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SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
N通道50 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET的逻辑电平
产品概述
V
DS
(V)
50
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.020 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
"30
"30
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD45N05-20L
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流
重复性雪崩能量（占空比
v
1%)
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
50
"20
"30
"30
"100
43
37
93
75
2.5
a
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
自由的空气， FR4板安装
最大结点到环境
自由的空气，垂直安装
最大结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
R
thJC
符号
极限
60
110
2.0
单位
° C / W
2-1
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 43 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 43 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 43 A
20
43
0.018
0.036
0.040
0.020
S
W
50
V
1.0
2.0
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 25 V ，R
L
= 0 6
W
V,
0.6
I
D
^
43 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V,
V
DS
= 25 V, V
GS
= 10 V I
D
= 43 A
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1800
370
130
43
7
10
10
10
32
7
20
20
ns
60
15
60
nC
C
3600
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 43 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 43 A， di / dt的= 100 A / MS
49
43
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
100
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
80
I
D
- 漏极电流（ A）
50
5V
I
D
- 漏极电流（ A）
40
60
传输特性
60
30
40
4V
20
T
C
= –125_C
25_C
–55_C
0
20
3V
0
0
2
4
6
8
10
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
80
0.04
导通电阻与漏电流
g
fs
- 跨导（S ）
60
25_C
40
125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
T
C
= –55_C
0.03
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
20
40
60
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
3000
10
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
8
V
DS
= 25 V
I
D
= 43 A
2000
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.25
2.00
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 25_C
10
热额定值
最大漏极电流与CaseTemperature
50
200
100
40
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
100
ms
1毫秒
安全工作区
30
20
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
DC ， 1秒
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度（ ℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
0.02
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
N通道50 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET的逻辑电平
产品概述
V
DS
(V)
50
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.020 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
"30
"30
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD45N05-20L
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流
重复性雪崩能量（占空比
v
1%)
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
50
"20
"30
"30
"100
43
37
93
75
2.5
a
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
自由的空气， FR4板安装
最大结点到环境
自由的空气，垂直安装
最大结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
R
thJC
符号
极限
60
110
2.0
单位
° C / W
2-1
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 43 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 43 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 43 A
20
43
0.018
0.036
0.040
0.020
S
W
50
V
1.0
2.0
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 25 V ，R
L
= 0 6
W
V,
0.6
I
D
^
43 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V,
V
DS
= 25 V, V
GS
= 10 V I
D
= 43 A
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1800
370
130
43
7
10
10
10
32
7
20
20
ns
60
15
60
nC
C
3600
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 43 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 43 A， di / dt的= 100 A / MS
49
43
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
100
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
80
I
D
- 漏极电流（ A）
50
5V
I
D
- 漏极电流（ A）
40
60
传输特性
60
30
40
4V
20
T
C
= –125_C
25_C
–55_C
0
20
3V
0
0
2
4
6
8
10
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
80
0.04
导通电阻与漏电流
g
fs
- 跨导（S ）
60
25_C
40
125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
T
C
= –55_C
0.03
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
20
40
60
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
3000
10
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
8
V
DS
= 25 V
I
D
= 43 A
2000
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.25
2.00
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 25_C
10
热额定值
最大漏极电流与CaseTemperature
50
200
100
40
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
100
ms
1毫秒
安全工作区
30
20
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
DC ， 1秒
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度（ ℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
0.02
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
N通道50 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET的逻辑电平
产品概述
V
DS
(V)
50
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.020 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
"30
"30
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD45N05-20L
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流
重复性雪崩能量（占空比
v
1%)
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
50
"20
"30
"30
"100
43
37
93
75
2.5
a
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
自由的空气， FR4板安装
最大结点到环境
自由的空气，垂直安装
最大结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
R
thJC
符号
极限
60
110
2.0
单位
° C / W
2-1
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 43 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 43 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 43 A
20
43
0.018
0.036
0.040
0.020
S
W
50
V
1.0
2.0
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 25 V ，R
L
= 0 6
W
V,
0.6
I
D
^
43 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V,
V
DS
= 25 V, V
GS
= 10 V I
D
= 43 A
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1800
370
130
43
7
10
10
10
32
7
20
20
ns
60
15
60
nC
C
3600
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 43 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 43 A， di / dt的= 100 A / MS
49
43
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
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S
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2-2
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
SUD45N05-20L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
100
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
80
I
D
- 漏极电流（ A）
50
5V
I
D
- 漏极电流（ A）
40
60
传输特性
60
30
40
4V
20
T
C
= –125_C
25_C
–55_C
0
20
3V
0
0
2
4
6
8
10
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
80
0.04
导通电阻与漏电流
g
fs
- 跨导（S ）
60
25_C
40
125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
T
C
= –55_C
0.03
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
20
40
60
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
3000
10
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
8
V
DS
= 25 V
I
D
= 43 A
2000
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70271
S- 57247 -REV 。 E， 23 -MAR- 98
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.25
2.00
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 25_C
10
热额定值
最大漏极电流与CaseTemperature
50
200
100
40
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
100
ms
1毫秒
安全工作区
30
20
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
DC ， 1秒
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度（ ℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
0.02
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N沟道
50 V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
50
r
DS （ ON）
(W)
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.020 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
"30
"30
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号：
SUD45N05-20L
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流
重复性雪崩能量（占空比
v
1%)
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
50
"20
"30
"30
"100
43
37
93
75
2.5
a
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
自由的空气， FR4板安装
最大结点到环境
自由的空气，垂直安装
最大结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
R
thJA
R
thJC
符号
极限
60
110
2.0
单位
° C / W
1/5
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SUD45N05-20L
N沟道
50 V （ D- S） 175℃ MOSFET
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 43 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 43 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 43 A
20
43
0.018
0.036
0.040
0.020
S
W
50
V
1.0
2.0
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 25 V ，R
L
= 0 6
W
V,
0.6
I
D
^
43 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V,
V
DS
= 25 V, V
GS
= 10 V I
D
= 43 A
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1800
370
130
43
7
10
10
10
32
7
20
20
ns
60
15
60
nC
C
3600
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 43 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 43 A， di / dt的= 100 A / MS
49
43
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
2/5
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N沟道
50 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
100
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
80
I
D
- 漏极电流（ A）
50
5V
I
D
- 漏极电流（ A）
40
60
传输特性
60
30
40
4V
20
T
C
= –125_C
25_C
–55_C
0
20
3V
0
0
2
4
6
8
10
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
80
0.04
导通电阻与漏电流
g
fs
- 跨导（S ）
60
25_C
40
125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
T
C
= –55_C
0.03
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
20
40
60
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
3000
10
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
8
V
DS
= 25 V
I
D
= 43 A
2000
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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50 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.25
2.00
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 25_C
10
热额定值
最大漏极电流与CaseTemperature
50
200
100
40
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
100
ms
1毫秒
安全工作区
30
20
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
DC ， 1秒
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度（ ℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
0.02
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放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
自由泳Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和员工，以及所有的人采取行动就可以了S或他们的代表（以下统称，
“自由式” ） ，特此声明中包含的任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整的任何及所有责任
关于任何产品的披露。
自由泳使有关产品的suitabilit y代表任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内，六吉文否认（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于其它类L，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些应用S型的适合性陈述是基于典型的自由泳的知识
的要求，常常放在自由泳产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。它是客户的responsib ility来验证特定
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
设置在参数表和/或说明书中S可以在不同的应用中性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型的PA rameters ，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或修改自由泳的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
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充分赔偿并自由泳和其分销商，免受了y和所有的债权，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，可见干草赔偿
材料分类政策
自由泳Intertechnology，Inc.是在此CERTI的外商投资企业，其所有产品均ID entified为符合RoHS标准符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（ EEE ） - 重铸，除非指定为不符合otherwis即
请注意，有些自由泳文件可能仍然参照RoHS指令2002 /95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
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SPU12A
SSW16A1002JQ7
ST72511R7
S3PDB40N12
SN74AUC1G19DRLRG4
STK3N50
STSH-31-YTR
SN74LVCR16245ADL
SY10E111LJCTR
ST150A18
SF19
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