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STW81100
多频段射频与频率合成器
集成的VCO
S
数据表
1
特点
整数N频率合成器
VCO的双差分集成
自动中心频率校准:
- 直接输出:
3280 - 3900兆赫
3800 - 4400兆赫
- 内部分频器2 :
1640至1950年兆赫
2200至00年兆赫
- 内部分频器4 :
820 - 975兆赫
950 - 1100兆赫
图1.包装
VFQFPN28
表1.订购代码
产品型号
STW81100AT
STW81100ATR
VFQFPN28
VFQFPN28在磁带卷&
快速锁定时间: 150μs
双模预分频器( 64/65 )和2
可编程计数器来实现反馈
从4096到32767的分频比。
可编程参考分频器( 9
位)
相位频率比较器和电荷泵
可编程电荷泵电流
数字锁定检测
I
2
有3位可编程C总线接口
地址( 1100A
2
A
1
A
0
)
3.3V电源
掉电模式
小尺寸裸焊盘VFQFPN28包
5x5x1.0mm
过程: BICMOS 0.35微米硅锗
器(压控振荡器) 。
显示出高性能,高集成度,低
功率,和多频带性能, STW81100
是一种低成本单芯片替代离散锁相环
和压控振荡器解决方案。
STW81100包括一个整数N频率同步
thesizer两个完全集成的VCO特色
低相位噪声性能和噪声基底
-153dBc / Hz的。宽的频率的组合
范围压控振荡器(感谢中心频率校准
化超过32个子频带)和多个输出OP-
行动(直接输出, 4除以2或除以)
允许覆盖820MHz - 1100MHz的
1640MHz - 2200MHz的和3280MHz - 4400MHz的
带。
该STW81100的设计与STMicroelectron-
集成电路先进的0.35微米SiGe工艺。
2
描述
3
应用
3G蜂窝基础设施设备
其它无线通信系统
意法半导体的STW81100是integrat-
ED RF合成器和压控振荡器
2005年4月
第2版
1/23
STW81100
图2.框图
UT BUF P
OUT BUF
OUT BUF
OUT BUF
V DD_ PLL
V SS_ PLL
REF-在
REF-在
REXT
VDD_OUTBUF
VSS_OUTBUF
BUF
VDD_DIV4
VSS_DIV4
VCO
VCO
BUF
DIV4
BUF
DIV2
BUF
VSS_CP
VDD_DIV2
VSS_DIV2
REF
分频器
P
F
D
VCO
分频器
UP
DN
VDD_CP
DIV2
DIV4
VDD_BUFVCO
VSS_BUFVCO
C
P
ICP
BUF
EXTVCO_INP
EXTVCO_INN
LOCK_DET
EXT
VCO BUF
ATPGON
I2C总线
VCO
BUFF
SCL
SDA
ADD0
ADD1
ADD2
VDD_VCO1
VSS_VCO1
VDD_VCO2
VSS_VCO2
VCO
校准器
VDD_I2C
VSS_I2C
VDD_ESD
VSS_ESD
牛逼美国东部时间1
TEST2
TEST2
EX T_PD
VCTRL
图3.引脚连接
EXT_PD
VDD_VCO1
VDD_DIV2
VDD_OUTBUF
OUTBUFP
OUTBUFN
VDD_DIV4
VDD_VCO2
VDD_ESD
LOCK_DET
VDD_CP
VDD_I2C
ATPGON
VDD_BUFVCO
EXTVCO_INP
EXTVCO_INN
VDD_PLL
REF_IN
TEST2
AD D2
ADD1
ADD0
SC L
QFN 28
VCTRL
SDA
2/23
TEST1
REXT
我CP
STW81100
表2.引脚说明
针无
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
名字
VDD_VCO1
VDD_DIV2
VDD_OUTBUF
OUTBUFP
OUTBUFN
VDD_DIV4
VDD_VCO2
VDD_ESD
VCTRL
ICP
REXT
VDD_CP
TEST1
LOCK_DET
TEST2
REF_IN
VDD_PLL
EXTVCO_INN
EXTVCO_INP
VDD_BUFVCO
ATPGON
VDD_I
2
C
EXT_PD
SDA
SCL
ADD0
ADD1
ADD2
描述
VCO的电源
分频器2电源
输出缓冲器电源
LO缓冲器正输出
LO缓冲器负输出
分频器4电源
VCO的电源
ESD正电源轨供电
VCO控制电压
PLL的电荷泵输出
对于PLL充电外接电阻的连接
电源的电荷泵
测试输入1
锁定探测器
测试输入2
参考频率输入
PLL数字供电
外部VCO负输入端
外部VCO积极投入
VCO缓冲电源
扫描模式下激活
I
2
C总线供电
掉电硬件
I
2
CBUS数据线
I
2
CBUS时钟线
I
2
CBUS地址选择引脚
I
2
CBUS地址选择引脚
I
2
CBUS地址选择引脚
CMOS输入
双向CMOS施密特触发
CMOS输入
CMOS输入
CMOS输入
CMOS输入
仅用于测试目的使用
CMOS输出
仅用于测试目的使用
集电极开路
集电极开路
观察
3/23
STW81100
表3.绝对最大额定值
符号
AV
CC
DV
CC
T
英镑
ESD
参数
模拟电源电压
数字电源电压
储存温度
电子静电放电
- HBM
- CDM- JEDEC标准
0至4.6
0至4.6
+150
2
0.5
单位
V
V
°C
KV
表4.工作条件
符号
AV
CC
DV
CC
I
CC
T
AMB
T
j
R
日J-一
参数
模拟电源电压
数字电源电压
消耗电流
工作环境温度
最高结温
结到环境的热包
阻力
JEDEC多层电路板
35
-40
测试条件
3.0
3.0
典型值
3.3
3.3
最大
3.6
3.6
100
85
125
单位
V
V
mA
°C
°C
° C / W
表5.数字逻辑电平
符号
V
il
V
ih
V
HYST
V
ol
V
oh
参数
低电平输入电压
高电平输入电压
施密特触发器迟滞
低电平输出电压
高电平输出电压
0.85*Vdd
0.8*Vdd
0.8
0.4
测试条件
典型值
最大
0.2*Vdd
单位
V
V
V
V
V
4
电气特性的影响
所有电气规格均拟在3.3V电源电压。
表6.电气特性的影响
符号
参考
f
REF
参考输入频率
参考输入灵敏度
f
COMP
f
比较频率
频率步进
LO直接输出
LO分频器与2
LO分频器与4
10
0.35
200
200
100
50
19.2
1
400
400
200
100
100
1.5
10000
10000
5000
2500
兆赫
V峰值
千赫
千赫
千赫
千赫
参数
测试条件
典型值
最大
单位
4/23
STW81100
表6.电气特性的影响
(续)
电荷泵
符号
I
CP
V
OCP
参数
ICP汇/源
1
输出电压符合
范围
2,3
直接输出
分频器2
分频器4
压控振荡器
KVCO
A
VCOA灵敏度
3
子波段00000
子波段01111
子波段11111
KVCO
B
VCOB灵敏度
3
子波段00000
子波段01111
子波段11111
VCO
A
推动
3
VCO
B
推动
3
VCO控制电压
LO谐波杂散
VCO电流消耗
VCO缓冲消费
I
DIV2
I
DIV4
除法2消费
除法4消费
25
15
18
14
0.4
85
55
35
60
35
20
105
70
50
75
45
25
7
9
135
95
65
100
60
35
10
14
3
-20
兆赫/ V
兆赫/ V
兆赫/ V
兆赫/ V
兆赫/ V
兆赫/ V
兆赫/ V
兆赫/ V
V
dBc的
mA
mA
mA
mA
测试条件
3位可编程
0.4
-65
-70
-70
典型值
最大
4
V
dd
-0.3
-54
-60
-66
单位
mA
V
dBc的
dBc的
dBc的
LO输出缓冲器
P
OUT
RL
I
LOBUF
输出电平
回波损耗
消耗电流
匹配到50欧姆
DIV4的Buff
DIV2的Buff
直接输出
外部VCO (测试目的只)
f
INVCO
P
IN
V
INDC
I
EXTBUF
频带
输入电平
直流输入电平
消耗电流
VCO内部缓冲器
3.28
0
2
15
4.4
+6
GHz的
DBM
V
mA
0
15
26
23
37
DBM
dB
mA
mA
mA
5/23
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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