STW6NB100
N - CHANNEL 1000V - 2.3Ω - 5.4A - TO- 247
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STW 6NB100
s
s
s
s
s
s
V
DSS
1000 V
R
DS ( ON)
< 2.8
I
D
5.4 A
典型
DS ( ON)
= 2.3
DV dt能力极高/
±
30V栅极至源极电压额定值
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
2
1
描述
采用了最新的高电压技术,
意法半导体设计了先进的
功率MOSFET系列以优异的
表演。新的正在申请专利的带
布局再加上公司的专有
边缘终端结构,给出最低
R
DS
(上)单位面积,优异的雪崩
dv / dt的能力和无与伦比的栅极电荷和
开关特性。
应用
s
大电流,高开关速度
s
开关模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
TO-247
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt (
1
)
T
s TG
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k
)
摹吃 - 源极电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额F演员
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。操作摄像结温
o
价值
1000
1000
±
30
5.4
3.4
21
160
1.28
4
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤
5.4 A, di / dt的
≤
200 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, TJ
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/8
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1999年10月