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SUD50N024-06P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道22 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
24
C
特点
I
D
(A)
d
80
64
r
DS （ ON）
(W)
0.006 @ V
GS
= 10 V
0.0095 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
PWM优化的高效率
应用
D
同步降压型DC / DC转换器
- 桌面
- 服务器
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N024-06P
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压脉冲
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流，单脉冲
雪崩能量，单脉冲
T
A
= 25_C
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
P
D
T
J
, T
英镑
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
符号
V
DS （脉冲）
V
DS
V
GS
极限
24
C
22
"20
80
d
56
d
100
26
45
101
6.8
a
65
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
18
40
1.9
最大
22
50
2.3
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。通过包装有限
。脉冲方式：T
A
= 105_C ， 50纳秒， 300 kHz的工作频率
。计算基于最大允许结温。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
www.vishay.com
1
SUD50N024-06P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
15
0.0073
50
0.0046
0.006
0.0084
0.0095
S
W
22
0.8
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.2
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 10 V ， F = 1兆赫
2550
900
415
1.5
19
7.5
6.0
11
10
24
9
20
15
35
15
ns
30
nC
W
p
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
35
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
160
140
V
GS
= 10直通5 V
120
I D - 漏电流（ A）
4V
100
80
60
40
20
2V
0
0
2
4
6
8
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3V
I D - 漏电流（ A）
60
80
100
传输特性
40
T
C
= 125_C
20
25_C
- 55_C
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
2
SUD50N024-06P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
100
T
C
= - 55_C
克FS - 跨导（S ）
80
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
25_C
125_C
0.008
V
GS
= 4.5 V
0.006
0.010
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
60
V
GS
= 6.3 V
40
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
20
0
0
10
20
30
40
50
0.000
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
3500
3000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
2500
2000
1500
C
OSS
1000
C
RSS
500
0
0
4
8
12
16
20
10
栅极电荷
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 10 V
I
D
= 50 A
6
4
2
0
0
8
16
24
32
40
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与结温
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
www.vishay.com
3
SUD50N024-06P
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
40
1000
有限
由R
DS （ ON）
32
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
100 s
dc
新产品
安全工作区
24
10
16
1
8
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
www.vishay.com
4
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
SUD50N024-06P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道22 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
24
C
特点
I
D
(A)
d
80
64
r
DS （ ON）
(W)
0.006 @ V
GS
= 10 V
0.0095 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
PWM优化的高效率
应用
D
同步降压型DC / DC转换器
- 桌面
- 服务器
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N024-06P
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压脉冲
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流，单脉冲
雪崩能量，单脉冲
T
A
= 25_C
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
P
D
T
J
, T
英镑
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
符号
V
DS （脉冲）
V
DS
V
GS
极限
24
C
22
"20
80
d
56
d
100
26
45
101
6.8
a
65
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
18
40
1.9
最大
22
50
2.3
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。通过包装有限
。脉冲方式：T
A
= 105_C ， 50纳秒， 300 kHz的工作频率
。计算基于最大允许结温。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
www.vishay.com
1
SUD50N024-06P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
15
0.0073
50
0.0046
0.006
0.0084
0.0095
S
W
22
0.8
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.2
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 10 V ， F = 1兆赫
2550
900
415
1.5
19
7.5
6.0
11
10
24
9
20
15
35
15
ns
30
nC
W
p
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
35
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
160
140
V
GS
= 10直通5 V
120
I D - 漏电流（ A）
4V
100
80
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20
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0
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2.5
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I D - 漏电流（ A）
60
80
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传输特性
40
T
C
= 125_C
20
25_C
- 55_C
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
2
SUD50N024-06P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
100
T
C
= - 55_C
克FS - 跨导（S ）
80
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
25_C
125_C
0.008
V
GS
= 4.5 V
0.006
0.010
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
60
V
GS
= 6.3 V
40
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
20
0
0
10
20
30
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0
20
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100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
3500
3000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
2500
2000
1500
C
OSS
1000
C
RSS
500
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12
16
20
10
栅极电荷
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 10 V
I
D
= 50 A
6
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0
8
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24
32
40
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与结温
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
www.vishay.com
3
SUD50N024-06P
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
40
1000
有限
由R
DS （ ON）
32
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
100 s
dc
新产品
安全工作区
24
10
16
1
8
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0
0
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0.01
0.1
1
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T
A
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
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0.2
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-3
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方波脉冲持续时间（秒）
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2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
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0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
www.vishay.com
4
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
SUD50N024-06P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道22 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
24
C
特点
I
D
(A)
d
80
64
r
DS （ ON）
(W)
0.006 @ V
GS
= 10 V
0.0095 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
PWM优化的高效率
应用
D
同步降压型DC / DC转换器
- 桌面
- 服务器
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N024-06P
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压脉冲
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流，单脉冲
雪崩能量，单脉冲
T
A
= 25_C
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
P
D
T
J
, T
英镑
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
符号
V
DS （脉冲）
V
DS
V
GS
极限
24
C
22
"20
80
d
56
d
100
26
45
101
6.8
a
65
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
18
40
1.9
最大
22
50
2.3
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。通过包装有限
。脉冲方式：T
A
= 105_C ， 50纳秒， 300 kHz的工作频率
。计算基于最大允许结温。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
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1
SUD50N024-06P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
15
0.0073
50
0.0046
0.006
0.0084
0.0095
S
W
22
0.8
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.2
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 10 V ， F = 1兆赫
2550
900
415
1.5
19
7.5
6.0
11
10
24
9
20
15
35
15
ns
30
nC
W
p
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
35
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
160
140
V
GS
= 10直通5 V
120
I D - 漏电流（ A）
4V
100
80
60
40
20
2V
0
0
2
4
6
8
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3V
I D - 漏电流（ A）
60
80
100
传输特性
40
T
C
= 125_C
20
25_C
- 55_C
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72289
S- 31398 -REV 。 A， 30军03
2
SUD50N024-06P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
100
T
C
= - 55_C
克FS - 跨导（S ）
80
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
25_C
125_C
0.008
V
GS
= 4.5 V
0.006
0.010
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
60
V
GS
= 6.3 V
40
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
20
0
0
10
20
30
40
50
0.000
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
3500
3000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
2500
2000
1500
C
OSS
1000
C
RSS
500
0
0
4
8
12
16
20
10
栅极电荷
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 10 V
I
D
= 50 A
6
4
2
0
0
8
16
24
32
40
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与结温
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
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热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
40
1000
有限
由R
DS （ ON）
32
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
100 s
dc
新产品
安全工作区
24
10
16
1
8
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
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SHD125146D
SFH620A-3X001
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SY100E457JZ
S125S
SRA2201EF
SER2009
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    SUD50N024-06P
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    -
    -
    -
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联系人：连
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700000
SOP
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电话：0755-23607529/23603360/83258002
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50000
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