SUP/SUB65P06-20
P沟道增强型晶体管
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
–60
TO 220AB
到263
G
的漏极连接到选项卡
摹 S
顶视图
SUB65P06 20
D
P沟道MOSFET
r
DS （ ON）
(W)
0.020
I
D
(A)
–65
a
S
GD S
顶视图
SUP65P06 20
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 125_C （ TO-263 ）
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
"20
–65
a
–39
–200
–60
180
187
d
3.7
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
结到环境
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
注意事项：
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70289 。
Spice模型数据表可说明此产品（ FaxBack文档＃ 70543 ） 。
R
thJA
R
thJC
62.5
0.8
符号
R
thJA
极限
40
单位
° C / W
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94
1
SUP/SUB65P06-20
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –30 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 125_C
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 175_C
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= –30 A
25
–120
0.017
0.020
0.033
0.042
S
W
–60
V
–2.0
–3.0
–4.0
"100
–1
–50
–150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -30 V ，R
L
= 0.47
W
,
I
D
]
-65 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= –30 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –65 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= -25 V，F = 1兆赫
4500
870
350
85
24
22
15
40
65
30
40
80
120
60
ns
120
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
a
连续电流
脉冲电流
正向电压
b
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= -65 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -65 A，V
GS
= 0 V
–1.1
70
7
0.245
–65
–200
–1.4
120
9
0.54
V
ns
A
mC
A
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
2
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94
SUP/SUB65P06-20
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10, 9, 8 V
7V
160
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
160
25_C
120
125_C
T
C
= –55_C
200
传输特性
120
6V
80
5V
40
4V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
80
40
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
100
0.030
0.025
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.020
0.015
导通电阻与漏电流
80
g
fs
- 跨导（S ）
T
C
= –55_C
25_C
125_C
60
V
GS
= 10 V
40
V
GS
= 20 V
0.010
0.005
0
20
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6000
5000
- 电容（pF ）
4000
3000
2000
1000
0
0
10
20
C
RSS
电容
栅极电荷
C
国际空间站
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 65 A
12
8
C
OSS
4
0
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94
3
SUP/SUB65P06-20
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
2.0
1.5
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
10
1.0
0.5
0
–50 –25
1
0
25
50
75
100 125 150 175
0.3
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
80
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
500
安全工作区
10
ms
100
ms
1毫秒
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
60
限于由R
DS （ ON）
40
10
10毫秒
100毫秒
dc
T
C
= 25_C
单脉冲
20
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ℃）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–5
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3
方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94
SUP/SUB65P06-20
P沟道增强型晶体管
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
–60
TO 220AB
到263
G
的漏极连接到选项卡
摹 S
顶视图
SUB65P06 20
D
P沟道MOSFET
r
DS （ ON）
(W)
0.020
I
D
(A)
–65
a
S
GD S
顶视图
SUP65P06 20
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 125_C （ TO-263 ）
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
"20
–65
a
–39
–200
–60
180
187
d
3.7
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
结到环境
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
注意事项：
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70289 。
Spice模型数据表可说明此产品（ FaxBack文档＃ 70543 ） 。
R
thJA
R
thJC
62.5
0.8
符号
R
thJA
极限
40
单位
° C / W
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94
1
SUP/SUB65P06-20
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –30 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 125_C
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 175_C
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= –30 A
25
–120
0.017
0.020
0.033
0.042
S
W
–60
V
–2.0
–3.0
–4.0
"100
–1
–50
–150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -30 V ，R
L
= 0.47
W
,
I
D
]
-65 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= –30 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –65 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= -25 V，F = 1兆赫
4500
870
350
85
24
22
15
40
65
30
40
80
120
60
ns
120
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
a
连续电流
脉冲电流
正向电压
b
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= -65 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -65 A，V
GS
= 0 V
–1.1
70
7
0.245
–65
–200
–1.4
120
9
0.54
V
ns
A
mC
A
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
2
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94
SUP/SUB65P06-20
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10, 9, 8 V
7V
160
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
160
25_C
120
125_C
T
C
= –55_C
200
传输特性
120
6V
80
5V
40
4V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
80
40
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
100
0.030
0.025
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.020
0.015
导通电阻与漏电流
80
g
fs
- 跨导（S ）
T
C
= –55_C
25_C
125_C
60
V
GS
= 10 V
40
V
GS
= 20 V
0.010
0.005
0
20
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6000
5000
- 电容（pF ）
4000
3000
2000
1000
0
0
10
20
C
RSS
电容
栅极电荷
C
国际空间站
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 65 A
12
8
C
OSS
4
0
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94
3
SUP/SUB65P06-20
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
2.0
1.5
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
10
1.0
0.5
0
–50 –25
1
0
25
50
75
100 125 150 175
0.3
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
80
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
500
安全工作区
10
ms
100
ms
1毫秒
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
60
限于由R
DS （ ON）
40
10
10毫秒
100毫秒
dc
T
C
= 25_C
单脉冲
20
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ℃）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–5
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3
方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94
QQ：2881677436 复制
