，T
v
10秒。
。看到SOA曲线电压降额。
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
R
thJL
典型
17
50
2
4
最大
20
60
2.4
4.8
单位
° C / W
° C / W
1
SUD50N03-11
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= 5 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
10
0.014
50
0.009
0.011
0.018
0.017
S
W
30
V
0.8
"100
1
50
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0 3
W
V,
0.3
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 50 A
V
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
1130
400
175
12
4
4.5
8
10
18
6
12
15
ns
30
9
20
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
连续电流
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
30
50
A
80
1.5
50
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
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S
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2
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
SUD50N03-11
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10通8 V
7V
160
I D - 漏电流（ A）
6V
5V
I D - 漏电流（ A）
80
25_C
60
125_C
T
C
= –55_C
100
Vishay Siliconix公司
传输特性
120
80
4V
40
40
3V
2V
20
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
60
T
C
= –55_C
50
克FS - 跨导（S ）
25_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
125_C
40
0.03
0.04
导通电阻与漏电流
30
0.02
V
GS
= 4.5 V
20
V
GS
= 10 V
0.01
10
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
2000
10
栅极电荷
1600
- 电容（pF ）
C
国际空间站
1200
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
6
800
C
OSS
400
C
RSS
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71187
S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
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3
SUD50N03-11
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
I S - 源电流（ A）
T
J
= 150_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 25_C
10
0.8
0.4
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
雪崩的最大漏电流与
外壳温度
60
500
有限
由R
DS （ ON）
50
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10
ms
100
ms
10
10毫秒
100毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
1s
dc
安全工作区
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ℃）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
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S
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S- 01329 -REV 。 B， 12军， 00
1
10
30
4
SUD50N03-11
N沟道
30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.011在V
GS
= 10 V
0.017在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
50
43
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C最高结温
100 % R
g
经过测试
RoHS指令
柔顺
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUD50N03-11 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
b
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
50
37
100
50
62.5
c
7.5
b
- 55 175
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
b
结到外壳
结到铅
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装在1" X 1" FR4板，T
≤
10 s.
。看到SOA曲线电压降额。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
R
thJL
典型
17
50
2
4
最大
20
60
2.4
4.8
° C / W
单位
1/7
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SUD50N03-11
N沟道
30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
b
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
分钟。
30
0.8
典型值。
a
马克斯。
单位
V
± 100
1
50
nA
A
A
0.009
0.014
0.011
0.018
0.017
S
1130
Ω
50
漏源导通电阻
正向跨导
b
动态
a
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
10
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升
时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
c
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
400
175
12
20
pF
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 50 A
0.5
4
4.5
3.4
8
12
15
30
9
50
80
10
18
6
nC
Ω
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
Ω
I
D
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
Ω
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
A
V
ns
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
30
1.5
50
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2/7
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SUD50N03-11
N沟道
30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
TO- 252AA案例大纲
E
b2
L2
A
C1
MILLIMETERS
DIM 。
A
A1
A2
b
分钟。
2.21
0.89
0.030
0.71
0.76
5.23
0.46
0.46
5.97
4.10
6.48
4.49
马克斯。
2.38
1.14
0.127
0.88
1.14
5.44
0.58
0.58
6.22
4.45
6.73
5.50
分钟。
0.087
0.035
0.001
0.028
0.030
0.206
0.018
0.018
0.235
0.161
0.255
0.177
英寸
马克斯。
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.214
0.023
0.023
0.245
0.175
0.265
0.217
D
H
b1
b2
C
L1
L3
C1
L
规平面高度（ 0.5mm）的
D
D1
E
b
e
e1
b1
C
A2
A1
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
2.28 BSC
4.57 BSC
9.65
1.40
0.64
0.89
1.15
10.41
1.78
1.02
1.27
1.52
0.090 BSC
0.180 BSC
0.380
0.055
0.025
0.035
0.040
0.410
0.070
0.040
0.050
0.060
D1
E1
ECN ： T11-0110 -REV 。 L， 18 -APR- 11
DWG ： 5347
记
尺寸L3仅供参考。
5/7
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QQ：2880707522 复制
