SUD50N02-06
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.006 @ V
GS
= 4.5 V
0.009 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
A，B
30
25
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N02-06
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"12
30
21
单位
V
A
100
30
100
8.3
A，B
-55至175
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 71136
S- 01665 -REV 。 B， 31 -JUL- 00
www.vishay.com
t
v
10秒。
R
thJA
HJA
稳定状态
R
thJC
40
1.2
50
1.5
符号
典型
15
最大
18
单位
° C / W
2-1
SUD50N02-06
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 20 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 5 V，I
D
= 30 A
20
50
0.006
0.009
0.009
S
W
20
V
0.6
"100
1
50
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0 2
W
V,
0.2
I
D
^
50 A，V
根
4 = 5 V R
G
= 2 5
W
A
4.5 V,
2.5
4.5 V,
V
DS
= 10 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 50 A
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V ， F = 1兆赫
6600
1150
600
65
13
14
25
120
80
100
40
180
ns
120
150
130
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
45
100
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 71136
S- 01665 -REV 。 B， 31 -JUL- 00
SUD50N02-06
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 4.5, 4 V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
150
2.5 V
100
2V
50
1V
0
0
2
4
6
8
10
1.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5 V
120
Vishay Siliconix公司
传输特性
100
80
60
40
T
C
= 125_C
20
25_C
–55_C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
160
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
25_C
g
fs
- 跨导（S ）
120
125_C
80
0.008
0.010
导通电阻与漏电流
V
GS
= 2.5 V
0.006
V
GS
= 4.5 V
0.004
40
0.002
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
10000
12
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
6000
9
V
DS
= 10 V
I
D
= 50 A
6
4000
2000
C
RSS
0
0
4
8
C
OSS
3
0
12
16
20
0
30
60
90
120
150
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71136
S- 01665 -REV 。 B， 31 -JUL- 00
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
2-3
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Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0.8
0.4
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
最大雪崩漏电流
- 环境温度
40
1000
有限
由R
DS （ ON）
32
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
100
10
ms
100
ms
安全工作区
24
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
16
1
8
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
10 s
100 s
dc
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T
A
- 外壳温度（ ℃）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 40 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
文档编号： 71136
S- 01665 -REV 。 B， 31 -JUL- 00
2-4
QQ：2880707522 复制
