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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第161页 > SUB85N02-03-E3
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.003 @ V
GS
= 4.5 V
0.0034 @ V
GS
= 2.5 V
0.0038 @ V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
a
85
85
85
TO-220AB
TO-263
D
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
订货信息：
SUP85N02-03 -E3 （无铅）
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUB85N02-03 -E3 （无铅）
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"8
85
85
240
30
45
250
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
结到环境
J
TI T A双向吨
结到外壳
注意事项：
一。看到SOA曲线电压降额。
B 。占空比
v
1%.
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
www.vishay.com
自由空气（ TO- 220AB ）
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
1
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 2毫安
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 2毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 30 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 5 V，I
D
= 30 A
30
0.0027
0.003
120
0.0025
0.003
0.0042
0.005
0.0034
0.0038
S
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
20
0.45
"100
1
250
V
nA
mA
A
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.12
W
I
D
]
85 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 85 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V ， F = 1兆赫
21250
2350
1520
140
18
24
20
200
450
320
30
300
670
480
ns
200
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
75
240
1.5
150
A
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 4.5直通2 V
200
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
200
125_C
150
250
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
150
1.5 V
100
100
50
1, 0.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
500
T
C
=
55_C
g
fs
跨导（S ）
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
400
25_C
300
125_C
200
0.004
0.005
导通电阻与漏电流
V
GS
= 1.8 V
0.003
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
0.002
100
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
30000
电容
8
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
栅极电荷
24000
C
电容（pF）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
国际空间站
6
18000
4
12000
6000
C
RSS
0
4
8
2
C
OSS
0
0
12
16
20
0
50
100
150
200
250
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
3
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
1.8
1.5
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
漏源击穿电压
- 结温
30
I
D
= 2毫安
28
V
（ BR ） DSS
(V)
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.016
0.020
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 30 A
0.012
26
0.008
24
0.004
22
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.000
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
J
结温（ ° C）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
4
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
100
1000
安全工作区
有限
由R
DS （ ON）
80
100
I
D
漏电流（ A）
60
I
D
漏电流（ A）
10
ms
100
ms
1毫秒
10
40
10毫秒
100毫秒
dc
20
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
外壳温度（ ° C）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.1
0.1
1
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
100
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
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5
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.003 @ V
GS
= 4.5 V
0.0034 @ V
GS
= 2.5 V
0.0038 @ V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
a
85
85
85
TO-220AB
TO-263
D
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
订货信息：
SUP85N02-03 -E3 （无铅）
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUB85N02-03 -E3 （无铅）
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"8
85
85
240
30
45
250
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
结到环境
J
TI T A双向吨
结到外壳
注意事项：
一。看到SOA曲线电压降额。
B 。占空比
v
1%.
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
www.vishay.com
自由空气（ TO- 220AB ）
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
1
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 2毫安
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 2毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 30 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 5 V，I
D
= 30 A
30
0.0027
0.003
120
0.0025
0.003
0.0042
0.005
0.0034
0.0038
S
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
20
0.45
"100
1
250
V
nA
mA
A
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.12
W
I
D
]
85 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 85 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V ， F = 1兆赫
21250
2350
1520
140
18
24
20
200
450
320
30
300
670
480
ns
200
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
75
240
1.5
150
A
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 4.5直通2 V
200
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
200
125_C
150
250
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
150
1.5 V
100
100
50
1, 0.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
500
T
C
=
55_C
g
fs
跨导（S ）
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
400
25_C
300
125_C
200
0.004
0.005
导通电阻与漏电流
V
GS
= 1.8 V
0.003
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
0.002
100
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
30000
电容
8
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
栅极电荷
24000
C
电容（pF）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
国际空间站
6
18000
4
12000
6000
C
RSS
0
4
8
2
C
OSS
0
0
12
16
20
0
50
100
150
200
250
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
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文档编号： 71421
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3
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
1.8
1.5
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
漏源击穿电压
- 结温
30
I
D
= 2毫安
28
V
（ BR ） DSS
(V)
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.016
0.020
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 30 A
0.012
26
0.008
24
0.004
22
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.000
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
J
结温（ ° C）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
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4
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
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Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
100
1000
安全工作区
有限
由R
DS （ ON）
80
100
I
D
漏电流（ A）
60
I
D
漏电流（ A）
10
ms
100
ms
1毫秒
10
40
10毫秒
100毫秒
dc
20
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
外壳温度（ ° C）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.1
0.1
1
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
100
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
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