STFW3N150
STP3N150 ， STW3N150
N沟道1500 V ， 6
,
2.5 A ，的PowerMESH 功率MOSFET
在TO-220， TO-247 ，TO- 3PF
特点
TYPE
STFW3N150
STP3N150
STW3N150
■
■
■
■
■
V
DSS
1500 V
1500 V
1500 V
R
DS （ ON）
马克斯。
<9
<9
<9
I
D
P
合计
3
1
2
2.5 A 63 W
2.5 A 140瓦特
2.5 A 140瓦特
TO-220
100％的雪崩测试
固有电容和Q
g
最小化
高速开关
完全隔离的TO- 3PF塑料包装
爬电距离路径为5.4毫米（典型值）的
TO-3PF
图1 。
内部原理图
TO-247
2
1
3
1
2
3
TO-3PF
应用
切换应用程序
描述
使用公合并高压丝网
覆盖
TM
过程中，意法半导体
非常高的电压而设计的一种先进的家庭
功率MOSFET具有出色的表现。
在加强布局再加上
公司专有的边缘终端结构，
给出了低R
DS （ ON）
单位面积，无与伦比的门
充电和开关特性。
表1中。
设备简介
记号
3N150
3N150
3N150
包
TO-3PF
TO-220
TO-247
包装
管
管
管
订购代码
STFW3N150
STP3N150
STW3N150
2010年6月
文档ID 13102第9版
1/15
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15
目录
STFW3N150 ， STP3N150 ， STW3N150
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
文档ID 13102第9版
STFW3N150 ， STP3N150 ， STW3N150
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
V
ISO
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220,TO-247
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
降额因子
1.12
-50-150
150
2.5
1.6
10
140
1500
± 30
2.5
(1)
1.6
(1)
10
(1)
63
3500
0.5
TO-3PF
V
V
A
A
A
W
V
W / ℃，
°C
°C
单位
T
英镑
T
j
储存温度
马克斯。工作结温
1.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
j
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境
最大
铅的最大温度
焊接用途
62.5
TO-220
TO-247
TO-3PF
2
50
300
50
单位
° C / W
° C / W
°C
0.89
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
2.5
450
单位
A
mJ
文档ID 13102第9版
3/15
电气特性
STFW3N150 ， STP3N150 ， STW3N150
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
1500
10
500
± 100
3
4
6
5
9
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 30 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.3 A
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 30 V，I
D
= 1.3 A
分钟。
-
典型值。
2.6
939
102
13.2
100
马克斯。
-
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
-
-
C
OSS EQ 。 （2）
等效输出
电容
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 0 1200 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 1200 V，I
D
= 2.5 A,
V
GS
= 10 V
（参见图19）
-
-
-
4
29.3
4.6
17
-
nC
nC
nC
-
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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文档ID 13102第9版
STFW3N150 ， STP3N150 ， STW3N150
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 750 V，I
D
= 1.25 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
分钟。
典型值。
24
47
45
61
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2.5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 2.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V
（参见图20）
I
SD
= 2.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ， TJ = 150℃
（参见图20）
测试条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-
-
-
410
2.4
11.7
540
3.3
12.3
2.5
10
1.6
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 13102第9版
5/15
STFV3N150 ， STFW3N150
STP3N150 ， STW3N150
N沟道1500 V ， 6
2.5 A ，的PowerMESH 功率MOSFET
,
的TO-220 ，TO- 220FH ，TO- 247 ，TO- 3PF
特点
TYPE
STFV3N150
STFW3N150
(1)
STP3N150
STW3N150
V
DSS
1500 V
1500 V
1500 V
1500 V
R
DS （ ON）
最大
<9
<9
<9
<9
I
D
Pw
3
1
2
2.5 A 30瓦
2.5 A 83 W
2.5 A 140瓦特
2.5 A 140瓦特
1
2
3
TO-220
TO-220FH
1.所有的数据，仅是指在TO- 3PF包是
初步
■
■
■
■
■
■
100％的雪崩测试
固有电容和最小化的Qg
高速开关
完全隔离的TO- 3PF和TO- 220FH塑料
套餐
爬电距离路径为5.4毫米（典型值）的
TO-3PF
爬电距离路径是> 4毫米的
TO-220FH
图1 。
1
2
3
3
1
2
TO-247
TO-3PF
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
使用公合并高压丝网
OVERLAY 过程中，意法半导体
非常高的电压而设计的一种先进的家庭
功率MOSFET具有出色的表现。
在加强布局再加上
公司专有的边缘终端结构，
给出了低R
DS （ ON）
单位面积，无与伦比的门
充电和开关特性。
表1中。
设备简介
订购代码
STFV3N150
STFW3N150
STP3N150
STW3N150
2009年2月
记号
3N150
3N150
3N150
3N150
REV 6
包
TO-220FH
TO-3PF
TO-220
TO-247
包装
管
管
管
管
1/16
www.st.com
16
目录
STFV3N150 ， STFW3N150 ， STP3N150 ， STW3N150
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/16
STFV3N150 ， STFW3N150 ， STP3N150 ， STW3N150
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
V
ISO
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 ，TO- 247 TO- 220FH TO- 3PF
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
降额因子
1.12
2.5
1.6
10
140
1500
± 30
2.5
(1)
1.6
(1)
10
(1)
30
2500
0.24
-50-150
150
2.5
(1)
1.6
(1)
10
(1)
83
待定
0.67
V
V
A
A
A
W
V
W / ℃，
°C
°C
单位
T
英镑
T
j
储存温度
马克斯。工作结温
1.最高温度的限制使
2.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
j
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境
最大
铅的最大温度
焊接用途
62.5
的TO-220 TO-247 TO- 220FH TO- 3PF单位
0.89
50
300
4.17
62.5
1.5
50
° C / W
° C / W
° C / W
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
2.5
450
单位
A
mJ
3/16
电气特性
STFV3N150 ， STFW3N150 ， STP3N150 ， STW3N150
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
1500
10
500
± 100
3
4
6
5
9
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 30 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.3 A
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 30 V，I
D
= 1.3 A
分钟。
典型值。
2.6
939
102
13.2
100
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
C
OSS EQ 。
(2)
等效输出
电容
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 0 1200 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 1200 V，I
D
= 2.5 A,
V
GS
= 10 V
（参见图19）
4
29.3
4.6
17
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/16
STFV3N150 ， STFW3N150 ， STP3N150 ， STW3N150
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 750 V，I
D
= 1.25 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
分钟。
典型值。
24
47
45
61
最大单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2.5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 2.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V
（参见图20）
I
SD
= 2.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ， TJ = 150℃
（参见图20）
410
2.4
11.7
540
3.3
12.3
测试条件
分钟。典型值。最大单位
2.5
10
1.6
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/16
QQ：2881677436 复制
