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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1272页 > SUD50M02-12P
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.026 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
40
c
27
c
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
PWM优化的高效率
应用
D
高端同步降压型DC / DC
转变
- 桌面
- 服务器
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N02-12P
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
a
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
I
D
I
DM
I
S
T
C
= 25_C
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
20
"20
40
c
28
c
90
4
33.3
6
a
- 55 175
单位
V
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。通过包装有限
。基于最大允许结温。套餐限制电流为30 A.
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
20
40
3.7
最大
25
50
4.5
单位
° C / W
C / W
1
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
10
0.021
50
0.0095
0.012
0.0143
0.026
S
W
20
0.8
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.2
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 10 V ， F = 1兆赫
1000
370
180
3.0
7.5
3.5
2.6
11
10
24
9
20
15
35
15
ns
12
nC
W
p
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.1
20
100
1.5
40
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
90
6V
75
I D - 漏电流（ A）
V
GS
= 10到7 V
I D - 漏电流（ A）
75
25_C
60
125_C
90
T
C
= - 55_C
传输特性
60
5V
45
45
30
4V
30
15
3V
0
0
2
4
6
8
10
15
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
2
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
50
0.040
0.035
克FS - 跨导（S ）
40
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
T
C
= - 55_C
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0
0
10
20
30
40
50
0.000
0
15
30
45
60
75
90
V
GS
= 10 V
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
30
25_C
125_C
20
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
1500
10
栅极电荷
1200
- 电容（pF ）
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
C
国际空间站
8
V
DS
= 10 V
I
D
= 50 A
900
6
600
C
OSS
300
C
RSS
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与结温
1.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
www.vishay.com
3
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
20
1000
有限
由R
DS （ ON）
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
100 s
dc
安全工作区
12
10
8
1
4
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
4
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.026 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
40
c
27
c
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
PWM优化的高效率
应用
D
高端同步降压型DC / DC
转变
- 桌面
- 服务器
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N02-12P
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
a
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
I
D
I
DM
I
S
T
C
= 25_C
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
20
"20
40
c
28
c
90
4
33.3
6
a
- 55 175
单位
V
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。通过包装有限
。基于最大允许结温。套餐限制电流为30 A.
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
20
40
3.7
最大
25
50
4.5
单位
° C / W
C / W
1
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
10
0.021
50
0.0095
0.012
0.0143
0.026
S
W
20
0.8
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.2
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 10 V ， F = 1兆赫
1000
370
180
3.0
7.5
3.5
2.6
11
10
24
9
20
15
35
15
ns
12
nC
W
p
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.1
20
100
1.5
40
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
90
6V
75
I D - 漏电流（ A）
V
GS
= 10到7 V
I D - 漏电流（ A）
75
25_C
60
125_C
90
T
C
= - 55_C
传输特性
60
5V
45
45
30
4V
30
15
3V
0
0
2
4
6
8
10
15
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
2
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
50
0.040
0.035
克FS - 跨导（S ）
40
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
T
C
= - 55_C
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0
0
10
20
30
40
50
0.000
0
15
30
45
60
75
90
V
GS
= 10 V
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
30
25_C
125_C
20
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
1500
10
栅极电荷
1200
- 电容（pF ）
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
C
国际空间站
8
V
DS
= 10 V
I
D
= 50 A
900
6
600
C
OSS
300
C
RSS
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与结温
1.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
www.vishay.com
3
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
20
1000
有限
由R
DS （ ON）
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
100 s
dc
安全工作区
12
10
8
1
4
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
4
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.026 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
40
c
27
c
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
PWM优化的高效率
应用
D
高端同步降压型DC / DC
转变
- 桌面
- 服务器
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD50N02-12P
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
a
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
I
D
I
DM
I
S
T
C
= 25_C
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
20
"20
40
c
28
c
90
4
33.3
6
a
- 55 175
单位
V
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。通过包装有限
。基于最大允许结温。套餐限制电流为30 A.
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
20
40
3.7
最大
25
50
4.5
单位
° C / W
C / W
1
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
10
0.021
50
0.0095
0.012
0.0143
0.026
S
W
20
0.8
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.2
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 10 V ， F = 1兆赫
1000
370
180
3.0
7.5
3.5
2.6
11
10
24
9
20
15
35
15
ns
12
nC
W
p
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.1
20
100
1.5
40
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
90
6V
75
I D - 漏电流（ A）
V
GS
= 10到7 V
I D - 漏电流（ A）
75
25_C
60
125_C
90
T
C
= - 55_C
传输特性
60
5V
45
45
30
4V
30
15
3V
0
0
2
4
6
8
10
15
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
2
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
50
0.040
0.035
克FS - 跨导（S ）
40
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
T
C
= - 55_C
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0
0
10
20
30
40
50
0.000
0
15
30
45
60
75
90
V
GS
= 10 V
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
30
25_C
125_C
20
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
1500
10
栅极电荷
1200
- 电容（pF ）
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
C
国际空间站
8
V
DS
= 10 V
I
D
= 50 A
900
6
600
C
OSS
300
C
RSS
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与结温
1.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72095
S- 31269 -REV 。 B， 16军， 03
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3
SUD50N02-12P
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
20
1000
有限
由R
DS （ ON）
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
100 s
dc
安全工作区
12
10
8
1
4
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
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