SUD06N10-225L
Vishay Siliconix公司
N沟道100 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
100
r
DS （ ON）
(W)
0.200 @ V
GS
= 10 V
0.225 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.5
6.0
Q
g
（典型值）
2.7
27
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订单号：
SUD06N10-225L
SUD06N10-225L -E3 （ lLead铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
b
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
雪崩电流
重复性雪崩能量（占空比
v
1%)
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
100
＆ QUOT ;
20
6.5
3.75
8.0
6.5
5.0
1.25
20
b
1.5a
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
a
J
TI T A双向吨
结到外壳
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
B 。看到SOA曲线电压降额。
文档编号： 71253
S- 42350 -REV 。 B， 20日-12月04
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t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
40
80
6.0
最大
50
100
7.5
单位
° C / W
C / W
1
SUD06N10-225L
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
b
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.0 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 3 A
0.180
8.5
8.0
0.160
0.200
0.350
0.450
0.225
S
W
100
1.0
3.0
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 50 V ，R
L
= 7.5
W
I
D
^
6.5 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 50 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 6.5 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
240
42
17
2.7
0.6
0.7
7
8
8
9
11
12
12
14
ns
4.0
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 6.5 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 6.5 A， di / dt的= 100 A / MS
0.9
35
8.0
1.3
60
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 71253
S- 42350 -REV 。 B， 20日-12月04
SUD06N10-225L
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
15
V
GS
= 10直通5 V
15
T
C
=
55_C
12
I D
漏电流（ A）
12
I D
漏电流（ A）
25_C
传输特性
9
4V
9
125_C
6
6
3
3, 2 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
3
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
15
T
C
=
55_C
25_C
9
125_C
6
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
12
克FS
跨导（S ）
0.30
0.25
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
V
GS
= 10 V
3
0
0
3
6
9
12
15
0
3
6
9
12
15
I
D
漏电流（ A）
350
300
C
电容（pF）
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 50 V
I
D
= 6.5 A
电容
栅极电荷
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
总栅极电荷（ NC）
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3
SUD06N10-225L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
源极 - 漏极二极管正向电压
10
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.0
I S
源电流（ A）
1.5
T
J
= 175_C
1.0
T
J
= 25_C
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75 100 125
T
J
结温（ ° C）
150
175
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1.2
热额定值
雪崩的最大漏电流与外壳温度
8
10
安全工作区
10
ms
*仅限为r
DS （ ON）
6
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
100
ms
4
1
1毫秒
2
T
C
= 25_C
单脉冲
10毫秒
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
外壳温度（ ° C）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
100毫秒
1秒，直流
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71253 。
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文档编号： 71253
S- 42350 -REV 。 B， 20日-12月04
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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修订： 18 -JUL- 08
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