STB80NF12 STW80NF12
STP80NF12 STP80NF12FP
N沟道120V - 0.013Ω -80A TO- 220 / TO- 247 / TO- 220FP / DPAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB80NF12
STP80NF12
STP80NF12FP
STW80NF12
s
s
s
s
V
DSS
120 V
120 V
120 V
120 V
R
DS （ ON）
<0.018
<0.018
<0.018
<0.018
80
80
80
80
I
D
A(*)
A(*)
A(*)
A(*)
TO-220
TO-220FP
3
1
2
1
2
3
s
典型
DS
（上） = 0.013Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
表面安装
PAK （ TO-263 ）
电力包装管（没有后缀）或
在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）
TO-247
D
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
3
1
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
以减少输入电容和栅极电荷。这是
因此适合作为先进的高初级开关
效率，高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也意
与低栅极驱动要求的任何应用程序。
内部原理图
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
工作结温
价值
STB_P_W80NF12
STP80NF12FP
120
120
± 20
80
80(#)
60
60(#)
320
320(#)
300
45
2.0
0.3
10
700
------
2500
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）有限公司按封装
(2) I
SD
≤35A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ ＃ ）参考SOA对FP型最大allovable currente值
由于热敏电阻的值。
（ 1 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 40A ，V
DD
= 45V
2003年3月
1/12
STB80NF12 STW80NF12 STP80NF12 STP80NF12FP
热数据
TO-247
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
0.5
50
300
0.5
62.5
300
3.33
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
分钟。
120
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
I
GSS
ON
(1)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250 A
I
D
= 40 A
分钟。
2
0.013
0.018
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
I
D
= 40 A
分钟。
典型值。
80
4300
600
230
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V F = 1MHz的V
GS
= 0
2/12
STB80NF12 STW80NF12 STP80NF12 STP80NF12FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 40 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 80 V I
D
= 80 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
40
145
140
23
51
189
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 40 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
134
115
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM （ ）
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A
V
GS
= 0
155
0.85
11
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 80 A
V
DD
= 35 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
安全工作区TO- 220FP
3/12
STB80NF12 STW80NF12 STP80NF12 STP80NF12FP
热阻抗
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/12
STB80NF12 STW80NF12 STP80NF12 STP80NF12FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压温度
5/12
QQ：2880707522 复制
