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STW75NF30
N沟道300 V ， 0.037
,
60 A， TO- 247
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STW75NF30
■
■
■
V
DSS
300 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.045
I
D
60 A
p
W
320 W
DV dt能力EXCEPTIONAL /
低栅电荷
100％的雪崩测试
TO-247
2
1
3
应用
■
切换应用程序
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET 工艺
有专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此，它是
适合作为先进的高初级开关
效率的隔离式DC -DC转换器
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
订货编号
STW75NF30
记号
75NF30
包
TO-247
包装
管
2008年7月
REV 3
1/12
www.st.com
12
目录
STW75NF30
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
.......................... 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STW75NF30
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
dv / dt的
(2)
P
合计
T
J
TSTG
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
总功耗在T
C
= 25 °C
工作结温
储存温度
价值
300
± 20
60
37.8
240
2.56
12
320
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W / ℃，
V / ns的
W
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
≤
60A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
80% V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
l
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
0.39
50
300
单位
° C / W
° C / W
°C
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
马克斯。值
50
400
单位
A
mJ
3/12
电气特性
STW75NF30
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
DS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
2
3
0.037
分钟。
300
1
10
±100
4
0.045
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
内在的栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 30 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
40
5930
837
110
462
1.55
164
36
69
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 0 240 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 240 V，I
D
= 30 A,
V
GS
= 10 V
（参见图15）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给出相同的充电时间为Coss而当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/12
STW75NF30
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
电气特性
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 150 V，I
D
= 30 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V,
（参见图14）
分钟。
典型值。
115
87
141
101
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 60 A，V
GS
= 0
I
SD
= 60 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的
（参见图19）
I
SD
= 60 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的
T
j
= 150°C
（参见图19）
252
2.5
20
316
3.7
23.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
1.脉冲与限制的最高温度
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
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