STW40NS15
N沟道150V - 0.042Ω - 40A TO- 247
MESH OVERLAY MOSFET
初步数据
TYPE
STW40NS15
s
s
s
s
V
DSS
150 V
R
DS ( ON)
<0.052
I
D
40A
典型
DS
(上) = 0.042Ω
DV dt能力极高/
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
2
1
描述
此功率MOS MOSFET的使用而设计
公司的综合带状布局,基于MESH
覆盖
流程。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
TO-247
国内
原理图
应用
s
大电流开关
s
不间断电源( UPS )
s
PRIMARYSWITCH隔离式DC -DC
转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
合计
dv / dt的
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
150
150
±20
40
25
160
180
0.933
9
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
°C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
2000年10月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
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STW40NS15
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 75V ,我
D
= 20A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 120V ,我
D
= 40A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
25
45
100
17
47
110
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
T
f
t
R( Voff时)
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
测试条件
V
DD
= 75V ,我
D
= 20A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
钳
= 120V ,我
D
= 20 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
85
马克斯。
单位
47
ns
t
f
t
c
下降时间
交叉时间
35
70
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
I
SD
= 40A ,V
GS
= 0
I
SD
= 40A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 50V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
270
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
40
160
1.5
单位
A
A
V
ns
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
200
1.5
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
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