SUD50N03-10BP
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V（D -S）， 175_C ， MOSFET的PWM优化
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.010 @ V
GS
= 10 V
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
20
18
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N03-10BP
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
20
14
单位
V
A
100
20
71
b
8.3
a
-55至175
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
t
v
10秒
R
thJA
稳定状态
最大结到外壳
注意事项：
一。表面装在1 “×1” FR4板，T
v
10秒。
B 。看到SOA曲线电压降额。
文档编号： 71227
S- 01256 -REV 。 A， 19军00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
稳定状态
R
thJC
40
1.75
50
2.1
符号
典型
15
最大
18
单位
° C / W
1
SUD50N03-10BP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
20
0.011
50
0.0075
0.010
0.016
0.019
0.014
S
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
30
V
0.8
2
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
,
I
D
]
20 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 20 A
V
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
1500
530
240
15.5
5
6
10
8
25
9
2.3
18
15
ns
45
16
W
19
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 20 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
30
50
A
100
1.5
60
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 71227
S- 01256 -REV 。 A， 19军00
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