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SUD15N06-90L
N沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
r
DS （ ON）
(W)
0.065 @ V
GS
= 10 V
0.090 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
15
14
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订单号：
SUD15N06-90L
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
175 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
雪崩电流
重复性雪崩能量（占空比
v
1%)
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
"20
15
12
30
15
15
11
37
2
a
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结至环境下自由空气， FR4板安装
a
结到外壳
注意事项：
一。 1.36 X 2.1表面安装在1 “×1”的FR4板。
符号
R
thJA
R
thJC
典型
60
3.7
最大
70
4.0
单位
° C / W
1/4
www.freescale.net.cn
SUD15N06-90L
N沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
漏源极S上
I S
O状态电阻
b
漏源导通状态R I
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A，T
J
= 125_C
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
0.065
11
15
0.050
0.065
0.12
0.15
0.090
S
W
60
1.0
2.0
3.0
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 2
W
V,
I
D
^
15 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V,
V,
V
DS
= 30 V V
GS
= 10 V I
D
= 15 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
524
98
28
12
2
3.5
7
8
15
7
20
25
ns
40
20
20
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 15 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 15 A， di / dt的= 100 A / MS
0.9
29
30
1.2
60
A
V
ns
注意事项：
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
2/4
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SUD15N06-90L
N沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10通6 V
40
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
5V
30
16
20
传输特性
12
20
4V
8
10
3V
4
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
25
0.10
导通电阻与漏电流
20
克FS - 跨导（S ）
T
C
= –55_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
25_C
0.08
V
GS
= 4.5 V
0.06
V
GS
= 10 V
15
125_C
10
0.04
5
0.02
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
1000
20
栅极电荷
800
- 电容（pF ）
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 15 A
600
C
国际空间站
12
400
8
200
C
RSS
0
0
10
20
C
OSS
4
0
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
24
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
3/4
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SUD15N06-90L
N沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
2.0
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
T
J
= 150_C
10
1.0
T
J
= 25_C
0.5
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
漏电流与外壳温度
20
50
10
ms
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
ms
10
有限
由R
DS （ ON）
安全工作区
12
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
dc
8
4
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
T
C
- 外壳温度（ ℃）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
3
4/4
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