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STW55NM50N

N沟道500 V ， 0.040

54 A，的MDmesh II 功率MOSFET

TO-247

特点

TYPE

STW55NM50N

■

DSS

（ @Tjmax ）

550 V

DS （ ON）

最大

<0.054

54 A

100％的雪崩测试

低输入电容和栅极电荷

低门输入电阻

TO-247

应用

■

切换应用程序

描述

该系列器件实现第二

新一代的MDmesh 技术。这

革命性的功率MOSFET相关联的新

垂直结构公司的条状布局

产生世界上最低的导通电阻之一，

栅极电荷。因此，适合于最

需要高效率的转换器。

图1 。

内部原理图

表1中。

设备简介

记号

55NM50N

包

TO-247

包装

管

订货编号

STW55NM50N

2008年7月

REV 2

1/12

www.st.com

STW55NM50N

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

.......................... 6

测试电路

................................................ 8

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 9

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

2/12

STW55NM50N

电气额定值

表2中。

符号

糖尿病（1）

合计

dv / dt的

(2)

英镑

绝对最大额定值

参数

漏源电压（V

= 0)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25 °C

漏电流（连续）在T

= 100 °C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 °C

峰值二极管恢复电压斜率

储存温度

马克斯。工作结温

价值

500

±25

216

350

-55到150

150

单位

V / ns的

°C

1.脉冲宽度有限的安全工作区

2. I

≤

54 A， di / dt的

≤

400 A / μs的，V

=80% V

（ BR ） DSS

表3中。

符号

Rthj情况

Rthj - AMB

热数据

参数

热阻结案件最大

热阻结到环境最大

最大无铅焊接温度的

用途

价值

0.36

300

单位

° C / W

°C

表4 。

符号

雪崩特性

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度有限的TJ最大值）

单脉冲雪崩能量

（首发TJ = 25 ° C，I

, V

=50 V)

价值

1600

单位

3/12

电气特性

STW55NM50N

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

表5 。

符号

（ BR ） DSS

dv / dt的

(1)

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

开/关状态

参数

漏源

击穿电压

漏源电压斜率

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= 1毫安， V

= 0

= 400 V，I

= 54 A,

=10 V

=最大额定值

=最大额定值， @ 125°C

= ± 20 V

= V

, I

= 250 A

= 10 V，I

= 27 A

分钟。

500

100

典型值。

MAX 。 UNIT

V / ns的

0.040 0.054

1.特征值在关闭感性负载

表6 。

符号

飞秒（1）

国际空间站

OSS

RSS

OSS EQ 。（2）

动态

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

等效输出

电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

门输入电阻

测试条件

=15 V

= 27 A

= 50 V ， F = 1MHz时，

= 0

分钟。

典型值。

5800

370

750

180

MAX 。 UNIT

= 0V, V

= 0V至400V

= 400 V，I

= 54 A,

= 10 V

（参见图15）

F = 1 MHz的门DC偏置= 0

测试信号电平= 20 mV的

漏极开路

1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

2. C

OSS EQ 。

被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C

OSS

当V

增加了从0到80 ％的V

4/12

STW55NM50N

电气特性

表7中。

符号

D（上）

D（关闭）

开关时间

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 250 V，I

= 27 A

= 4.7

= 10 V

（参见图14）

分钟。

典型值。马克斯。单位

250

表8 。

符号

SDM

(1)

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 54 A，V

= 0

= 54 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 100 V

（参见图16）

= 54 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 100 V，T

= 150 °C

（参见图16）

630

750

测试条件

民

典型值。

最大

216

1.5

单位

的SD （2）

RRM

1.脉冲宽度有限的安全工作区

2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

5/12

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