STP6NK90Z - STP6NK90ZFP
STB6NK90Z - STW7NK90Z
N沟道900V - 1.56Ω - 5.8A - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK/TO-247
齐纳保护的超网功率MOSFET
特点
TYPE
STP6NK90Z
STP6NK90ZFP
STB6NK90Z
STW7NK90Z
■
■
■
■
■
V
DSS
900 V
900 V
900 V
900 V
R
DS （ ON）
<2
<2
<2
<2
I
D
5.8 A
5.8 A
1
3
2
5.8 A
5.8 A
TO-220
TO-220FP
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
3
1
D
2
PAK
TO-247
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET 。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP6NK90Z
STP6NK90ZFP
STB6NK90ZT4
STW7NK90Z
记号
P6NK90Z
P6NK90ZFP
B6NK90Z
W7NK90Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
TO-247
包装
管
管
带ê卷轴
管
2007年4月
第5版
1/18
www.st.com
18
目录
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP - STB6NK90Z - STW7NK90Z
目录
1
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
的栅极 - 源极的齐纳二极管的保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................. 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP - STB6NK90Z - STW7NK90Z
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
TO-220/
D
2
PAK/TO247
价值
TO220FP
900
± 30
5.8
3.65
23.2
140
1.12
4.5
-
2500
5.8
(1)
3.65
(1)
23.2
(1)
30
0.24
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
dv / dt的
(3)
峰值二极管恢复电压斜率
V
ISO
T
j
T
英镑
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（ T = 1秒; TC = 25 ° C）
最大工作结温
储存温度
-55到150
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
5.8 A， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表2中。
符号
热数据
参数
TO-220
D
2
PAK
0.89
60
62.5
300
50
价值
TO-220FP
4.2
TO-247
0.89
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
R
THJ情况
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热电阻junction-
最大的情况下
热电阻junction-
最大的情况下
热电阻junction-
环境最大
铅的最大温度
焊接用途
3/18
电气额定值
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP - STB6NK90Z - STW7NK90Z
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
5.8
300
单位
A
mJ
表4 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
测试条件
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅源击穿电压的Ig = ± 1毫安（漏极开路）
1.1
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
4/18
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP - STB6NK90Z - STW7NK90Z
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
3
3.75
1.56
分钟。
900
1
50
± 10
4.5
2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.9 A
分钟。
典型值。
5
1350
130
26
70
17
45
20
20
46.5
8.5
25
11
12
20
60.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
ns
ns
ns
输入电容
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
输出电容
反向传输电容V
GS
= 0
V
DS
=0V, V
DS
= 0V至720V
V
DD
= 450 V，I
D
= 3 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
C
OSS EQ 。 （2）
等效输出
电容
t
D（上）
t
r
t
R（ OFF）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
R（ Voff时）
T
r
T
c
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
V
DD
= 720 V，I
D
= 5.8 A,
V
GS
= 10 V
V
DD
= 720 V，I
D
= 5.8 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图22）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
5/18
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP
STB6NK90Z
N沟道900V - 1.56Ω - 5.8A TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STP6NK90Z
STP6NK90ZFP
STB6NK90Z
s
s
s
s
s
s
V
DSS
900 V
900 V
900 V
R
DS （ ON）
<2
<2
<2
I
D
5.8 A
5.8 A
5.8 A
Pw
140 W
30 W
140 W
3
1
2
典型
DS
（上） = 1.56
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220
3
1
TO-220FP
D
2
PAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
订购信息
销售类型
STP6NK90Z
STP6NK90ZFP
STB6NK90ZT4
记号
P6NK90Z
P6NK90ZFP
B6NK90Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
包装
管
管
磁带&卷轴
2003年3月
1/12
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP - STB6NK90Z
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
VISO
T
j
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
--
-55到150
5.8
3.65
23.2
140
1.12
4000
4.5
2500
价值
STP6NK90Z / STB6NK90Z
STP6NK90ZFP
单位
V
V
V
5.8 (*)
3.65 (*)
23.2 (*)
30
0.24
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
900
900
± 30
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤5.8A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
Rthj情况
RthJ -PCB
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
（当
安装在最小的足迹）
D
2
PAK
0.89
60
62.5
300
TO-220FP
4.2
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
5.8
300
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP - STB6NK90Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.9 A
3
3.75
1.56
分钟。
900
1
50
±10
4.5
2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=15V
,
I
D
= 2.9 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5
1350
130
26
70
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至720V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 450 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 ,V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 720 V，I
D
= 5.8 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
17
20
46.5
8.5
25
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 450 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 , V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 720V ，我
D
= 5.8 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
45
20
11
12
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5.8 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5.8 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 36V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
840
5880
14
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5.8
23.2
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/12
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP - STB6NK90Z
安全工作区TO-220 / D2PAK
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
4/12
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP - STB6NK90Z
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/12
QQ：2881677436 复制
