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STW43NM60ND
N沟道600 V , 0.075
,
35 A TO -247
FDmesh 功率MOSFET (具有快速二极管)
特点
TYPE
STW43NM60ND
V
DSS
@
T
JMAX
650 V
R
DS ( ON)
最大
< 0.088
I
D
35 A
2
1
3
全球最佳R
DS ( ON)
*区域之间的
快恢复二极管器件
100%的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
极高的dv / dt和雪崩
的能力。
图1 。
TO-247
应用
内部原理图
切换应用程序
描述
该FDmesh II系列属于第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局和
联营各方优势降低导通
电阻和快速开关与一个内建为快
因此,恢复身体diode.It强烈
推荐桥拓扑结构,特别是
ZVS移相器。
表1中。
设备简介
订货编号
记号
43NM60ND
TO-247
包装
STW43NM60ND
2010年2月
文档ID 14402牧师3
1/12
www.st.com
12
目录
STW43NM60ND
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
........................... 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
文档ID 14402牧师3
STW43NM60ND
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
± 25
35
22
140
255
40
-55到150
150
单位
V
V
A
A
A
W
V / ns的
°C
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
35 A, di / dt的
600 A / μs的,V
DD
= 80% V
( BR ) DSS
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
0.49
50
300
单位
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度有限的TJ最大值)
单脉冲雪崩能量
(起始物为
J
= 25 ° C,I
D
=I
AS
, V
DD
=50 V)
价值
14
1000
单位
A
mJ
文档ID 14402牧师3
3/12
电气特性
STW43NM60ND
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
表5 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值, @ 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 17.5 A
3
4
分钟。
600
1
100
100
5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
0.075 0.088
表6 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。 (2)
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
=15 V
,
I
D
= 17.5 A
V
DS
= 50 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
-
典型值。
17
4300
250
25
530
145
18
80
1.7
MAX 。 UNIT
-
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
-
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 480 V,I
D
= 35 A,
V
GS
= 10 V,
(参见图15)
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
-
-
-
-
-
-
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 %的V
DS
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文档ID 14402牧师3
STW43NM60ND
电气特性
表7中。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V,I
D
= 17.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(参见图14)
分钟。
典型值。马克斯。单位
30
40
120
50
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 35 A,V
GS
= 0
I
SD
= 35 A, di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
(参见图16)
I
SD
= 35 A, di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V,T
j
= 150 °C
(参见图16)
测试条件
-
-
-
190
1.6
17
280
3.0
22
典型值。
最大
35
140
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
文档ID 14402牧师3
5/12
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    联系人:杨小姐
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    STW43NM60ND
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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ST(意法)
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原装原厂公司现货
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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
STW43NM60ND
ST(意法)
24+
7800
TO-247
原装正品现货,可开增值税专用发票
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地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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2418+
1260
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正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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STW43NM60ND
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代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
STW43NM60ND
ST/意法
24+
21000
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
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STW43NM60ND
ST/意法
22+
18389
TO-247
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STW43NM60ND
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原装正品,价优
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