【SUD35N05-26L新产品Vishay Siliconix公司N通道55 -V （D -S ）】,IC型号SUD35N05-26L,SUD35N05-26L PDF资料,SUD35N05-26L经销商,ic,电子元器件-51电子网

SUD35N05-26L

新产品

Vishay Siliconix公司

N通道55 -V （D -S ） 175_C MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

55

特点

I

D

(A)

a

35

30

r

DS （ ON）

(W)

0.020 @ V

GS

= 10 V

0.026 @ V

GS

= 4.5 V

D

TrenchFETr功率MOSFET，

D

175_C最大额定结温

D

低输入电容

应用

D

汽车燃油喷射系统

D

汽车雨刷

D

汽车车门模块

D

TO-252

G

的漏极连接到选项卡

G

D

S

顶视图

订单号：

SUD35N05-26L

S

N沟道MOSFET

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

J

= 175_C)

b

_

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

a

T

C

= 25_C

最大功率耗散

工作结存储温度范围

T

A

= 25_C

P

D

T

J

, T

英镑

T

C

= 25_C

T

C

= 100_C

I

D

I

DM

I

S

符号

V

DS

V

GS

极限

55

"20

35

25

80

35

50

c

7.5

b

-55至175

单位

V

A

W

_C

热电阻额定值

参数

t

v

10秒

结到环境

b

结到外壳

结到铅

笔记

一。包装有限。

B 。表面装在1 “×1 ” FR4板，T

v

10秒。

。看到SOA曲线电压降额。

文档编号： 71443

S- 03485 -REV 。 A， 16 -APR- 01

www.vishay.com

稳定状态

R

thJA

R

thJC

R

thJL

符号

典型

17

50

2.5

5.0

最大

20

60

3.0

6.0

单位

° C / W

_

1

SUD35N05-26L

Vishay Siliconix公司

新产品

规格（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

b

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

DS

= 44 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 44 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125_C

V

DS

= 5 V, V

GS

= 5 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

漏源导通电阻

b

r

DS （ ON）

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A，T

J

= 125_C

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 15 A

正向跨导

b

g

fs

V

DS

= 15 V，I

D

= 20 A

0.0215

25

35

0.0165

0.020

0.035

0.026

S

W

55

V

1

"100

1

50

nA

mA

m

A

符号

测试条件

民

典型值

a

最大

单位

动态

a

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

c

栅极 - 源电荷

c

栅极 - 漏极

收费

c

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 25 V ，R

L

= 0.3

W

I

D

^

35 A，V

根

= 10 V ，R

G

= 2.5

W

V

DS

= 25 V, V

GS

= 5 V，I

D

= 35 A

V

GS

= 0 V, V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

885

185

80

10.5

4

4.8

5

18

20

100

8

30

150

ns

13

nC

pF

导通延迟时间

c

上升时间

c

打开-O FF延迟时间

c

下降时间

c

源极 - 漏极二极管额定值和特性（T

C

= 25_C)

连续电流

脉冲电流

二极管的正向电压

b

源漏反向恢复时间

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

I

F

= 80 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 35 A， di / dt的= 100 A / MS

25

35

A

80

1.5

40

V

ns

笔记

一。通过设计保证，不受生产测试。

B 。脉冲测试;脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

。独立的工作温度。

www.vishay.com

2

文档编号： 71443

S- 03485 -REV 。 A， 16 -APR- 01

SUD35N05-26L

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

输出特性

100

V

GS

= 10通6 V

T

C

= –55_C

80

I D - 漏电流（ A）

5V

I D - 漏电流（ A）

80

25_C

60

125_C

100

Vishay Siliconix公司

传输特性

60

4V

40

20

2V

0

2

4

6

8

10

3V

20

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

跨

60

T

C

= –55_C

50

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

克FS - 跨导（S ）

0.03

25_C

125_C

0.04

导通电阻与漏电流

40

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

0.02

30

20

0.01

10

0

20

40

60

80

100

0.00

0

20

40

60

80

100

I

D

- 漏极电流（ A）

I

D

- 漏极电流（ A）

电容

1500

20

栅极电荷

1200

- 电容（pF ）

C

国际空间站

900

V GS - 栅极 - 源极电压（ V）

16

V

DS

= 25 V

I

D

= 35 A

12

600

8

300

C

OSS

C

RSS

0

11

22

33

44

55

4

0

10

20

30

40

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

Q

g

- 总栅极电荷（ NC）

文档编号： 71443

S- 03485 -REV 。 A， 16 -APR- 01

www.vishay.com

3

SUD35N05-26L

Vishay Siliconix公司

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

导通电阻与结温

2.0

V

GS

= 10 V

I

D

= 20 A

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

（归一化）

1.6

I S - 源电流（ A）

100

源极 - 漏极二极管正向电压

1.2

T

J

= 175_C

10

T

J

= 25_C

0.8

0.4

0.0

–50

1

–25

0

25

50

75

100

125

150

175

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

T

J

=结温（ ° C）

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

热额定值

雪崩的最大漏电流与

外壳温度

40

500

有限

由R

DS （ ON）

100

30

I D - 漏电流（ A）

10

ms

100

ms

10

10毫秒

100毫秒

1

T

C

= 25_C

单脉冲

1s

dc

安全工作区

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

- 外壳温度（ ℃）

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

归瞬态热阻抗，结至外壳

2

1

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.02

0.05

单脉冲

0.01

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

方波脉冲持续时间（秒）

www.vishay.com

文档编号： 71443

S- 03485 -REV 。 A， 16 -APR- 01

1

10

30

4

SUD35N05-26L

新产品

Vishay Siliconix公司

N通道55 -V （D -S ） 175_C MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

55

特点

I

D

(A)

a

35

30

r

DS （ ON）

(W)

0.020 @ V

GS

= 10 V

0.026 @ V

GS

= 4.5 V

D

TrenchFETr功率MOSFET，

D

175_C最大额定结温

D

低输入电容

应用

D

汽车燃油喷射系统

D

汽车雨刷

D

汽车车门模块

D

TO-252

G

的漏极连接到选项卡

G

D

S

顶视图

订单号：

SUD35N05-26L

S

N沟道MOSFET

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

J

= 175_C)

b

_

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

a

T

C

= 25_C

最大功率耗散

工作结存储温度范围

T

A

= 25_C

P

D

T

J

, T

英镑

T

C

= 25_C

T

C

= 100_C

I

D

I

DM

I

S

符号

V

DS

V

GS

极限

55

"20

35

25

80

35

50

c

7.5

b

-55至175

单位

V

A

W

_C

热电阻额定值

参数

t

v

10秒

结到环境

b

结到外壳

结到铅

笔记

一。包装有限。

B 。表面装在1 “×1 ” FR4板，T

v

10秒。

。看到SOA曲线电压降额。

文档编号： 71443

S- 03485 -REV 。 A， 16 -APR- 01

www.vishay.com

稳定状态

R

thJA

R

thJC

R

thJL

符号

典型

17

50

2.5

5.0

最大

20

60

3.0

6.0

单位

° C / W

_

1

SUD35N05-26L

Vishay Siliconix公司

新产品

规格（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

b

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

DS

= 44 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 44 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125_C

V

DS

= 5 V, V

GS

= 5 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

漏源导通电阻

b

r

DS （ ON）

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A，T

J

= 125_C

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 15 A

正向跨导

b

g

fs

V

DS

= 15 V，I

D

= 20 A

0.0215

25

35

0.0165

0.020

0.035

0.026

S

W

55

V

1

"100

1

50

nA

mA

m

A

符号

测试条件

民

典型值

a

最大

单位

动态

a

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

c

栅极 - 源电荷

c

栅极 - 漏极

收费

c

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 25 V ，R

L

= 0.3

W

I

D

^

35 A，V

根

= 10 V ，R

G

= 2.5

W

V

DS

= 25 V, V

GS

= 5 V，I

D

= 35 A

V

GS

= 0 V, V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

885

185

80

10.5

4

4.8

5

18

20

100

8

30

150

ns

13

nC

pF

导通延迟时间

c

上升时间

c

打开-O FF延迟时间

c

下降时间

c

源极 - 漏极二极管额定值和特性（T

C

= 25_C)

连续电流

脉冲电流

二极管的正向电压

b

源漏反向恢复时间

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

I

F

= 80 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 35 A， di / dt的= 100 A / MS

25

35

A

80

1.5

40

V

ns

笔记

一。通过设计保证，不受生产测试。

B 。脉冲测试;脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

。独立的工作温度。

www.vishay.com

2

文档编号： 71443

S- 03485 -REV 。 A， 16 -APR- 01

SUD35N05-26L

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

输出特性

100

V

GS

= 10通6 V

T

C

= –55_C

80

I D - 漏电流（ A）

5V

I D - 漏电流（ A）

80

25_C

60

125_C

100

Vishay Siliconix公司

传输特性

60

4V

40

20

2V

0

2

4

6

8

10

3V

20

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

跨

60

T

C

= –55_C

50

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

克FS - 跨导（S ）

0.03

25_C

125_C

0.04

导通电阻与漏电流

40

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

0.02

30

20

0.01

10

0

20

40

60

80

100

0.00

0

20

40

60

80

100

I

D

- 漏极电流（ A）

I

D

- 漏极电流（ A）

电容

1500

20

栅极电荷

1200

- 电容（pF ）

C

国际空间站

900

V GS - 栅极 - 源极电压（ V）

16

V

DS

= 25 V

I

D

= 35 A

12

600

8

300

C

OSS

C

RSS

0

11

22

33

44

55

4

0

10

20

30

40

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

Q

g

- 总栅极电荷（ NC）

文档编号： 71443

S- 03485 -REV 。 A， 16 -APR- 01

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3

SUD35N05-26L

Vishay Siliconix公司

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

导通电阻与结温

2.0

V

GS

= 10 V

I

D

= 20 A

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

（归一化）

1.6

I S - 源电流（ A）

100

源极 - 漏极二极管正向电压

1.2

T

J

= 175_C

10

T

J

= 25_C

0.8

0.4

0.0

–50

1

–25

0

25

50

75

100

125

150

175

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

T

J

=结温（ ° C）

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

热额定值

雪崩的最大漏电流与

外壳温度

40

500

有限

由R

DS （ ON）

100

30

I D - 漏电流（ A）

10

ms

100

ms

10

10毫秒

100毫秒

1

T

C

= 25_C

单脉冲

1s

dc

安全工作区

20

10

0

25

50

75

100

125

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T

C

- 外壳温度（ ℃）

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

归瞬态热阻抗，结至外壳

2

1

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.02

0.05

单脉冲

0.01

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

方波脉冲持续时间（秒）

www.vishay.com

文档编号： 71443

S- 03485 -REV 。 A， 16 -APR- 01

1

10

30

4

SUD35N05-26L

N沟道

55 V （ D- S） 175℃ MOSFET

特点

I

D

(A)

a

35

30

产品概述

V

DS

(V)

55

r

DS （ ON）

(W)

0.020 @ V

GS

= 10 V

0.026 @ V

GS

= 4.5 V

D

TrenchFETr功率MOSFET，

D

175_C最大额定结温

D

低输入电容

应用

D

汽车燃油喷射系统

D

汽车雨刷

D

汽车车门模块

D

TO-252

G

的漏极连接到选项卡

G

D

S

顶视图

订单号：

SUD35N05-26L

S

N沟道MOSFET

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

J

= 175_C)

b

_

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

a

T

C

= 25_C

最大功率耗散

工作结存储温度范围

T

A

= 25_C

P

D

T

J

, T

英镑

T

C

= 25_C

T

C

= 100_C

I

D

I

DM

I

S

符号

V

DS

V

GS

极限

55

"20

35

25

80

35

50

c

7.5

b

-55至175

单位

V

A

W

_C

热电阻额定值

参数

t

v

10秒

结到环境

b

结到外壳

结到铅

笔记

一。包装有限。

B 。表面装在1 “×1 ” FR4板，T

v

10秒。

。看到SOA曲线电压降额。

稳定状态

R

thJA

R

thJC

R

thJL

符号

典型

17

50

2.5

5.0

最大

20

60

3.0

6.0

单位

° C / W

_

1/5

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SUD35N05-26L

N沟道

55 V （ D- S） 175℃ MOSFET

规格（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

b

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

DS

= 44 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 44 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125_C

V

DS

= 5 V, V

GS

= 5 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

漏源导通电阻

b

r

DS （ ON）

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A，T

J

= 125_C

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 15 A

正向跨导

b

g

fs

V

DS

= 15 V，I

D

= 20 A

0.0215

25

35

0.0165

0.020

0.035

0.026

S

W

55

V

1

"100

1

50

nA

mA

m

A

符号

测试条件

民

典型值

a

最大

单位

动态

a

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

c

栅极 - 源电荷

c

栅极 - 漏极

收费

c

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 25 V ，R

L

= 0.3

W

I

D

^

35 A，V

根

= 10 V ，R

G

= 2.5

W

V

DS

= 25 V, V

GS

= 5 V，I

D

= 35 A

V

GS

= 0 V, V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

885

185

80

10.5

4

4.8

5

18

20

100

8

30

150

ns

13

nC

pF

导通延迟时间

c

上升时间

c

打开-O FF延迟时间

c

下降时间

c

源极 - 漏极二极管额定值和特性（T

C

= 25_C)

连续电流

脉冲电流

二极管的正向电压

b

源漏反向恢复时间

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

I

F

= 80 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 35 A， di / dt的= 100 A / MS

25

35

A

80

1.5

40

V

ns

笔记

一。通过设计保证，不受生产测试。

B 。脉冲测试;脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

。独立的工作温度。

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N沟道

55 V （ D- S） 175℃ MOSFET

典型特征（ 25_C除非另有说明）

输出特性

100

V

GS

= 10通6 V

T

C

= –55_C

80

I D - 漏电流（ A）

5V

I D - 漏电流（ A）

80

25_C

60

125_C

100

传输特性

60

4V

40

20

2V

0

2

4

6

8

10

3V

20

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

跨

60

T

C

= –55_C

50

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

克FS - 跨导（S ）

0.03

25_C

125_C

0.04

导通电阻与漏电流

40

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

0.02

30

20

0.01

10

0

20

40

60

80

100

0.00

0

20

40

60

80

100

I

D

- 漏极电流（ A）

I

D

- 漏极电流（ A）

电容

1500

20

栅极电荷

1200

- 电容（pF ）

C

国际空间站

900

V GS - 栅极 - 源极电压（ V）

16

V

DS

= 25 V

I

D

= 35 A

12

600

8

300

C

OSS

C

RSS

0

11

22

33

44

55

4

0

10

20

30

40

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

Q

g

- 总栅极电荷（ NC）

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N沟道

55 V （ D- S） 175℃ MOSFET

典型特征（ 25_C除非另有说明）

导通电阻与结温

2.0

V

GS

= 10 V

I

D

= 20 A

R DS（ON ） - 导通电阻（

W

)

（归一化）

1.6

I S - 源电流（ A）

100

源极 - 漏极二极管正向电压

1.2

T

J

= 175_C

10

T

J

= 25_C

0.8

0.4

0.0

–50

1

–25

0

25

50

75

100

125

150

175

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

T

J

=结温（ ° C）

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

热额定值

雪崩的最大漏电流与

外壳温度

40

500

有限

由R

DS （ ON）

100

30

I D - 漏电流（ A）

10

ms

100

ms

10

10毫秒

100毫秒

1

T

C

= 25_C

单脉冲

1s

dc

安全工作区

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

- 外壳温度（ ℃）

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

归瞬态热阻抗，结至外壳

2

1

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.02

0.05

单脉冲

0.01

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

方波脉冲持续时间（秒）

1

10

30

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N沟道

55 V （ D- S） 175℃ MOSFET

放弃

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的要求，常常放在自由泳产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明

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产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数

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定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义

2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制

（ EEE ） - 重铸，除非指定为不符合otherwis即

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所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。

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