新产品
SUD40N02-3m3P
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） ， 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0033在V
GS
= 10 V
0.0044在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
40
40
Q
g
（典型值）
30 NC
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
RoHS指令
柔顺
应用
服务器
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶部
意见
S
订单号：
SUD40N02-3m3P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
20
± 20
40
a
40
a
24.4
b
17.2
b
100
40
a
2.8
b
79
39.5
3.3
b
1.6
b
- 55 175
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
b
稳定状态
稳定状态
最大结到外壳
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
符号
R
thJA
R
thJC
典型
37
1.5
最大
45
1.9
单位
° C / W
文档编号： 69819
S- 80260 -REV 。 A， 04 -FEB -08
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1
新产品
SUD40N02-3m3P
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
分钟。
20
典型值。
马克斯。
单位
V
21
- 6.9
1
3
± 100
1
20
30
0.0027
0.0036
100
6520
0.0033
0.0044
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
a
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.2
Ω
I
D
50 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
1430
770
105
50
17
14
1.2
40
30
67
33
13
1.9
60
45
101
50
20
11
60
14
40
100
0.81
38
34
18
20
1.2
57
51
160
75
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.2
Ω
I
D
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
7
40
9
T
C
= 25 °C
I
S
= 20 A
A
V
ns
nC
ns
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 69819
S- 80260 -REV 。 A， 04 -FEB -08
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SUD40N02-3m3P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
80
V
GS
= 10通4
V
2.4
60
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
1.8
3.0
T
C
= - 55 °C
40
V
GS
= 3
V
1.2
T
C
= 25 °C
20
0.6
T
C
= 125 °C
V
GS
= 2
V
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.0040
r
DS （ ON）
- D与S导通电阻（ Ω ）
0.010
传输特性
I
D
= 20 A
0.0036
V
GS
= 4.5
V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.008
0.006
T
A
= 125 °C
0.004
0.0032
0.0028
V
GS
= 10
V
0.002
T
A
= 25 °C
0.0024
0
20
40
60
80
100
0.000
2
4
6
8
10
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
导通电阻与漏电流
8000
C
国际空间站
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
6000
- 电容（pF ）
10
导通电阻与V
GS
与温度的关系
I
D
= 50 A
V
DS
= 10
V
6
V
DS
= 16
V
4000
4
2000
C
OSS
2
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
文档编号： 69819
S- 80260 -REV 。 A， 04 -FEB -08
栅极电荷
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SUD40N02-3m3P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.7
I
D
= 20 A
1.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻
V
GS
= 10
V,
4.5
V
（归一化）
1.3
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
10
100
1.1
T
J
= 25 °C
0.9
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
2.4
200
正向二极管电压与温度的关系
2.0
150
V
GS （ TH）
(V)
1.6
I
D
= 250
A
功率（W）的
100
1.2
50
0.8
0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
250
1000
单脉冲功率，结到环境
100
I
D
- 漏电流（ A）
200
功率（W）的
有限
by
r
DS （ ON）
*
1毫秒
10
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
150
1
0.1
100
0.01
T
A
= 25 °C
单脉冲
50
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
0.001
0.01
0.1
1
BVDSS
10
100
单脉冲功率，结至外壳
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 69819
S- 80260 -REV 。 A， 04 -FEB -08
新产品
SUD40N02-3m3P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1000
有限
by
r
DS （ ON）
*
24
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
DC
30
100
I
D
- 漏电流（ A）
10
18
1
12
0.1
0.01
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.001
0.01
BVDSS
6
0
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
r
DS （ ON）
为特定网络版
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度（ ° C）
安全工作区，结至外壳
150
4
电流降额** ，结到环境
120
3
I
D
- 漏电流（ A）
90
功率（W）的
2
60
包装有限公司
1
30
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
电流降额** ，结至外壳
100
功率降额** ，结到环境
80
功率（W）的
60
40
20
**功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用
0
0
25
50
75
100
125
150
175
结到外壳的热阻，并且是在解决更加有用
上功耗限制的情况下额外的散热装置是
使用。它被用来确定额定电流，当该等级瀑布
下面的包装限制。
T
C
- 外壳温度（ ° C）
功率降额** ，结至外壳
文档编号： 69819
S- 80260 -REV 。 A， 04 -FEB -08
www.vishay.com
5
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