SUD50N03-06AP
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
A，E
90
77
r
DS （ ON）
(W)
0.0057 @ V
GS
= 10 V
0.0078 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
（典型值）
30
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
优化的低边同步
整流操作
D
100% R
g
经过测试
柔顺
RoHS指令
应用
D
DC / DC转换器
D
同步整流器
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订购信息： SUD50N03-06AP - E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25_C
连续漏电流（T
J
= 175_C)
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
源漏
雪崩电流脉冲
单脉冲雪崩能量
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
最大功率耗散
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
＆ QUOT ;
20
单位
V
90
A，E
75
A，E
30
B，C
25
B，C
100
55
A，E
6.7
B，C
45
101
83
58
10
B，C
7
B，C
-55至175
_C
W
mJ
A
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到外壳
t
p
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
12
1.5
最大
15
1.8
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25_C.
B 。表面装在1 “×1”的FR4基板。
。 T = 10秒
。在稳态条件下最大为50_C / W 。
。基于最大结温计算。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 73540
S- 52237 -REV 。 A， 24 - OCT- 05
www.vishay.com
1
SUD50N03-06AP
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
V
DS
DV
DS
/T
J
DV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
50
0.0046
0.0062
70
0.0057
0.0078
S
1.2
30
25
– 6.3
2.4
"100
1
10
毫伏/°C的
V
nA
A
mA
A
W
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.6
W
I
D
^
25 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
W
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.5
W
I
D
^
30 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
W
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
3800
615
305
62
30
11
9
0.9
12
10
30
8
26
230
25
9
1.4
18
15
45
12
40
345
40
14
ns
W
95
45
nC
pF
p
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 6一7的di / dt = 100 A / MS T处
J
= 25_C
6.7 A,
A / MS ，
I
S
= 6.7 A
0.9
65
38
50
15
ns
T
C
= 25_C
55
c
100
1.5
100
60
A
V
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。基于最大结温计算。套餐限制电流为50 A.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 73540
S- 52237 -REV 。 A， 24 - OCT- 05
SUD50N03-06AP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
100
20
Vishay Siliconix公司
传输特性
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
80
V
GS
= 10 V直通4 V
16
T
C
= –55_C
12
T
C
= 25_C
8
T
C
= 125_C
60
40
3V
20
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.015
5000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ W）
0.012
- 电容（pF ）
4000
C
国际空间站
0.009
V
GS
= 4.5 V
0.006
V
GS
= 10 V
3000
2000
0.003
1000
C
OSS
0.000
0
20
40
60
80
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
1.9
导通电阻与结温
I
D
= 20 A
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.7
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
1.5
V
GS
(V)
6
V
DS
= 15 V
1.3
4
V
DS
= 24 V
1.1
2
0.9
0
0
13
26
Q
g
（ NC ）
文档编号： 73540
S- 52237 -REV 。 A， 24 - OCT- 05
39
52
65
0.7
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
=结温
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
100.000
0.05
r
DS （ ON）
VS V
GS
与温度的关系
10.000
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1.000
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
导通电阻（ W）
0.04
0.03
0.100
0.02
125_C
0.01
25_C
0.010
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
2.3
2.1
500
1.9
I
D
= 250
mA
V
GS （ TH）
– (V)
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
100
0.7
0.5
–50
0
0.001
功率（W）的
400
600
单脉冲功率，结到环境
300
200
T
A
= 25_C
单脉冲
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
1000
T
J
- 温度（ _C ）
安全工作区
1000
*仅限为r
DS （ ON）
100
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10s
100s
DC
T
A
= 25_C
单脉冲
10
I
D
(A)
1
0.10
0.01
0.001
0.1
1
V
DS
(V)
10
100
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
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文档编号： 73540
S- 52237 -REV 。 A， 24 - OCT- 05
4
SUD50N03-06AP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
目前德评级
100
90
80
75
漏电流（ A）
70
60
动力
50
40
30
25
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
Vishay Siliconix公司
功率降额
50
不限按包
T
C
- 外壳温度（ ℃）
T
C
- 外壳温度（ ℃）
文档编号： 73540
S- 52237 -REV 。 A， 24 - OCT- 05
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5
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