SUD40N10-25
N沟道
100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
100
R
DS （ ON）
(Ω)
0.025在V
GS
= 10 V
0.028在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
40
38
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C最高结温
100 % R
g
经过测试
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUD40N10-25
SUD40N10-25 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
b
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
雪崩电流
单脉冲雪崩能量（占空比
≤
1 %)
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
100
± 20
40
23
70
40
40
80
136
b
3
a
- 55 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
a
结到外壳
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。看到SOA曲线电压降额。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
40
0.85
最大
18
50
1.1
° C / W
单位
1/7
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SUD40N10-25
N沟道
100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
漏源导通电阻
b
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A，T
J
= 175 °C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向跨导
b
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
符号
测试条件
分钟。
100
1.0
典型值。
a
马克斯。
单位
3.0
± 100
1
50
250
V
nA
A
A
70
0.02
0.025
0.05
0.063
0.022
70
2400
0.028
Ω
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
t
rr
V
DS
= 15 V，I
D
= 40 A
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
290
120
40
60
pF
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
下降时间
c
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
c
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
1
11
9
3.5
8
13
60
25
120
70
40
15
80
nC
Ω
V
DD
= 50 V ，R
L
= 1.25
Ω
I
D
40 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
Ω
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
A
V
ns
I
F
= 40 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A， di / dt的= 100 A / μs的
1.0
75
1.5
120
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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SUD40N10-25
N沟道
100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
TO- 252AA案例大纲
E
b2
L2
A
C1
MILLIMETERS
DIM 。
A
A1
A2
b
分钟。
2.21
0.89
0.030
0.71
0.76
5.23
0.46
0.46
5.97
4.10
6.48
4.49
马克斯。
2.38
1.14
0.127
0.88
1.14
5.44
0.58
0.58
6.22
4.45
6.73
5.50
分钟。
0.087
0.035
0.001
0.028
0.030
0.206
0.018
0.018
0.235
0.161
0.255
0.177
英寸
马克斯。
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.214
0.023
0.023
0.245
0.175
0.265
0.217
D
H
b1
b2
C
L1
L3
C1
L
规平面高度（ 0.5mm）的
D
D1
E
b
e
e1
b1
C
A2
A1
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
2.28 BSC
4.57 BSC
9.65
1.40
0.64
0.89
1.15
10.41
1.78
1.02
1.27
1.52
0.090 BSC
0.180 BSC
0.380
0.055
0.025
0.035
0.040
0.410
0.070
0.040
0.050
0.060
D1
E1
ECN ： T11-0110 -REV 。 L， 18 -APR- 11
DWG ： 5347
记
尺寸L3仅供参考。
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