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SUP/SUB65P04-15
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道40 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–40
0.023 @ V
GS
= –4.5 V
–50
r
DS （ ON）
(W)
0.015 @ V
GS
= –10 V
I
D
(A)
–65
TO-220AB
S
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP65P04-15
SUB65P04-15
P沟道MOSFET
S
顶视图
D
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
功耗
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
b
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
–40
"20
–65
–37
单位
V
A
–240
–60
180
120
c
W
3.75
-55至175
_C
mJ
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
b
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
文档编号： 71174
S- 00831 -REV 。 A， 01日， 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
R
thJC
62.5
1.25
符号
R
thJA
极限
40
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB65P04-15
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= –40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –30 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 125_C
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 175_C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –20 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= –50 A
20
0.018
–120
0.012
0.015
0.024
0.030
0.023
W
S
W
–40
V
–1
–3
"100
–1
–50
–250
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -20 V ，R
L
= 0.3
W
,
I
D
]
-65 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= –20 V V
GS
= -10 V，I
D
= –65 A
20 V,
10 V
65
V
GS
= 0 V, V
DS
= -25 V F = 1兆赫
V
25 V,
MH
5400
640
300
85
25
15
15
380
75
140
25
580
ns
115
210
130
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= -65 A， di / dt的= 100 A / MS
65 A二/ D
A/
I
F
= -65 A，V
GS
= 0 V
–1.2
40
2.0
0.04
–65
A
–240
–1.5
80
4
0.1
V
ns
A
mC
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 71174
S- 00831 -REV 。 A， 01日， 00
SUP/SUB65P04-15
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10到7 V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
6V
80
100
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
5V
100
60
40
T
C
= 125_C
20
25_C
–55_C
0
50
4V
3, 2 V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
80
T
C
= –55_C
25_C
g
fs
- 跨导（S ）
60
125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.03
0.04
导通电阻与漏电流
40
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.01
20
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
8000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
6000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
V
DS
= 20 V
I
D
= 65 A
12
4000
8
2000
C
OSS
C
RSS
4
0
0
6
12
18
24
30
0
0
40
80
120
160
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71174
S- 00831 -REV 。 A， 01日， 00
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S
FaxBack 408-970-5600
2-3
SUP/SUB65P04-15
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
I
S
- 源电流（ A）
1.5
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
1.0
10
0.5
T
J
= 25_C
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
60
漏源击穿对比
结温
I
D
= 250
mA
55
100
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
1
50
10
45
40
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
35
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 71174
S- 00831 -REV 。 A， 01日， 00
SUP/SUB65P04-15
新产品
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
75
1000
Vishay Siliconix公司
安全工作区
60
100
I
D
- 漏极电流（ A）
45
I
D
- 漏极电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
ms
100
ms
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
30
1
15
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度（ ℃）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71174
S- 00831 -REV 。 A， 01日， 00
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S
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2-5
SUP/SUB65P04-15
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道40 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–40
0.023 @ V
GS
= –4.5 V
–50
r
DS （ ON）
(W)
0.015 @ V
GS
= –10 V
I
D
(A)
–65
TO-220AB
S
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP65P04-15
SUB65P04-15
P沟道MOSFET
S
顶视图
D
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
功耗
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
b
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
–40
"20
–65
–37
单位
V
A
–240
–60
180
120
c
W
3.75
-55至175
_C
mJ
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
b
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
文档编号： 71174
S- 00831 -REV 。 A， 01日， 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
R
thJC
62.5
1.25
符号
R
thJA
极限
40
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB65P04-15
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= –40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –30 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 125_C
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 175_C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –20 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= –50 A
20
0.018
–120
0.012
0.015
0.024
0.030
0.023
W
S
W
–40
V
–1
–3
"100
–1
–50
–250
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -20 V ，R
L
= 0.3
W
,
I
D
]
-65 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= –20 V V
GS
= -10 V，I
D
= –65 A
20 V,
10 V
65
V
GS
= 0 V, V
DS
= -25 V F = 1兆赫
V
25 V,
MH
5400
640
300
85
25
15
15
380
75
140
25
580
ns
115
210
130
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= -65 A， di / dt的= 100 A / MS
65 A二/ D
A/
I
F
= -65 A，V
GS
= 0 V
–1.2
40
2.0
0.04
–65
A
–240
–1.5
80
4
0.1
V
ns
A
mC
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 71174
S- 00831 -REV 。 A， 01日， 00
SUP/SUB65P04-15
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10到7 V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
6V
80
100
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
5V
100
60
40
T
C
= 125_C
20
25_C
–55_C
0
50
4V
3, 2 V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
80
T
C
= –55_C
25_C
g
fs
- 跨导（S ）
60
125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.03
0.04
导通电阻与漏电流
40
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.01
20
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
8000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
6000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
V
DS
= 20 V
I
D
= 65 A
12
4000
8
2000
C
OSS
C
RSS
4
0
0
6
12
18
24
30
0
0
40
80
120
160
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71174
S- 00831 -REV 。 A， 01日， 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
SUP/SUB65P04-15
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
I
S
- 源电流（ A）
1.5
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
1.0
10
0.5
T
J
= 25_C
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
60
漏源击穿对比
结温
I
D
= 250
mA
55
100
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
1
50
10
45
40
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
35
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
=结温（ ° C）
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文档编号： 71174
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新产品
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
75
1000
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安全工作区
60
100
I
D
- 漏极电流（ A）
45
I
D
- 漏极电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
ms
100
ms
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
30
1
15
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度（ ℃）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
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STB4NK60Z
S-80829CLUA-B6O-T2
SPS-51T-205
SKY65053-377LF
SC003A0A91
S477-0125-06
供货商
型号
厂家
批号
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封装
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