【STX790A中等电流，高性能，低电压PNP晶体管一般特点■■收藏家非常低发射极饱和电压直流电流增益】,IC型号STX790A_06,STX790A_06 PDF资料,STX790A

STX790A

中等电流，高性能，低电压

PNP晶体管

一般特点

■

收藏家非常低发射极饱和电压

直流电流增益，H

FE

>100

■

3A连续集电极电流

■

40V击穿电压（V

（ BR ） CER

)

符合2002/ 93 / EC欧洲

指示

TO-92

描述

在低电压的PNP制造设备中的

平面技术通过使用“基地之岛”

布局。由此产生的晶体管显示了卓越的

再加上非常低的高增益性能

饱和电压。

内部原理图

应用

■

在便携式电源管理设备

电压调节偏置电源电路

开关稳压器中的电池充电器

应用

重负载驱动器

■

订购代码

产品型号

STX790A

STX790A-AP

记号

X790A

包

TO-92

TO-92的AP

填料

体积

Ammopack

2006年3月

REV 2

1/11

www.st.com

11

STX790A

1

2

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

2.2

电特性（曲线）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。五

测试电路。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6

3

4

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 7

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10

2/11

STX790A

电气额定值

1

电气额定值

表1中。

符号

V

CBO

V

CER

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

P

合计

T

英镑

T

J

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（R

BE

= 47)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

P

<为5ms ）

总功耗在T

c

= 25°C

储存温度

马克斯。工作结温

价值

-40

-30

-5

-3

-6

0.9

-65到150

150

单位

V

A

W

°C

表2中。

符号

R

THJ情况

R

THJ - AMB

热数据

参数

热阻结案件

热阻结大使

__max

价值

44.6

139

单位

° C / W

3/11

电气特性

STX790A

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表3中。

符号

I

CBO

I

EBO

电气特性

参数

集电极截止电流

(I

E

=0)

发射极截止电流

(I

C

=0)

测试条件

V

CB

= -30V

V

CB

= -30V;

V

EB

= -4V

T

C

= 100°C

分钟。

典型值。

马克斯。

-10

100

-10

单位

A

集电极 - 发射极

V

（ BR ） CEO （ 2 ）

击穿电压

(I

B

=0)

V

（ BR ） CER

(2)

I

C

= -10mA

-30

V

集电极 - 发射极

击穿电压

(R

BE

= 47)

集电极 - 基

击穿电压

(I

E

=0)

发射极 - 基极击穿

电压（I

C

=0)

集电极 - 发射极

饱和电压

I

C

= -10mA

-40

V

（ BR ） CBO

I

C

= -100A

-40

V

（ BR ） EBO

V

VCE（SAT ）（2）

I

E

= -100A

I

C

= -0.5A

I

C

= -1.2A

I

C

= -2A

I

C

= -3A

I

C

= -3A

T

J

= 100°C

I

C

= -1A

I

C

= -1A

I

C

= -10mA

I

C

= -500mA

I

B

= -5mA

I

B

= -20mA

I

B

= -20mA

I

B

= -100mA

I

B

= -100mA

I

B

= -10mA

V

CE

= -2V

V

CE

= -2V

V

CE

= -2V

V

CE

= -2V

V

CE

= -1V

V

CE

= -1V

-5

-0.15

-0.25

-0.5

-0.7

-0.9

V

BE （饱和）（2）

V

BE（上）（2）

基射极饱和

电压

基射极电压上

-0.8

100

90

160

130

200

-1

400

V

h

FE （2）

直流电流增益

I

C

= -1A

I

C

= -2A

I

C

= -3A

4/11

STX790A

表3中。

符号

f

t

电气特性

参数

跃迁频率

阻性负载

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

测试条件

I

C

= -50mA

F = 50MHz的

I

C

= -3A

（参见图7 ）

V

CC

= -20V

V

CE

= -5V

分钟。

典型值。

100

马克斯。

单位

兆赫

t

d

t

r

t

s

t

f

180

160

250

80

220

210

300

100

ns

I

B1 = -

I

B2 =

-60mA

注（2 ）脉冲持续时间= 300

s,

占空比

≤1.5%

2.1

电特性（曲线）

图1 。

直流电流增益

图2中。

直流电流增益

网络连接gure 3 。

集电极 - 发射极饱和

电压

图4中。

基射极饱和

电压

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