STB75N20
STP75N20 - STW75N20
N沟道200V - 0.028Ω - 75A - D
2
PAK - TO-220 - TO-247
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB75N20
STP75N20
STW75N20
■
■
■
V
DSS
200V
200V
200V
R
DS （ ON）
<0.034
<0.034
<0.034
I
D
75A
1
3
75A
75A
DPAK
TO-247
DV dt能力EXCEPTIONAL /
低栅电荷
100％的雪崩测试
1
3
2
TO-220
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET 工艺
有专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此，它是
适合作为先进的高初级开关
效率的隔离式DC -DC转换器
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB75N20T4
STP75N20
STW75N20
记号
B75N20
P75N20
W75N20
包
DPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年7月
转4
1/16
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16
目录
STB75N20 - STP75N20 - STW75N20
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
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STB75N20 - STP75N20 - STW75N20
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
降额因子
价值
200
200
± 20
75
47
300
1.52
190
-50-150
W
°C
单位
V
V
V
A
A
A
P
合计
T
J
TSTG
总功耗在T
C
= 25°C
工作结温
贮藏期温度
1. I
SD
< 20A ， di / dt的< 100A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
R
thJC
R
THJ -PCB （ 1 ）
R
thJA
T
l
热阻
价值
参数
TO-220/DPAK
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
34
62.5
300
0.66
--
40
TO-247
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
1.当安装在inchFR - 4电路板（T <为10μs ）
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25°C ，ID = IAR， VDD = 50V ）
最大值
37
205
单位
A
mJ
3/16
电气特性
STB75N20 - STP75N20 - STW75N20
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
DS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 37A
2
3
0.028
分钟。
200
1
10
±100
4
0.034
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 37A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 160V ，我
D
=75A,
V
GS
= 10V
（参见图16）
分钟。
典型值。
40
3260
640
110
84
18
34
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 100V ，我
D
= 37A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V,
,
（参见图15）
分钟。
典型值。
53
33
75
29
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
4/16
STB75N20 - STP75N20 - STW75N20
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 75A ，V
GS
= 0
I
SD
= 75A ，V
DD
= 100V
的di / dt = 100 A / μs的
T
j
= 25°C
（参见图20）
I
SD
= 75A ，V
DD
= 100V
的di / dt = 100 A / μs的
T
j
= 150°C
（参见图20）
222
2.18
19
267
3
22
测试条件
民
典型值。
最大
75
300
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
1.脉冲与限制的最高温度
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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