SPICE器件模型SUD50N02-06P
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） 175 ° MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于
模型，同时避免收敛的栅极电荷特性
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数值
进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据
并且不旨在作为对一个确切的物理解释
装置。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 70104
08-Jun-04
www.vishay.com
1
SPICE器件模型SUD50N02-06P
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
b
b
符号
测试条件
模拟
数据
1.4
964
0.0041
0.0057
0.0065
0.91
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
A
0.0046
0.0073
1.2
V
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向电压
b
V
SD
I
S
= 50 A，V
GS
= 0 V
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
上升时间
c
c
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.20
I
D
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2418
816
348
20
7.5
6
11
10
9
9
31
2550
900
415
19
7.5
6
11
10
24
9
35
ns
nC
pF
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源漏反向恢复时间
笔记
a.
通过设计保证，不受生产测试。
b.
脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
c.
独立的工作温度。
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2
文档编号： 70104
08-Jun-04
SPICE器件模型SUD50N02-06P
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） 175 ° MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于
模型，同时避免收敛的栅极电荷特性
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数值
进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据
并且不旨在作为对一个确切的物理解释
装置。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 70104
08-Jun-04
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SPICE器件模型SUD50N02-06P
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
b
b
符号
测试条件
模拟
数据
1.4
964
0.0041
0.0057
0.0065
0.91
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
A
0.0046
0.0073
1.2
V
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向电压
b
V
SD
I
S
= 50 A，V
GS
= 0 V
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
上升时间
c
c
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.20
I
D
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2418
816
348
20
7.5
6
11
10
9
9
31
2550
900
415
19
7.5
6
11
10
24
9
35
ns
nC
pF
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源漏反向恢复时间
笔记
a.
通过设计保证，不受生产测试。
b.
脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
c.
独立的工作温度。
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文档编号： 70104
08-Jun-04
SPICE器件模型SUD50N02-06P
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） 175 ° MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至10 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 70104
S- 60543Rev 。 B， 10 -APR- 06
www.vishay.com
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SPICE器件模型SUD50N02-06P
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
a
符号
测试条件
模拟
数据
1.4
964
0.0041
0.0057
0.0065
0.91
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
A
0.0046
0.0073
1.2
V
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向电压
a
V
SD
I
S
= 50 A，V
GS
= 0 V
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
上升时间
c
c
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.20
I
D
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2418
816
348
20
7.5
6
11
10
9
9
31
2550
900
415
19
7.5
6
11
10
24
9
35
ns
nC
pF
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源漏反向恢复时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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文档编号： 70104
S- 60543Rev 。 B， 10 -APR- 06
SPICE器件模型SUD50N02-06P
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 70104
S- 60543Rev 。 B， 10 -APR- 06
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日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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