SUD45P03-10
Vishay Siliconix公司
P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.010在V
GS
= - 10 V
0.018在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
a
- 15
- 12
特点
TrenchFET
功率MOSFET
RoHS指令
柔顺
S
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
顶视图
订货信息：
SUD45P03-10 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
b
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 30
± 20
- 15
-8
- 100
- 15
70
4
b
- 55 150
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
b
最大结到外壳
符号
R
thJA
R
thJC
典型
最大
30
1.8
单位
° C / W
注意事项：
一。评级计算对于T
A
= 25 ℃，只有比较的目的。这不能作为连续得分（见绝对最大额定值
和典型特征） 。
B 。表面安装在FR4板，T
≤
10 s.
文档编号： 70766
S- 81734 -REV 。 E， 04 - 8 - 08
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SUD45P03-10
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 10 V
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 15 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
符号
测试条件
分钟。
- 30
- 1.0
典型值。
马克斯。
单位
- 3.0
± 100
-1
- 50
V
nA
A
A
- 50
- 20
0.010
0.015
0.018
20
6000
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
t
rr
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 15 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 15 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 15 A
Ω
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
下降时间
c
脉冲电流
二极管的正向电压
a
源漏反向恢复时间
c
V
GS
= 0 V, V
DS
= - 25 V ， F = 1兆赫
1100
700
90
150
pF
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 45 A
20
16
15
25
550
200
250
100
nC
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 0.33
Ω
I
D
- 45 A，V
根
= - 10 V ，R
G
= 2.4
Ω
375
100
140
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
A
V
ns
I
F
= - 45 A，V
GS
= 0 V
I
F
= - 45 A， di / dt的= 100 A / μs的
1.0
55
1.5
100
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
250
V
GS
= 10, 9, 8, 7 V
200
6V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
150
5V
100
4V
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
60
80
100
40
T
C
= 125 °C
20
25 °C
- 55 °C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
80
T
C
= - 55 °C
60
25 °C
125 °C
40
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
克FS - 跨导（S ）
0.04
0.05
传输特性
0.03
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
0.00
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
8000
C
国际空间站
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
6000
- 电容（pF ）
20
导通电阻与漏电流
V
DS
= 15 V
I
D
= 45 A
12
4000
8
2000
C
OSS
4
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
30
60
90
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
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栅极电荷
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 45 A
1.6
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
10
100
1.2
0.8
0.4
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 结温（ ° C）
125
150
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.5
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
热额定值
20
500
16
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
有限
由R
DS （ ON） *
10
10, 100 s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
12
8
1
4
1s
T
A
= 25 °C
单脉冲
DC
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度（ ° C）
0.1
0.1
最大漏极电流
- 环境温度
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（ S）
10
100
500
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70766 。
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文档编号： 70766
S- 81734 -REV 。 E， 04 - 8 - 08
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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